低温烧结pmspzt压电陶瓷性能及工艺研究

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时间:2019-02-14

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1、中文摘要采用传统的固相法制备了yPb(Mnu3Sb2/3)03一(1一y)PbZr。Til.。03+zwto%Si02fPMS—PZT)---元系压电陶瓷,其中x=O.485"~0.515,y=O.03~O.09,z=O.05~0.30,通过添JJl]Si02以降低烧结温度,改善材料的介电压电性能。通过x射线衍射(XRD)对合成后材料的物相进行分析,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品表面的显微结构,讨论了准同型相界附近组成对陶瓷的相组成、显微结构和介电压电性能的影响,并讨论了Si02掺杂量对其结构和性能的影响。通过研究Zr/Ti比和第三组元PMS含量对PMS.PZT性能的影

2、响发现:三方相和四方相共存的准同型相界位于一个较宽的组成范围内,且随着Zr含量和PMS含量的增加,四方相向三方相转变,居里温度降低。适量掺杂Si02可以降低烧结温度,提高致密度,能获得性能较佳的压电陶瓷。结果表明,当Zr含量x=0.495和PMS含量y=0.05时,加入0.10wt%的Si02,在1100。C烧结且保温2h的条件下,得到综合性能优良的压电材料:相对介电常数占毛居。=1290,介电损耗tani5=0.4%,压电常数d33=265pC/N,机电耦合系数‰=O.59,机械品质因数Qm=310,居里温度T。=320℃。在此基础研究了烧结工艺和极化工艺对陶瓷介电压电性能

3、的影响。烧结温度对O.05Pb(Mnl/3Sb2/3)03~095PbZr0.495Ti0.50503+0.10wt%Si02压,电陶瓷性能有重要的影响,保温时间对该体系的性能影响较小,烧结温度在1100℃~1150℃较宽范围内且保温时间为2h时,得到综合性能较佳的压电材料。研究了极化工艺对该三元系压电陶瓷性能的影响,确定的最佳极化条件为:3.5kV/mm的场强下,在120℃硅油中极化30min。关键词:压电陶瓷PMS—PZT低温烧结介电压电性能准同型相界ABSTRACTyPb(Mn_I/3Sb2/3)03-(1一y)PbZrxTil.x03+zwt%Si02(PMS—PZT

4、)ternarypiezoelectricceramicswithx=0.485~0.515.y=0.03---0.09andz=0.05~0.30werepreparedbyconventionalsolidsolutionmethod.ThesamplesweregainedbyaddingSi02inordertodecreasethesinteringtemperatureandimprovethedielectricandpiezoelectricproperties.TheX—raydiffraction(XRD)andthescanningelectronicm

5、icroscope(SEM)wereappliedtoanalyzephasesandmicrostructurerespectively.TheeffectsofZr/Tiratio,contentofPMSandSi02seal-themorphotropicphaseboundary(MPB)ofthesystemonthephases,microstructureanddielectricandpiezoelectricpropertieswerealsodiscussed.ThestudyonthepropertiesofthesystemPMS-PZTwithdi

6、fferentZr/TiratioandPMScontentindicatesthattheMPBofthetetragonalandrhombohedralphaselieinabroadcompositionregion.IncreasingZr/TiratioandPMScontentshiftscompositionsawayfxomthetetragonalphaseacrosstheMPBtowardtherhombohedralphaseandreducestheCurietemperature.Thesinteringtemperaturecanbelowed

7、andhighdielectricandpiezoelectricpropertiescanbeobtainedwithproperadditionofSi02.Theoptimumpropertiescanbeobtainedwithx=0.495,y=0.05andadditionofO.10wt%Si02atsinteringtemperatureof1100*Cwith2hours.Themainparameters:占三/占o=1290,tanS=0.4%,d33=265pC/N,K;=0.5

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