1053nm高速窄线宽激光器

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1、重庆邮电大学硕士学位论文1053nm高速窄线宽激光器姓名：张一文申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：廖柯20060520摘要由于半导体激光器体积较小并且调制方便，因此在某些高速相干通信系统中，具有很高调制带宽和窄线宽的1053nm半导体激光器可以取代固体激光光源。本论文详细论述了1053rim高速窄线宽半导体激光器的研制过程．进行了调制带宽、量子阱和应变量子阱，条形结构、线宽。外腔和光纤光栅的理论分析。给出了激光器的具体设计过程。为了提高1053rim激光器的调制带宽和压窄其线宽，，我们进行了如下工作：根据要求选择渐变折

2、射率分别限制异质结的InGaAs／GaAs单量子阱激光器结构；计算有源区的厚度和In组分以及其它外延层的材料参数；根据薄膜光学的原理设计单层增透膜和多层高反膜；为获得窄线宽设计了均匀光纤光栅；在研究过程中不断优化工艺，如脊形波导制作、欧姆接触、键合、与光纤耦合等；设计了激光器的高频封装。通过反复实验，最终我们得到了性能优良的器件。关键词：调制带宽，窄线宽，量子阱，应变量子阱，光纤光栅，脊形波导。封装重庆邮电大学硕士论文AbstractInsomehi曲speedandcoherentcommunicationsystemssemicond

3、uctorlasersemitatthewavelengthof1053nmwithhi曲modulationbandwidthandoalTowlira-width咄replacesolid-statelaser$our∞sbecausetheyaresmallerando[1m1beeasilyⅡ叮dIn劬。正Inthispaper,aprocedureofthe1053nmsemiconductorlaserwithhighspeedandBarrowline-widthisdescribeAindetail．First,theor

4、eticalanalysisaboutmodulationbandwidth,quantumwellandstrainedquantumwelLstripestrgctmesspe删line-widthexternalcavityandfibergratingisintroduced．1kll，thedesignprocessofthelaserisgivca．Inordertoimprovemodulationbandwidthandna!Towline-widthofl053nmsemiconductorlaser,ourworkha

5、sbeendone嬲follows：selectGRIN．SCH(grade-indexsepatatc-confinemcmhetarostnwture)andlnGaAs／GaAs咖ge·waveguidestrainedsingle-quantum-wellstructureaccordingtottherequirement=calculatcthickness,Inmolefractionofactiveregionandmaterialparametersofotherepitexiallayers：designsingle-

6、layerantireflectioncoatingandmul垃．1ayerhigh-mflectivitycoatingaccordingtothetheoryofthin-filmopticstdesignnn语ornlfiberstatingtoachievenarrowline-width；designandoptimizethetechnologicalpro∞鹞such越thefabricationofridgewaveguide，ohmeontecttb0删ngandcoupledtofiberunderexistingt

7、echnologicaleqIlipm锄tcondifiom：designthepackageofm#-speedlasers．Atlastthroughrepeatedexperiments,testresultsshowweobtaineddeviceshavegoodp曲m锄∞．Keywords：Modulationbandwidth，Narrowline-width，Quantumwell，SuvinedquanUnnwell，Fibergrating，mdgewaveguide，PackageⅡ独创性声明本人声明所呈交的学位论文

8、是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得重废噬电去堂或其他教育机构的学位或证