真空离子镀代替电镀技术及国内外现状

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1、中国咛波海峡两岸表面精饰循环经济研讨会论文集2007年10月表4关于三价铬镀层与六价铬镀层的表面形态、物理特征三价铬层六价铬层1、三价铬理论上为非晶态沉积,表面应无六价铬层表面有裂纹裂纹,实际上每一2有数百个微孔2、阴极电流效率m。22%,较高,镀层中夹阴极电流效率低,q-;13%,析氢量大,镀杂有一定的碳和氧.不存在相结构转变层中氢含量高,存在相结构转变3、耐腐蚀性一般来说,三价铬层比六价铬层更不容易被腐蚀。但是一旦遭腐蚀,三价铬的腐蚀速率比六价铬更快。因为六价铬的裂纹能起到分散腐蚀电流的作用。4、

2、结晶取向:三价铬择优取向为(110),晶面六价铬择优取向为(111),晶面仍为Bcc为Bcc(体心立方结构),晶粒尺寸为30-35A5、欧美三价铬镀液,用于生产已有相当规模,仅北美就有125家公司、25万升三价铬镀液。工业生产中,三价铬出现裂纹一事,美国专利usP4804446认为是由于crcl,的共沉积引起的,这会导致镀层体积膨胀,导致在基体表面镀层产生应力,从而出现裂纹。在crcb共沉积过程中伴随着铬的沉积和析氢。在这一过程中会产生裂纹和针孔。6、三价铬层的显微硬度随温度升高而增大;随电流密度增大

3、而减小。真空离子镀代替电镀技术及国内外现状陈宝清1、黄龙2一、董闯1、陈大民。、冯玉国31大连理工大学、2东北大学、3大连远东真空技术有限公司摘要:电镀在工业中应用已久,但由于在电镀过程中有三废排放对环境污染严重,需大量投资治理又难根治,同时电镀过程产生六价铬及电镀层中镍、镉元素是致癌物质对人体有害。大连理工大学陈宝清教授等人1980年立项从事钢铁件、黄铜件、铝合金、锌基合金的《真空离子镀替代电镀》课题研究.至今已有二十余年现已取得很好成果:①离子镀中间层合金+离子镀铬(呈银白色)②离子镀中间层合金+

4、离子镀钛(或锫)+离子镀金+离子镀透明陶瓷保护膜(呈金黄色)。彻底解决电镀的缺点。现已申请中国发明专利。《真空离子镀替代电镀》势在必行。可以向社会提供技术及专用设备。关键词:电镀:真空离子镀;中间层合金1电镀与离子镀工艺子镀工艺过程。以金属基材表面镀铬为例.来了解电镀及离1.1电镀工艺中国咛波真空离子镀代替电镀技术及国内外现状20昕年10月材料超声波清洗一含氰化物电镀铜底层一镀镍或钯,镍合金一镀铬:特点:(1)有三废排放,污染环境,需投资治理但叉难根除。(2)有六价铬、镍是致癌物质。(3)使用氰化物,

5、有剧毒,危及人们生命。1.2离子镀工艺材料超声波清洗一装入真空炉抽真空一真空溅射清洗一镀中间合金一镀铬;特点:(1)不用酸、碱、盐及液态物质,而在真空条件下各工序一次完成,在加工过程中没有三废排放,不污染环境,不需治理环境投资。(2)生产过程中不产生六价铬,也不用镍(易引发皮肤癌),对人体无害。(3)不使用剧毒氰化物。2我国电镀情况及环保法令2.1我国电镀情况据统计,每年因腐蚀而报废的钢材及其制品约占全球年钢产总量的四分之一,而电镀可大大减少这种腐蚀报废。《电镀》是一项传统零件表面涂覆技术,又称为湿式

6、镀法。电镀由于设备简单,工艺易于掌握,容量大,所以应用面极广,深入到各个领域,电镀已有上百年历史,在传统的机械、轻工制造业等领域起着重要的配套作用;但电镀操作过程有三废排放(废物、废液、废气),对环境污染严重,电镀铬过程有六价铬产生和使用氰化物是剧毒致癌物质。我国电镀工厂叉多又分散,以中小型为主,加上近几年周边地区和国家又将电镀工厂相继迁移到大陆,虽然国家早有规定:不再批准建立电镀工厂,对现有电镀工厂加以整顿,但有些电镀工厂转入到农村,偷着千“电镀”,所以我国电镀行业对环境污染更为严重,中国电镀企业己

7、达2万家,每年向环境排放大量污染物,至少包括:同体废物五万吨,酸性气体三千万立方米;含重金属离子废水四亿吨。电镀存在问题:(1)耗费大量的水、电、金属等宝贵资源。(2)电镀严重污染着我们的青山、绿水、蓝天。(3)电镀过程中产生有毒物质如六价铬,氰化物电镀等对人体有害。(4)电镀层中有镉、镍元素,易引起皮肤癌。《电镀》行业目前处在被限制、改造及有些电镀工艺需要取缔的状态。电镀行业目前国内用三价铬(c一)来替代六价铬,毒性降低,但成本升高,而对环境污染仍存在。2.2《电镀》面临挑战——清洁生产和环保指令(

8、1)欧共体wEEE《w鹊teElectricaI&Elec—tronicEquipment》(《关于报废电子电气设备指令》1,生效期:2005年8月13日。2005年8月13日以后,欧盟市场上流通的电气电子设备的生产商(包括其进口商和经销商)必须在法律意义上承担支付自己报废产品回收费用的责任。家电回收费用:冰箱为20欧元,洗衣机为lo欧元,空调为10欧元,微波炉为5欧元,其他小家电为1欧元。(2)欧共体ELvD《End-0f-【施vehicleDirec

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