纳米与集成电路的发展

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1、纳米尺度CMOS集成电路关键技术研究分析研究课题选择数据库根据课题需求以及校园网资源情况，本课题选用下列数据库:查找中文文献信息数据库。中国期刊全文数据库中国博士学位论文全文数据库维普中文科技期刊数据库屮国知网CNKI信息资源检索系统中国学术期刊网络出版总库查找外文文献信息数据库。专利文献信息数据库。确定检索式检索点：屮文：题名或关键词：关键词；主题；标题；文章题目外文：检索词.屮文：纳米；COMS；集成电路。外文：Namomctcr；COMS；IntegratedCircuit(IC)n.构建检索式。中文：纳米ANDCOMS;纳米AND集成电路外文：NamometerANDCOMS；N

2、amometerANDIC记录检索结果利用上述数据库，使用不同的检索项进行检索，并按照课题需求，对检索结果进行判断，筛选记录切题文献。中文文献信息检索1.中国期刊全文数据库（http://211.70.251.6/kns50）检索步骤检索过程：使用高级检索检索项检索词逻辑主题纳米主题集成电路并且关键字纳米并且篇名研究并且关键字集成电路并且进入学校图书管一一网络数据库一一中国期刊全文数据库一一高级检索检索结果：得到19条记录，摘录其屮2篇文摘《适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究》【文摘语种】屮文【论文页数】起止页码：959-967【论文题名】适于纳米尺度集成电路技术的双栅

3、/多栅MOS器件的研究【论文作者】黄如【作者专业】信息科学【授予单位】北京大学微电子学研究院【刊名】中国科学【作者单位】北京大学微电子学研究院；北京大学微电子学研究院北京；【文献出处】中国科学（E辑:信息科学）,ScienceinChina（ScricsE:InformationSciences）,编辑部邮箱2008年06期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览ASPT来源刊CJFD收录刊【基金】国家自然科学基金（批准号:60625403）;;国家重点基础研究发展规划（批准号:2006CB302701）;;韩国三星电子公司合作项目资助[DOI]CNKI:SUN:JEXK.0.2008-06-01

4、2【关键词】纳米CMOS器件；双栅器件；围栅器件【屮文摘要】随着集成电路的发展，器件尺寸进入纳米尺度领域，器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题，从可集成性考虑，基于由上而下途径，从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型非对称梯度低掺杂漏垂直沟道双栅MOS器件以及新型围栅纳米线MOS器件的研制及特性分析，为下儿代集成电路技术的器件研究提供良好的思路.《纳米CMOS集成电路设计技术和发展趋势》【文摘语种】中文【论文页数】起止页码：1031J035【论文题名】纳米CMOS集成电路设计技术和发展趋势【英文篇名】DesignandDevelopmentofNanoCMOSIC【论文作者

5、】戴宇杰【刊名】中国科学【作者单位】天津南大强芯半导体芯片设计公司【文献出处】微纳电子技7^,MicronanoelectronicTechnology,编辑部邮箱2007年12期【英文关键词】nanometerCMOSIC;SOC;designingtechnique;developmenttrend;[DOI]CNKI:SUN:BDTQ.0.2007-12-002【关键词】纳米CMOS集成电路；系统集成芯片；设计技术；发展趋势；【中文摘耍】论述了日美等国纳米CMOS集成电路半导体制造工艺的现状和发展趋势，分析说明国外半导体制造技术的战略和发展状况;结合90nmCMOS工艺设计的超大规

6、模SOC芯片的实践，对纳米CMOS集成电路设计技术进行分析;阐述SOC设计面临的技术难题，并对今后的发展趋势进行了预测。【英文摘要】ThecurrentsituationanddevelopmentofnanometerCMOSICsemiconductormanufacturingengineeringinJapan,USAandothercountrieswereinvestigated,andananalysisofthestrategy,cun-enttechnologysituationofsemiconductormanufacturinginthesecountrieswe

7、remade.ThedesigntechnologyofnanoCMOSICwasillustrated,byimplementingthe90nmCOMSULS（ultralargescale）SOC.Finally,thetechnologyproblemsofSOCdesigningweretreated,andthedevelopmenttrendwasforecast.【DOI]CNKI:SUN:BDTQ.0.2007-1