上海合金硅材料

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划上海合金硅材料　　一、选择题　　1、硅片制备主要工艺流程是__A__。　　A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包　　B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包　　C、单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包　　D、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包　　2、那个不是影响直拉单晶硅

2、的电阻率均匀性的因素。　　A、分凝B、蒸发C、坩埚污染D、损坏　　3、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率(C)。　　A、越高B、不确定C、越低D、不变　　4、正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段。　　A、能B、不能　　C、不确定D、有时可以，有时不可以目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保

3、障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　5、当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率____A_____。　　A、上升B、下降C、不变D、不确定　　6、下列铸造多晶硅的制备方法中，(C)没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。　　A、布里曼法B、热交换法C、电磁铸锭法D、浇铸法　　7、在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是___B___。　　A、上部和边缘部分B、中部和边缘部分、上部和底部D、底部和边缘部分　　8、面心立方晶格中

4、原子密度最大的晶向是(B)。　　A、[100]B、[110]C、[111]D、[121]　　9、通常用C来提纯工业级Si生产多晶硅。　　A、Cl2B、SiHCl3C、HClD、SiCl4　　10、下面哪个不是硅片的清洗方法。　　A、化学清洗法B、超声清洗法　　C、真空高温清洗法D、清水清洗法　　11、改良西门子法与原来的方法相比，系列哪一项不是增加的内容？　　A、三氯氢硅的合成B、四氯化硅的氢化工艺　　C、还原尾气干法回收系统D、实现闭路循化　　12、半导体工业所用的硅单晶是用CZ法生长的。　　

5、A、70%B、80%C、90%D、60%　　13、直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　①籽晶熔接②引晶和缩颈③等径生长④收晶　　A、①②B、①②③④C、②③④D、③④　　14、对于临界晶核，即与母相达成平衡，可以稳定存在的晶核来说，下列应该满足的条件是

6、、母相压强等于外压强、三个相的化学势相等　　、新相压强大于外压强、新相压强必须小于外压强　　A、、、　　B、、、　　C、　　D、、、、　　15、对于铸造多晶硅氧浓度越__，钝化效果越__，少数载流子寿命增加越__A。　　A、低，好，多B、低，好，少C、低，差，多D、高，好，多　　16、下列关于单晶硅的说法中正确的是(B)。　　A、采用区熔技术时，单晶硅适合用水平区熔法　　B、在直拉单晶制造法中当结晶加快，晶体直径变粗时，可以提高拉速，提升温度去控制，反之，当结晶变慢，晶体直径变细时，则可降低拉速

7、，降低温度去控制　　C、一般而言，直拉单晶硅的头部氧浓度低于尾部，中心氧浓度高于边缘部位　　D、单晶硅中，氧沉淀的存在会影响载流子的浓度目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　二、判断题　　1、单晶常用的晶向有;;。(错）　　2、尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致

8、固液界面的形状太凹。(错）　　3、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散。(对）　　4、晶体的主要缺陷的是肖特基缺陷。(错）　　三、填空题　　1、高纯度的多晶硅生长单晶硅则基本是以区熔法和直拉法两种物理提纯生长方法为主。　　2、电阻率的测量接触法四探针法，拓展电阻法。　　3、晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。　　4、多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定方向的温度梯度。　　5、如果硅材料很纯，