电力电子器件特性和驱动实验一

《电力电子器件特性和驱动实验一》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、实用标准文案实验三常用电力电子器件的特性和驱动实验一、实验目的(1)掌握常用电力电子器件的工作特性。(2)掌握常用器件对触发MOSFET、信号的要求。(3)理解各种自关断器件对驱动电路的要求。(4)掌握各种自关断器件驱动电路的结构及特点。(5)掌握由自关断器件构成的PWM直流斩波电路原理与方法。二、预习内容(1)了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT的结构和工作原理。(2)了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT有哪些主要参数。(3)了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT的静态和动态特性。（4）阅读实验指导书关于GTO、GTR、MOSFET、IGBT的驱

2、动原理。三、实验所需设备及挂件1）设备及列表序号型号备注1DJK01电源控制屏主电源控制屏（已介绍）2DJK06给定及实验器件包含二极管、开关，正、负15伏直流给定等3DJK07新器件特性试验含SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT五种器件4DJK09单相调压与可调负载5DJK12功率器件驱动电路实验箱6万用表7双踪示波器2)挂件图片精彩文档实用标准文案四、实验电路原理图1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种特性实验原理电路如下图X-1所示：图X-1特性实验原理电路图X-2虚框中五种器件的1、2、3标号连接示意图精彩文档实用标准文案2、GTO、MOSFET、GTR

3、、IGBT四种驱动实验原理电路框图如下图X-3所示：图X-3GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图3、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验的流程框图如图X-4图X-4GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验的流程框图五、实验内容1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种器件特性的测试2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT驱动电路的研究。六、注意事项（1）注意示波器使用的共地问题。（2）每种器件的实验开始前，必须先加上器件的控制电压，然后再加主回路的电源；实验结束时，必须先切断主回路电源，然后再切断控制电源。（3）驱动实验中，

4、连接驱动电路时必须注意各器件不同的接地方式。（4）不同的器件驱动电路需接不同的控制电压，接线时应注意正确选择。七、实验方法与步骤1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种器件特性的测试1）关闭总电源，按图X－5的框图接主电路精彩文档实用标准文案图X－5实验接线框图DJK09调压器输出，开始时旋在最小。DJK09整流输出Uo=40VDJK09电阻。将两个90Ω电阻串连且旋在最大DJK01上直流电压表DJK01上直流电流表DJK06输出给定Ug，分别接器件的3端，2端（地）a)部分实验图片如下：c）负载电阻R,用DJK09中的两个90Ω串连。b）直流电压表V,直流电流表A，用DJ

5、K01电源屏上的直流数字表。123312231123321d)DJK07中各器件图片及接线标号图如下：精彩文档实用标准文案2)调整直流整流电压输出Uo=40V.接线完毕，并检查无误后（注意调压器输出开始为最小），将DJKO1的电源钥匙拧向开，按启动按钮。将单相调压器输出由小到大逐步增加，使整流输出Uo=40V.3）各种器件的伏安特性测试a)将DJK06的给定电位器RP1逆时针旋转到底，S1拨向“正给定”，S2拨向“给定”，打开DJK06上的电源开关，DJK06为器件提供触发电压信号。b)逐步右旋RP1，使给定电压从零开始调节，直至器件触发导通。记录Ug从小到大的变化过程中Id、Uv的值，

6、从而可测得器件的V/A特性。（实验最大可通过电流为1.3A）。c)将各种器件的Ug、Id、Uv的值填入下表中：SCRUgIdUvGTOUgIdUvMOSFETUgIdUvIGBTUgIdUvGTRUgIdUv2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT驱动电路的研究。1）关闭DJK01总电源，按图X－6的框图接线.（注意：实验接线一个个进行）图X－6GTO、MOSFET、GTR、IGBT驱动电路实验精彩文档实用标准文案DJK01中的励磁电源DJK06中的灯泡负载a)直流励磁电源和灯泡负载图片b)直流电压和电流表同上。c)四种电力电子器件均在DJK07挂箱上。稳压电源部分，供各驱动电路用。注

7、意：各直流电压要对应。GTO部分MOSFET部分PWM部分IGBT部分。C端与器件IGBT的C连接本实验板电源开关GTR部分。C端与器件GTR的C连接GTR部分d)DJK12中图片标注如下：精彩文档实用标准文案2)观察PWM波形输出变化规律正常否？a)检查接线无误后，将DJK01的钥匙拧向开，不按启动按钮。打开DJK12的电源开关。W1调频率范围W2调PWM的占空比做GTR、GTO时，选低频1000Hz。做MOSFET、IGBT时选