电工学下册复习提纲

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1、电工学下册复习提纲9.1.1本征半导体就是完全纯净的具有晶体结构的半导体。在外电场作用下，形成电子电流和空穴电流。9.1.2N型半导体：自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子。P型半导体：空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子。9.1.3PN结及其单相导电性：当在PN结上加正向电压，PN结形成较大的正向电流。PN结呈现低阻，处于导通状态。当在PN结上加反向电压，PN结形成很小的反向电流。PN结呈现高阻，处于截止状态。9.2.1二极管有点接触型、面接触型和平面型三类。1）点接触型二极管，结面积小，通过电流小，但高频性能好。一般适用

2、于高频和小功率的工作也用作数字电路中的开关元件。2）面接触型二极管，结面积大，可通过大电流。一般用作整流。3）平面型二极管，可作大功率整流管和数字电路中的开关管。9.2.2二极管的主要参数：最大整流电流ＩOM；反向工作峰值电压URWM；反向峰值电流ＩRM。9.3.1稳压管的正常工作状态必须满足的条件：（1）必须加反向电压，且反向电压的大小必须大于稳压管的稳压值UZ。（2）必须串联限流电阻，其值要使稳压管的电流小于稳压管的最大稳定电流IZM。9.3.2稳压二极管的主要参数：稳定电压UZ；电压稳定系数αU；动态电阻rz；稳定电流IZ；最

3、大允许耗散功率PZM；9.4.1晶体管有NPN型和PNP型之分。晶体管可分成三个区：发射区，基区，集电区。构成两个PN结：发射结，集电极。9.4.2晶体管的三种工作状态：放大状态、饱和状态、截止状态。放大状态：发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。饱和状态：发射结处于正向偏置，集电结也处于正向偏置。截止状态:发射结处于反向偏置，集电结也处于反向偏置。9.4.3晶体管输出特性的四个区域：放大区、饱和区、截止区、过损区。9.4.4晶体管的质量参数：电流放大系数β、集—基极反向截止电流ICBO、集—射极反向截止电流ICEO。9.4.5晶

4、体管的极限参数：集电极最大允许电流ICM、集—射极反向击穿电压U(BR)CEO、集电极最大允许耗散功率PCM。9.5.1光电器件：发光二极管、光电二极管、光电晶体管。10.1.1共发射极放大电路的组成，各元件（晶体管，集电极电源电压，集电极电阻，偏置电阻，耦合电容）的作用。信号源和负载电阻是放大电路的外部元件。10.2.1放大电路中电压和电流的符号意义：字母和下标的大小写的意义。10.2.2掌握交流放大电路的直流通道，确定静态工作点。10.2.3掌握交流放大电路的交流通道，晶体管的微变等效电路，交流放大电路的微变等效电路，计算晶体管

5、的输入电阻rbe，放大电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。电路元件参数的变化对输入电阻rbe，放大电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻的影响。10.2.4放大电路的非线性失真，饱和失真，截止失真与晶体管工作点的关系。10.3.1分压式偏置放大电路，能稳定静态点。10.3.2工作点稳定的物理过程：VB不变温度TICVEUBEIBIC10.3.3分压式偏置放大电路，静态和动态的分析，根据放大电路的微变等效电路，计算晶体管的输入电阻rbe，放大电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。10.4.1射极输出器的主要特点是：电压放大倍数接

6、近1；输出电压与输入电压同相；（又射极跟随器）；输入电阻高；输出电阻低。10.4.2输入电阻高，常作多级放大电路的输入级；输出电阻低，常作多级放大电路的输出级，提高放大电路的带载能力。10.4.3射极输出器的静态和动态分析。10.6.1电压放大与功率放大的区别：电压放大：晶体管工作在小信号状态，其功能是输出足够大的电压，并保证电压不失真。功率放大：晶体管工作在大信号状态，其要求是输出足够大的功率。10.6.2对功率放大电路的基本要求（1）在不失真的情况下能输出尽可能大的功率。（2）考虑信号的失真及晶体管的安全问题。晶体管工作的动态范

7、围大，工作在晶体管特性曲线的非线性区。晶体管在极限状态下工作，要考虑到晶体管的极限参数（PCM，ICM，U（BR）CEO），保证晶体管的安全，避免热击穿而损坏。（3）由于功率较大，就要求提高效率。即提高负载得到的交流信号功率与电源供给的直流功率之比。10.6.3功率放大电路的三种工作状态。静态工作点的特点。（1）甲类工作状态（2）甲乙类工作状态（3）乙类工作状态10.6.4功率放大电路有三种工作状态，设置不同的静态工作点的目的是提高电路的效率。10.6.5交越失真：它属于非线性失真。它是两个晶体管交替导通或截止时，输入特性的死区引起

8、的。10.6.6OTL电路和OCL电路的区别是：OTL单电源，大电容输出信号；OCL正负电源，输出信号不用大电容。11.1.1集成运算放大器的电路组成：输入级、中间级、输出级和偏置电路。11.1.2理想运算放大器的条件：1）开环电压放