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时间:2019-01-31
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1、博士论文纳米ZnO复合薄膜制各与光学特性研究摘要ZnO是重要的II一Ⅵ族半导体氧化物,属宽能隙直接带材料,因其激子结合能(60meV)比GaN(25meV)、ZnSe(22meV)高,能有效工作于室温(26meV)及更高温度,而且光增益系数(300cm‘1)高于GaN(100clIld),使得ZnO迅速成为短波长半导体激光器材料研究的国际热点,相关文献在Nature、PhysicalReviewLetters、AppliedPhysicsLetters等著名刊物上屡见不鲜,例如意大利著名教授Wiersma在Nature上对ZnO随机激光器做了专题评论,
2、美国西北大学的H.Cao等在ZnO半导体粉末的荧光实验中观察到了随机激光辐射。·’为了寻求低成本制备高质量ZnO薄膜的方法并进一步探讨其在光电子器件中的应用,本文用Ti02及Si02作为缓冲层,利用电子束蒸发法制备了高质量的ZnO薄膜,成功地解决了ZnO薄膜与基底之间存在的晶格失配及热失配问题,并对其发光特性进行了研究。从理论上采用时域有限差分法(FDTD)分析了随机激光器中环形随机腔的谐振特性,并提出了适合随机激光系统的Maxwell.Bloch方程,研究了随机激光器的阈值及饱和模式数特性。研究发现,在石英玻璃基底上以Ti02为缓冲层生长的ZnO薄膜
3、,其晶体质量显著提高,实现了强的紫外光(UV)、强的紫光和弱的绿光的共发射;而在Si基底上同样采用Ti02作为缓冲层则成功制备了非晶态的ZnO薄膜,实现了非晶ZnO薄膜的高质量发光,从而降低了制备工艺要求,节约了生产成本;以非晶Si02作为缓冲层,在Si基底上采用保温处理的方法制备了高质量的ZnO薄膜,观察到了稳定单一紫外发光的新现象,使得其在光电子器件,特别是在紫外发光器件及紫外激光器中存在广阔的应用前景;线偏振光在ZnO薄膜背散射方向存在退偏振行为,同时发现其存在最佳退偏振角,等于对应的有效布儒斯特角,为研究无序系统中的多散射行为提供了一定的参考;
4、得到了随机激光器中环形随机腔的构成、形成条件以及模式特点,为随机激光器的设计提供了一定的理论基础;通过时域有限差分法对Maxwell.Bloeh方程的求解,得到了随机激光器中光的局域模式和饱和模式数等,为随机激光器的振荡频谱分布研究提供了有价值的参考。关键词:氧化锌薄膜,缓冲层,电子束蒸发,光致发光,随机激光,时域有限差分法,Maxwell.Bloch方程博士论文纳米ZnO复合薄膜制各与光学特性研究ABSTRACTZincoxide(ZnO)isanimportantII—VIsemiconductoroxidewithwidebandgap.Itse
5、xcitonbindingenergy(60meV)islargerthanthatofGaN(25meV)orZnSe(22meV).Itisabletoworkeffectivelyatroomtemperature(26meV),andevenathighertemperature.Itsgaincoefficient(300cm"1)islargerthanthatofGaN(100cm以).’nlepropertiesofZnOasabovestimulateawideresearchinterestinthestudyofshortwave
6、semiconductorlasermaterial.PapersaboutZnOareaboundinginfamouspublications,suchasNature,PhysicalReviewLettersandAppliedPhysicsLetters.ProfessorWiersmahastokenaspecialtopicaboutZnOrandomI缸由inNature.ProfessorCaohasobservedtherandomlasingofZnOsemiconductorpowderatthefluorescenceexpe
7、riment.Inordertofindhigh-qualitylow-costZnOfilmpreparativemethods,andfurtherstudyontheapplicationsofZnOinoptoelectronicdevices,high-qualityZnOfilmshavebeendepositedusingTi02andSi02bufferlayersbyE-beamevaporation.Thelatticemismatchandthermalmismatchweredecreasedbyusingbufferlayer
8、.AndtheluminescencecharacteristicofZnOfilmWasst
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