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时间:2019-02-26
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1、分类号UDC论文题目密。级编号学校:10126学号:研究生:指导教师:专业:研究方向:2013年5月5日原创性声明1Y1111M213151111311111411111011111Y2351340本人声明:所呈交的学位论文是本人在导师的指导下进行的研究工作及取得的研究成果.除本文已经注明引用的内容外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得凼墓直太堂及其他教育机构的学位或证书而使用过的材料.与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意.学位论文作者签名:日期:指导教师签名:日期:\嵋
2、护矿挑弓,E.与在学期间研究成果使用承诺书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,即:内蒙古大学有权将学位论文的全部内容或部分保留并向国家有关机构、部门送交学位论文的复印件和磁盘,允许编入有关数据库进行检索,也可以采用影印、缩印或其他复制手段保存、汇编学位论文.为保护学院和导师的知识产权,作者在学期间取得的研究成果属于内蒙古大学.作者今后使用涉及在学期问主要研究内容或研究成果,须征得内蒙古大学就读期间导师的同意;若用于发表论文,版权单位必须署名为内蒙古大学方可投稿或公开发表.学位论文作者签名:主△室殂日期:型!墨:墨:§
3、指导教师签名:日期:抽;:5:5兰内蒙古人学硕士学位论文势垒对GaAs/A1xGal.xAs量子阱中杂质态结合能的作用及磁场影响摘要本文在有效质量近似下,从理论上研究势垒对GaAs/AIxGal.xAs量子阱中杂质态结合能的作用及磁场的影响,共分两个部分:第一部分,简要综述量子阱相关低维半导体材料中杂质态的研究历史及现状,并阐明本文的研究意义.第二部分,利用变分法讨论势垒对GaAs/A1xGal.xAs量子阱中杂质态结合能的作用以及垂直于界面方向磁场的影响,分别给出结合能随阱宽、垒厚、杂质位置、磁场强度变化关系,进而讨论磁场效应的压力影
4、响.并与无限深势阱量子阱和无限厚势垒量子阱两种情形的结果进行了比较.结果表明,在小阱宽下,有限高势垒时的结合能明显小于无限高势垒情形,但有限厚势垒时的结合能大于无限厚势垒情形.随着阱宽增加,三种情形下结合能的差异逐渐减小.磁场的约束显著地影响着杂质态结合能,其值随着外磁场的增大而单调增加.磁场作用下的结合能随压力单调增加.在以后的工作中,应考虑本文对势垒的修正.力关键词:有限厚势垒;GaAs/AIxGal.xAs量子阱;杂质态结合能;磁场;压内蒙古大学硕上学位论文EFFECTS0FPOTENTIALBARRIERSONBINDINGEN
5、ERGIESOFIMPURITYSTATESINGaAs/AIxGal.xAsQUANTUMWELLSANDTHEINFLUrENCEFROMMAGNETICFIELDSABSTRACTWithintheframeworkofeffectivemassapproximation,theeffectsofpotentialbarriersonbindingenergiesofimpuritystatesinGaAs/AlxGal.xAsquantumwellsandtheinfluencefrommagneticfieldshavebee
6、ninvestigatedtheoretically.Therearetwopartsinthisthesis.Inthefirstpart,theresearchdevelopmentandhistoryontheimpuritystatesinquantumwellsandrelatedlowdimensionalmaterialsofsemiconductorarereviewed.Themotivationofthepresentworkisclarified.Inthesecondpart,avariationalmethod
7、isusedtoinvestigatetheeffectofbarriersonbindingenergiesofimpuritystatesinGaAs/A1xGal.xAsquantumwellsandtheinfluencefromamagneticfieldperpendiculartotheinterfaces.Therelationsbetweenbindingenergiesandwellwidths,barrierthickness,impuritypositions,magneticfieldsaregiven,res
8、pectively.Furthermore,theirpressureeffectisdiscussed.内蒙古大学顺上学位论文Acomparisonwiththatofquantumwellswithin
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