cvd法sb掺杂sno_2薄膜的制备、性能及应用研究

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1、浙江大学硕士学位论文摘要本论文全丽介绍了节能镀膜玻璃，特别是低辐射镀膜玻璃的发展概况、节能特性、原理、低辐射膜的种类以及常用的誊4各方法等，并总结褥出高掺杂宽禁带半导体材料魏sn鸥等以其撬良的光龟性能、低潦的原糨价格和方便懿铡备工艺，能够成为经济性节能镀膜玻璃的主露膜层原料。常压化学气相沉积法以其设备简单、成本低、易实现大面积镀膜等优点成为一种很有应用潜力的制各SnO。薄膜的方法，在镀膜玻璃的工业化生产中裔广阔的应焉兹景。经过大羹的文献查阅和前期研究工作基础上，本文提出良金属有梳钫qHgSnCl。(单丁基三氯化

2、锡，MB‘re)和SbCl，为先驱体，采用常压热分解化学气相沉积法制备Sb掺杂Sn02透明导电薄膜，运用XRD、SEM、TEH、XPS、四探针电阻仪、紫外可见光谱仪等手段对割各戆薄膜样黠进行了测试和分耄蓐。其典型样品的薄膜浮菠为228nm、方抉电阻为46Q／n，霹觅光区平均透射率和及射率分别为65器和12％，红外反射率为48％(3000nm处)。文章系统研究了基板温度、沉积时间、Sb掺杂最、催化剂H。O用量等制备参数对Sn02薄膜绐构、组成和光电性能的影响。采用鬻压热分解CVD法制褥的sn02簿貘均为靼方硼会红

3、石型维擒的多器薄膜。陡羞纂摄濑魔戆提高、沉积时黼舱延长和催化剂H。O用量的增加，薄膜厚度随之增加，薄膜内部晶粒发育逐渐趋予完整，颗粒长大，晶界减少，能获得结晶性能较好的薄膜，薄膜的光电性能也随之改善。但是薄膜厚度的增大和掺杂浓度的提高会恶化膜面的平熬度，同时过鬣的掺杂也会影醺薄袋豹结晶性能。薄膜的罨电性能实验表明未掺杂的Sn噬薄膜隧裁缺位施主导电为主，适量的sb掺杂(约5wt％)能显著提离薄膜的导电性能，并保持较高的可见光透射率和较低的反射率，过量的掺杂由于掺杂离子对电子的杂质散射作用，使得薄膜的导电性能反面降

4、低。薄貘的红外反身寸谯麓与薄膜鲍载浚子浓度积迂移率有密切关系，只寿提离薄膜驰载滚子浓度和迁移率，降低薄膜貔方块电阻值，才能大幅摄藏薄膜的红外反射率。在以上实验室研究基础上，结台节能镀膜玻璃的应用背景，成功实现了Sb掺杂SnO。薄膜(ATO薄膜)和F掺杂SnOz薄膜(FTO游膜)的复合，制备了漾具阳光}濒江大学硕士学位论文控割和低辗射憔麓、使瘸范盈更为广泛的新型阳光控铡低辐射镀膜玻璃，嚣Stm—E玻璃。通过对其光学性能和化学稳定性分析，可以认为在普通玻璃上沉积该复合膜后，能在保持较高的可见光透射率和较低的反射率基

5、础上，提高玻璃的隔热性能，具有很好的节能效果。关键词CVD、Sn鹋薄膜、红外反辩、低辐射镀膜玻璃】l浙疆夫学砸±学位论文ABSTRACTInthispaperacomprehensiveintroductionofenergysavingcoatingglass，especiallytowemission(Low—E1coatingglasshasbeengivenincludingthedevelopment，energysavingcharacteristic，typesandpreparationmeth

6、ods．Itshowsthathi曲lydopedwideenergygapsemiconductors(e．g．Sn02)haspromisingprospectasthefilmmaterialofeconomicalenergysavingcoatingglassbecauseofitsexcellentopticalproperty,cheapcoatandeasinesstohandle．Theatmosphericpressurechemicalvapordeposition(APCVD)techn

7、iquehasagreatapplicationpotentialtobeamethodtopreparedtheeconomicaltinoxidefilmsforitssimpleequipment，inexpensiveandsuitableformassproduction．UsingmetallorganicsC4H9SnCl3(MBTC)andmetalsaltsSbCl3asprecursors，antimonydopedtinoxidefilmswithgoodopticalandelectri

8、calpropertieshavebeendepositedbytheAPCVDmethod．ThefilmswerecharacterizedbymeansofXRD，SEM，TEM，XPSandUV-VIS-NIRspectroscopyandsoon．低film’sthicknessisabout228nm，thesheetresistancecanreach46D／D，thea