2013届高考物理一轮复习 第十章 第2单元 法拉第电磁感应定律　自感和涡流提升练习 粤教版（广东专用）

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1、2013届高考物理《三维设计》（粤教版广东专用）一轮复习课下提升练习：第十章第2单元法拉第电磁感应定律　自感和涡流1．如图1所示，在竖直向下的匀强磁场中，将一水平放置的金属棒ab以水平速度v0抛出。设在整个过程中，棒的取向不变且不计空气阻力，则在金属棒运动过程中产生的感应电动势大小变化情况是(　　)A．越来越大　　　　　B．越来越小C．保持不变D．无法判断图1解析：金属棒水平抛出后，在垂直于磁场方向的速度不变，由E＝BLv可知，感应电动势也不变。C项正确。答案：C2．(双选)某地的地磁场磁感应强度的竖直分量方向向下，大小为4.

2、5×10－5T。一灵敏电压表连接在当地入海河段的两岸，河宽100m，该河段涨潮和落潮时有海水(视为导体)流过。设落潮时，海水自西向东流，流速为2m/s。下列说法正确的是(　　)A．电压表记录的电压为5mVB．电压表记录的电压为9mVC．河南岸的电势较高D．河北岸的电势较高解析：可以将海水视为垂直河岸方向放置的导体平动切割地磁场的磁感线产生感应电动势，由E＝BLv＝9mV，B项正确；由右手定则可知，感应电流方向由南向北，故河北岸的电势较高，D项正确。答案：BD3.如图2所示，平行导轨间距为d，一端跨接一个电阻R，匀强磁场的磁感应

3、强度为B，方向垂直于平行金属导轨所在平面。一根金属棒与导轨成θ角放置，金属棒与导轨的电阻均不计。当金属棒垂直于棒的方向以恒定的速度v在金属导轨上滑行时，通过电阻R的电流是(　　)A.B.图2C.D.解析：导体棒与磁场垂直，速度与磁场垂直且与棒长度方向垂直，由E＝Blv，l＝得I＝＝，D正确。答案：D4.一个由电阻均匀的导线绕制成的闭合线圈放在磁场中，如图3所示，线圈平面与磁场方向成60°角，磁感应强度随时间均匀变化，下列方法可使感应电流增加一倍的是(　　)A．把线圈匝数增加一倍B．把线圈面积增加一倍图3C．把线圈半径增加一倍D

4、．改变线圈与磁场方向的夹角为另一定值解析：设导线的电阻率为ρ，横截面积为S0，线圈的半径为r，则I＝＝＝＝··sinθ，可见，将r增加一倍，I增加一倍；改变线圈与磁场方向的夹角，sinθ不能变为原来的2倍(因sinθ最大值为1)；若将线圈的面积增加一倍，半径r增加(－1)倍，电流增加(－1)倍；I与线圈匝数无关。综上所述，只有C项正确。答案：C5．如图4所示，Q是单匝金属线圈，MN是一个螺线管，它的绕线方向没有画出，Q的输入端a、b和MN的输出端c、d之间用导线相连，P是在MN的正下方水平放置的用细导线绕制的软弹簧线圈。若在Q

5、所处的空间加上与环面垂直的变化磁场，发现在t1至t2时间段内弹簧线圈处于收缩状态，则所加磁场的磁感应强度的变化情况可能是图5中的(　　)图4图5解析：在t1至t2时间段内弹簧线圈处于收缩状态，说明此段时间内穿过线圈的磁通量变大，即穿过线圈的磁场的磁感应强度变大，则螺线管中电流变大，单匝金属线圈Q产生的感应电动势变大，所加磁场的磁感应强度的变化率变大，即B－t图线的斜率变大，故选项D正确。答案：D6.如图6所示，铁芯右边绕有一个线圈，线圈两端与滑动变阻器、电池组连成回路。左边的铁芯上套有一个环面积为0.02m2、电阻为0.1Ω的

6、金属环。铁芯的横截面积为0.01m2，且假设磁场全部集中在铁芯中，金属环与铁芯截面垂直。调节滑动变阻器的滑动头，使铁芯中的磁感应强度每秒均匀增加0.2T，则从上向下看(　　)图6A．金属环中感应电流方向是逆时针方向，感应电动势大小为4.0×10－3VB．金属环中感应电流方向是顺时针方向，感应电动势大小为4.0×10－3VC．金属环中感应电流方向是逆时针方向，感应电动势大小为2.0×10－3VD．金属环中感应电流方向是顺时针方向，感应电动势大小为2.0×10－3V解析：铁芯内的磁通量情况是相同的，金属环的有效面积即铁芯的横截面积

7、。据电磁感应定律E＝n＝1×0.2×0.01V＝2×10－3V。又据楞次定律，金属环中电流方向为逆时针，即C正确。答案：C7.如图7所示，在方向垂直纸面向里，磁感应强度为B的匀强磁场区域中有一个由均匀导线制成的单匝矩形线框abcd，线框以恒定的速度v沿垂直磁场方向向右运动，运动中线框dc边始终与磁场右边界平行，线框边长ad＝l，cd＝2l。线框导线的总电阻为R。则线框离开磁场的过程中，下列说法中错误的是(　　)A．流过线框截面的电量为图7B．线框中的电流在ad边产生的热量为C．线框所受安培力的合力为D．ad间的电压为解析：线框

8、离开磁场的过程中，感应电动势E＝2Blv，由电路知识可知ad间的电压为，线框所受安培力的合力为F＝BI(2l)＝，产生的热量Q＝I2Rt，t＝，Qad＝，所以Qad＝。通过的电量q＝＝。答案：C8.如图8所示，金属棒ab置于水平放置的金属导体框架cdef上，棒ab与框架接触良