《晶体管答案》word版

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1、习题答案2.1已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图2.1所示。试画出各晶体管的电路符号，确定每管的b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。0.7V8V0V(a)-0.7V-8V0V(b)4V1V3.7V(c)4V4.3V9V(d)题图2.1解：8V0V0.7V硅NPN-8V0V-0.7V硅PNP1V4V3.7V锗PNP9V4.3V锗NPN4V题图（a）：题图（b）：题图（c）：题图（d）：2.2某个晶体管的β＝25，当它接到电路中时，测得两个电极上的电流分别为50mA和2mA，能否确定第三个电极上的电流数

2、值?解：不能。因为第三个电极上的电流与管子的工作状态有关。当管子处于放大状态时，第三个电极上的电流为52mA；而当管子处于饱和状态时，则电流为48mA。332.1已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2.3所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或损坏）。-5V-0.3V0V3AX81(a)12V3V0V(d)3DG86.6V6.3V7V3CG21(c)8V2.5V3V(b)3BX1题图2.3解：题图（a）3AX为PNP锗管，V（正偏），V（反偏），放大状态题图（b）：e结反偏，c结反偏，截止状态题图（c）：e

3、结正偏，c结正偏，饱和状态题图（d）：e结开路，晶体管损坏2.2型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如题图2.4所示，其中nb0表示平衡时自由电子的浓度。（1）说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。（2）说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。O（a）PNO（b）PN33O（c）PN题图2.4O（d）PN解：（1）对于晶体管，当发射结（集电结）正偏时，由于从发射区（集电区）向基区注入了非平衡少子电子，所以处P区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度，当发射结（集电结）反偏时，在阻挡层两侧边界上的

4、少子浓度趋向于零。据此，可以判别：（1）图(a)：发射结反偏，集电结反偏。图(b)：发射结正偏，集电结反偏。图(c)：发射结正偏，集电结正偏。图(d)：发射结反偏，集电结反偏。（2）图(a)：截止。图(b)：放大。图(c)：饱和。图（d）：反向放大。2.1某晶体三极管在室温时的V，V，pA。试求的，和的数值。解：pA2.2某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示（1）求IBQ=0.3mA时，Q1、Q2点的β值。（2）确定该管的U(BR)CEO和PCM。33题图2.6解：（1）Q1点：（2）2.1硅晶体管电路如题图2.

5、7所示。设晶体管的V，。判别电路的工作状态。9V1VD0.3V（a）TRB470kRC2kRE1k（b）TRB100kRC2kRE1k（c）15V15V题图2.7解：题图（b）：处于放大状态33题图（c）：A，mA(V)不可能，表明晶体管处于饱和状态。2.1题图2.8(a)、(b)所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。两个电路中的晶体管相同，UBE(on)=0.6V。在20oC时晶体管的β=50，55oC时，β=70。试分别求两种电路在20oC时的静态工作点，以及温度升高到55oC时由于β的变化引起ICQ的

6、改变程度。UCC(12V)(a)RB246kRC2.8kT(b)RB130kRC1.8kTRB210kRE1kUCC(12V)题图2.8解：题图2.8（a）为固定偏流电路。（1）20时（V）（2）55时的变化为33图2.8（b）为分压式电流负反馈偏置电路。（1）20时（2）55时的变化为2.1晶体管电路如题图2.9所示。已知β＝100，UBE＝-0.3V(1)估算直流工作点ICQ、UCEQ。(2)若偏置电阻RB1、RB2分别开路,试分别估算集电极电位UC值，并说明各自的工作状态。(3)若RB2开路时要求ICQ＝2mA，

7、试确定RB1应取多大值。题图2.933（2）当RB1开路时，I3Q=0,管子截止。UC=0.当RB2开路时，则有2.1设计一个分压式电流负反馈偏置放大电路。技术要求是：温度在-55~125范围内变化时，要求1mA和，，。BJT的参数是：时，，；时，，。解：(1)的估算。根据题意，当时，电流应是最低值1mA，UCE应是最大值，因为已给出，故可写出：解得如果RC未知，可以根据UCC的数值假设某一数值，本题设，则。33（2）的估算。因为所以将和时各参数值代入可得：（时）（时）联立求解上述两式，可得：如果不利用上述关系式运算，

8、也可以利用经验公式，比如选取去求解。例如设，则，当T=125时的，此时的技术要求，因此还需要重新选取值，直至满足要求为止。（3）和的计算。（4）核算T=125时的值。可见，上述结果在允许的范围内，表明设计有效。2.1电压负反馈型偏置电路如题图2.11所示。若晶体管的β、UBE已知。(1)试导出计算工作点的表达式。(2)简述稳定工作