项目计划书-苏州东大科技园发展有限公司

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1、苏州远创达科技有限公司介绍苏州远创达科技有限公司是一家外商独资的高科技公司，其控股公司注册于香港和开曼群岛。公司由海归人士创立，于2008年8月在苏州独墅湖高教园区成立，主要从事设RFLDMOS射频半导体器件的设计、制造与销售，拥有自主知识产权，是国内唯一一家从事LDMOS射频半导体器件设计与制造的公司。我们公司的技术能力是能实现工作频率高至5GHz，输出功率达到500W的单一射频功率器件产品。主要应用领域是GSM/CDMA移动基站，以及WCDMA、CDMAEVDO和TD-SCDMA移动基站以及相应直放站，小基站的射频应用，还有WiMax领域，除此之外还广泛应用于军事、ISM(工业、科学、医

2、疗）、广播、商业航空电子设备和非蜂窝通信设备之中等。本公司在基于LDMOS技术的高效率、高功率射频放大器的产品技术拥有多项专利，包括：公司专有的基于硅工艺的高功率FET技术、超薄晶片60um技术（可高效垂直散热）、可调节带宽的硬件平台技术（具有高效率的线性特性）、在OFDM上增强耐用性技术等。公司研制生产的LDMOS射频分立器件、IC和射频Module具有以下一些特点：n公司专有的基于硅工艺的高功率LDMOS技术n在高数据速率应用上增强耐用性的技术n高功率下高效率散热的技术n可调节带宽的硬件产品平台n与国内客户联合做器件和模组的产品整合n频率范围450MHz-3.8GHz，输出功率10W-3

3、00W的单一器件产品n与国内的科技园与大学研究平台合作可降低研发成本在产品推出的时候，公司将发布基于LDMOS硅技术和GaAsMMIC的高效率、高功率射频放大器关键的产品技术和自有专利，包括：n公司专有的基于硅工艺的高功率FET技术专利n超薄晶片(60um)技术，可高效垂直散热n可调节带宽的硬件平台技术，具有高效率的线性特性n在OFDM上增强耐用性的技术n计划在2008年底之前发布4项功率FET半导体技术专利和3项电路专利在中国的主要竞争对手是Freescale飞思卡尔，而公司的竞争策略和优势如下：n亚洲第一家高频率、高功率半导体器件制造商和产品集成厂家n运营于大中华地区，具本地技术力量、自

4、有知识产权，更直接地为客户服务n在大中华地区与华为、中兴通讯、鸿海或MTK等企业建立战略伙伴或策略投资伙伴的关系，使我们可以在商务和产品制造方面得到增强n为大中华地区3Gh和新兴产业的客户提供领先的技术和价格具竞争力的半导体产品。n灵活开创性的商业模式，客户化的设计理念，与重要客户一起做产品设计集成，以在公司和客户之间达到解决方案和成本上的双赢n为新兴的市场需求做客户化的设计集成n有灵活的产品制造和测试策略n与国内知名大学建立合作平台，节省项目开发资源，培训和招募有天分的人才附：苏州远创达公司负责人马强先生简介马强于1990加入摩托罗拉半导体产品部，从事无线通信RFPower器件设计。从19

5、96年至2001年，作为无线结构部门经理，负责RFPower半导体工艺发展。2001年加入爱立信微电子，作为工艺技术主管和战略合伙人，负责RFPower半导体技术的研发。2002年随着爱立信微电子和Infineon的合并，成为InfineonSemiconductor技术部主管(DirectorofTechnology)。马强先生的专长在于：nRFPower射频高功率半导体技术n器件的物理学和工艺流程设计nRFPower的集成电路设计nRFPower器件在客户系统中的工程应用n对半导体技术，如LDMOS、GaAs，有很高的认知、熟悉晶圆制造业，在Wafer制造过程和晶圆厂的产能方面有丰富经验

6、马强先生是RFLDMOS功率半导体技术的领导者，成功地领导了开发团队，经过工艺流程、产品化和操作等工程技术的整合，创造了顶尖的LDMOS半导体技术和产品平台，使得Motorola、Ericsson和Infineon这几家大公司在RFPower半导体技术和产品上处于世界领先的地位。n在RFPower半导体业界被视为顶尖的专家；n领导过超过20名工程师的RFPower研发团队n管理400万美金/年的研发预算n制定技术策略并负责Ericsson和Infineon的32VLD9、LD8/GM8、LD8IC和GM7（第七代技术）的研发（2001-2008年）n负责GM8/LD8/LD8IC产品从6英寸

7、到8英寸制造工艺的技术转移（2005-2007）n领导了GM7（第七代技术）从瑞典工厂到德国工厂的技术转移（2001-2002）n领导Motorola的研发和工程团队开发了28V的HV4和HV5功放，应用于基站（1997-2000）n领导Motorola的半导体研发和工程团队，开发了3.6V的3.6VLV1,LV1.5,LV2,LV3和LV4功放，用于手机终端（1994-2000）n对MotorolaRFPo