gb 14049-2008 额定电压10kv架空绝缘电缆

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1、中华人民共和国国家标准GB14049-2008更新日期：2010.09.137技术要求7．1架空绝缘电缆的结构和技术参数如表3规定，承载绞线拉断力要求如表4规定。7．2导体及承载绞线7．2．1导体应采用紧压圆形绞合硬铜硬铝或铝合金导体或钢芯铝绞线导体，其中铜导体应采用TY型硬铜圆线，并符合GB/T3953－1983规定；铝导体应采用LS或LY9型硬铝圆线，并符合GB/T3955一1983规定；铝合金导体应采用LHA或LHB型铝合金圆线，并符合JB/T8134－1995的规定。导体的结构尺寸、机械拉断力及导体电阻

2、应符合表3规定。7．2．2作为变压器引下线用的架空电缆导体应采用TR型软铜圆线，并符合GB/T3953一1983规定。7．2．3承载绞线材料和结构应符合JB/T8134—1995或GB/T1179—1999相应规定，其拉断力应符合表4规定。7．2．4导体表面应光洁，无油污，无损伤屏蔽及绝缘的毛刺，锐边，以及凸起或断裂的单线。7．2．5导体中的单线为7根及以下时，所有单线均不允许有接头；7根以上时，单线允许有接头，但成绞线上两单线接头间的距离应不小于15m。7．3绝缘7．3．1绝缘应采用交联聚乙烯（XLPE）或高

3、密度聚乙烯（HDPE）混合料，如绝缘层无半导电屏蔽层，材料应采用黑色耐候料。绝缘料性能应符合附录A要求。7．3．2绝缘应紧密地挤包在导体或导体屏蔽层上，绝缘表面应平整，色泽均匀。7．3．3绝缘标称厚度应符合表3规定，绝缘厚度的平均值应不小于标称值，其最薄处厚度应不小于标称值的90％减去0.1mm。7．3．43芯电缆绝缘表面推荐采用标有可识别相序的凸出标志，A相为1根凸脊，B相为2根凸脊，C相为3根凸脊，也可采用其他耐久的标志方法。中性线芯应采用区别于上述标志方法的其他标志。7．4屏蔽7．4．1导体屏蔽导体表面除

4、轻型薄绝缘结构外，均应有半导电屏蔽层，导体屏蔽用半导电料可以是交联型的或者是非交联型的，半导电屏蔽层应均匀地包覆在导体上，表面应光滑，无明显绞线凸纹，不应有尖角，颗粒，烧焦或擦伤的痕迹。半导电屏蔽层厚度可参照表3规定。半导电屏蔽料性能应符合附录B规定。7．4．2绝缘屏蔽3芯绞合成缆的绝缘线芯，应有挤包的半导电层作为绝缘屏蔽，不允许采用轻型薄绝缘结构。单芯电缆均采用耐候黑色绝缘，可不包覆半导电屏蔽层。绝缘屏蔽层应采用可剥离半导电交联料，并应均匀地包覆在绝缘表面，表面应光滑，不应有尖角、颗粒、烧焦或擦伤的痕迹。绝缘

5、屏蔽层厚度的平均值应不小于表3规定的标称值，最薄处厚度应不小于标称值的90％减去0.1mm。7．5成缆3芯电缆应绞合成缆，成缆节径比应小于25，绞合方向为右向。如具有承载绞线时，承载绞线应处于中心位置。7．6试验条件7．6．1除非另有规定，电压试验的环境温度为（20±15）℃，其他项目试验的环境温度为（20±5）℃。7．6．2交流电压试验的频率为（49～60）Hz，电压波形基本上是正弦波形。7．6．3冲击电压试验波形规定波前时间为（1～5）μs，半峰值时间为（40～60）μs。7．7例行试验（代号R）7．7．1

6、导体直流电阻试验导体直流电阻应符合表3规定。7．7．2绝缘电阻试验无绝缘屏蔽电缆，应进行绝缘电阻试验。试验在成盘电缆上进行，在室温下，将电缆浸于水中不少于1h，施加电压（80～500）V直流电压，稳定时间应不小于1min，且不大于5min。普通绝缘结构电缆的绝缘电阻应不小于1500MΩ·km，轻型薄绝缘结构电缆的绝缘电阻应不小于1000MΩ·km。7．7．3交流电压试验试验在成盘电缆上进行。在室温下，将电缆浸于水中不少于lh后施加试验电压，维持时间为1min，电缆应不击穿，对应各额定电压电缆的试验电压值如表5规

7、定。7．8抽样试验（代号S）7．8．1抽样试验的数量7．8．1．1结构尺寸检查应在每批同一型号及规格的电缆上进行，其数量应不超过交货批电缆段数量的10％。7．8．1．2交货批中3芯电缆总长度超过2km，单芯电缆总长度超过4km，可根据表6确定抽取的试样数。7．8．2结构和尺寸检查导体结构应符合7．2规定。承载绞线结构应符合7．2规定。绝缘结构应符合7．3规定。屏蔽结构应符合7．4规定。7．8．34h交流电压试验除终端外，成品电缆试样应不少于5m，将电缆浸入水中按表5规定施加交流电压，持续时间4h，试验过程中，绝

8、缘应不发生去穿。7．8．4热延伸试验交联聚乙烯绝缘应进行热延伸试验，试验条件及要求应符合表7规定。7．9型式试验（代号T）7．9．1试样长度及试验顺序7．9．1．1电气型式试验应在一段成品电缆试样上进行，除终端外，试样长度为（10～15）m，其他类型的型式试验试样长度均在各项试验方法中规定。7．9．1．2有绝缘屏蔽的电线必须按下列顺序逐项试验：a）局部放电试验（见7．9．2）；b）弯曲