磁控溅射方法制备铜薄膜实验

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1、磁控溅射方法制备铜薄膜实验 一、实验目的 1．掌握物理气相沉积的基本原理，熟悉磁控溅射薄膜制备的工艺； 2．掌握磁控溅射镀膜设备的结构和原理。 二、设备仪器 磁控溅射薄膜沉积台结构如图1所示。  图1 磁控溅射镀膜机结构示意图三、实验原理当高能粒子(电场加速的正离子，如Ar+)打在固体表面时，与表面的原子、分子交换能量，从而使这些原子、分子飞溅出来，沉积到基体材料表面形成薄膜的工艺过程。 四、实验内容 掌握磁控溅射薄膜制备的气体放电理论和特性，观察气体放电现象，理解气体放电的物理过程；掌握磁控溅射膜制备的沉积原理

2、及条件，薄膜制备过程中溅射气体的选择、溅射电压及基片电位、高纯度靶材的影响。 五、实验步骤 1．准备：基体材料载玻片的清洗、烘干、装夹，铜靶材的安装； 2．方案： a. 描述低真空的抽气回路：真空室     三通阀位置2     低真空管道     电磁阀    机械泵      大气。 b. 描述高真空的抽气回路：真空室     蝶阀     挡油器      油扩散泵     储气罐     三通阀位置1     低真空管道     电磁阀    机械泵      大气 c. 铜薄膜的沉积工艺参数：本底真空度

3、、溅射电流、溅射电压、沉积时间、薄膜厚度。 3. 步骤：本底真空获得后，进行氩气充气量的控制，溅射过程中电流、电压和时间的控制，薄膜制备完成后，充入大气，取出试样。 六．撰写实验报告  1. 真空系统的组成及作用，简述旋片泵、分子泵的工作原理。 2. 真空测量系统的组成，简述电离真空规的工作原理。 3. 气体放电理论的物理模型。 4. 铜薄膜沉积原理与影响参数的关系。 简介　　真空镀膜　　在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但

4、一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。　　蒸发镀膜　　通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜设备结构如图1。　　蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或

5、决定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。　　蒸发镀膜　　通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜设备结构如图1。　　蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩

6、埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。　　编辑本段蒸发镀膜的类型　　蒸发源有三种类型。①电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电

7、流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质（图1[蒸发镀膜设备示意图]　　）电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高频感应加热源：用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质。③电子束加热源：适用于蒸发温度较高（不低于2000[618-1]）的材料，即用电子束轰击材料使其蒸发。　　蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。　　为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。生长掺杂的GaAlAs单晶层的分子束外延装置如图2[分子束外延装置示意图　　]

8、。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜最慢生长速度可控制在1单层/秒。通过控制挡板,可精确地做出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。　　溅射镀