az31镁合金微弧氧化膜制备工艺的研究

《az31镁合金微弧氧化膜制备工艺的研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、江苏大学硕士学位论文摘要本文以提高镁合金的耐磨性和耐腐蚀性为目的，研究了AZ31B镁合金的微弧氧化工艺。分别探讨了以硅酸盐、磷酸盐为主要成膜剂的电解液以及多种辅助剂对镁合金进行表面微弧氧化处理的影响。通过正交试验的分析确定了微弧氧化电解液的最佳配比浓度，研究了微弧氧化电参数对AZ31B微弧氧化的影响并结合镁合金微弧氧化膜层的表面形貌、相组成、膜层厚度、结合力及耐腐蚀、耐磨性能等检测结果进行了理论分析。研究结果表明，以硅酸盐为主要成膜剂，加入氟化钠、氢氧化钾和甘油等辅助剂之后，较仅采用单一成膜剂时形成的微弧氧化膜层性能有明显的提高。主要表现在镁合金在较短时间内可以稳定起弧，微弧氧化膜层表面

2、平整，孔径较小且分布均匀，使膜层的结合力以及耐腐蚀性能也得到显著的提高。对于AZ31B镁合金而言采用恒压模式进行微弧氧化，由于在反应过程中电压逐渐下降，使得膜层的性能与质量较难控制。如在恒压控制模式下加以适当的负向电压，便可使AZ31B在较高且较平稳的电流密度下进行微弧氧化处理，使得膜层的厚度和耐腐蚀性能都得到了一定的提高。关键词：镁合金，微弧氧化，膜层，负向电压，耐腐蚀性能江苏大学硕士学位论文ABSTRACTInthispaper，magnesiumalloyofAZ31Bwasstudiedseparatelyinasilicate，phosphateasthemainfilmint

3、otheelectrolyteofmagnesiumalloysamplesweremicro—arcoxidationtreatment，andresearchonavarietyofauxiliarymagnesiumalloymicro-arcoxidationprocess，thebeRertheresponsetodeterminetheeffectoftheelectrolytebetteraftermicro-arcoxidationpowerofthemodelindetail，inparticulartothenegativevoltageonthemicro—arco

4、xidationprocesstodoallin-depthstudy．Testsofmagnesiumalloymicro-arcoxidationfilmofthesurfacemorphology，phasecomposition，thickness,bondingstrengthandcorrosionresistanceCanbetested．Theresultsshowthatthechoiceofelectrolyteinthemainintosilicatefilmatthesametime，addsodiumhydroxide，potassiumhydroxideand

5、glycerolonmicro-arCoxidationfilmhasamoresignificantimpact，notonlymagnesiumalloyspecimensarcinarelativelyshorttimesince，greatlyreducingthemicro—arcoxidationofreactiontime，butalsothroughtheobservationofsurfacemorphologyfoundthataftertheformationofmicro—arCoxidationofthefilmformationandmoresmallerap

6、erture，thusthecombinationoffilmandcorrosionresistancearemoresignificantimpactonperformancehasbeenenhanced．Atthesametime，thisarticleinthewayofmicro-arCoxidationpowerofthestudyfoundthatinthepreviousstudyusedtheconstantpressuremodeloftheimpactofthesurfacelayerhasalargerlimit，becausetheprocessofvolta

7、geinresponsetothefilmbroughtaboutagradualdeclineinthesignificantnegativeeffects，theeffectoffilmSOfarfromideal，butatthesametimeatconstantpressureprocessmustbegiventothenegativevoltage，canbehi．ghandstablecurrentdensityof