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1、Abstract注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号。独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。签名：日期：年月日关于论文使用授权的说明本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。
2、本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）签名：导师签名：IIAbstract日期：年月日II摘要摘要功率放大器作为射频收发机中功耗和体积最大模块，其性能直接决定了整个射频收发机的成本、功耗和体积，因此研究CMOS射频功率放大器对实现单芯片射频收发机意义重大。本文通过深入分析CMOS射频C类功率放大器的系统结构和工作原理，设计出一个可单片集成的射频C类功率放大器，并完成了版图设计。首先对线性和非线性功率放大器进行了系统总结。采用电流
3、源C类功率放大器模型，推导出功率放大器的效率、漏极电流的频谱、输出功率与导通角θ的关系，并用于指导功率放大器设计。其次，对基于CMOS工艺的射频C类功率放大器进行研究，并设计出一个中心频率2.4GHz的C类功率放大器。考虑输出功率、功率增益和效率要求，并针对CMOS工艺晶体管击穿电压低和跨导能力有限等缺点，采用单端两级拓扑结构，使用共源共栅和输出级的输入谐振网络等电路设计技术，提高了功率放大器的性能。最后，基于TSMC0.35μmSiGeBiCMOSRF工艺，采用Cadence的SpectreRF进行电路仿真和版图设计。仿真结果表明，在使用片上电感后，输
4、出功率达到24dBm，功率增益为24dB，功率附加效率达到34%。关键词：射频集成电路C类功率放大器CMOSIAbstractAbstractPoweramplifier(PA)istypicallythemostpower-hungryandlargestblockofradio-frequency(RF)transceiver,whichmainlydeterminesthecost,thepowerandthesizeofthetransceiver.Inordertomeettherequirementsoflowcost,lowpowerand
5、smallsize,RFtransceiverneedsaCMOSpoweramplifier.Thisthesispresentstheoreticalanalysis,thedesignandthelayoutofRFClassCPAinCMOStechnology.Firstly,thedifferentkindsoflinearpoweramplifiersandnon-linearpoweramplifiersarebrieflyintroduced.Then,usingcurrent-sourceClassCamplifiermodel,th
6、edraincurrentharmonics,theefficiencyandtheoutputpowerversustheconductionanglearepresented,respectively.ThedesignoftheClassCamplifierwillbenefitfromthistheoreticalwork.Secondly,thelimitationsoftheCMOStechnologyforpoweramplifiersareproposed;includingthesmallbreakdownvoltage,thesubs
7、trateissuesandthelowqualityfactor(Q)spiralinductor,etal.Thirdly,thedesignofthesingle-endedtwo-stageClassCamplifierisstudied.CircuittechniquesusedtocombatthetechnologylimitationsimposedbyCMOStechnologyincludingthecascodestructure,theinputtuningoffinalstageandthepassivemagnificatio
8、n.A2.4-GHz,24dBmCMOSPAisdesignedinTSMC0.
