模拟cmos集成电路设计复习题

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1、一、简答题（共55分，共3题）1.以N型MOSFET为例，进行相关分析。(19分)(a)根据漏极电流与漏源电压的关系曲线，划分出截止区，线性区和饱和区，并以表达式的形式给出各个区域的工作条件和电流表达式(10分)(b)结合具体表达式，分析体效应对电路相关参数的影响(3分)(c)结合具体表达式，分析沟道长度调制效应对电路相关参数的影响(3分)(d)给出亚阈值导电的条件，并分析亚阈值导电的特性(3分)____________学号题____________姓名密封线内不答____________班级____________学院——第1页—

2、—2.根据所示电路，分别判断电路反馈类型，并解释与分析相应判定依据。(16分)——第2页——____________学号3.基于N衬底、P阱CMOS工艺回答一下问题(20分)题(a)画出CMOS工艺下寄生PNPN效应的纵向剖面图(10分)(b)根据(a)中的纵向剖面图画出等效的自锁效应等效电路图(3分)____________(c)解释何为自锁效应，并给出自锁效应发生条件(5分)姓名(d)根据自锁效应发生条件，给出消除自锁效应的方法(2分)密封线内不答____________班级____________学院——第3页——二、计算题，

3、假设所有的晶体管都工作在饱和区（用符号来表示结果,譬如gm,ro,RD,VOV,等等）（共35分，共2题）1.假设没有衬底偏置效应(15分)(a)画出图中所示的电路图的低频小信号等效电路图(5分)(b)假设II=0.75，l=0，Cox=Cox，求该电路的低频小信号电压S1(pmos)()nmos增益？用迁移率和宽长比表示。（必须给出解题过程）(10分)——第4页——____________学号题____________姓名密封线内不答____________班级____________学院——第5页——2.假设下图所示电路图中的所

4、有器件都是完全匹配和对称的，回答一下问题。请用跨导，输出电阻和电阻表示。（必须给出解题过程）(20分)(a)求电路的差模小信号增益？(10分)(b)求电路的共模小信号增益(10分)——第6页——____________学号题____________姓名密封线内不答____________班级____________学院——第7页——三、作图题（共10分，共1题）1.假设系统传输函数为H(s),s1000´+(1)2p´1000Hs()=,(10分)s(1)+2p´10(a)计算低频增益，零点和极点(5分)(b)画出对应的幅频特性和相

5、频特性(5分)——第8页——一、简答题（共40分）1.对比基本电流镜与共源共栅电流镜的差别，结合相关电路图指出各自的利弊。（10分）____________学号题____________2.分析差分电路中器件不匹配对差分对性能所造成的影响。（5分）姓名密封线内不答____________班级____________学院3.以共源放大器为例，分析Miller电容对共源放大器的频率影响。（5分）——第9页——4.MOSFET工作在放大状态时，其工作的区域和等效小信号模型分别是什么？请画出相应的低频等效小信号模型，并解释相关参数在电路中的

6、含义。(10分)5.请分别画出P型衬底，N阱CMOS工艺里NMOSFET和PMOSFET的器件纵向结构图，并给出电路最高点位与最低点位最可能连接的端点位置。(10分)——第10页——二、作图题(10分)2.假设系统传输函数为H(s),s100´-(1)2p´1000Hs()=,(10分)s(1)+____________2p´10学号(a)计算低频增益，零点和极点(5分)(b)画出对应的幅频特性和相频特性(5分)题____________姓名密封线内不答____________班级____________学院——第11页——三、计算

7、题，假设所有的晶体管都工作在饱和区(50分)（用符号来表示结果,譬如gm,ro,RD,VOV,等等）1.假设没有衬底偏置效应(15分)(a)画出图中所示的电路图的低频小信号等效电路图(5分)(b)假设l¹0，求该电路的低频小信号电压增益？用迁移率和宽长比表示。（必须给出解题过程）(10分)——第12页——____________学号题____________姓名密封线内不答____________班级2.给出下图电路中的Vout表达式。（R1=R2）(15分)____________学院——第13页————第14页——一、选择题（共

8、24分，共12题，每题2分）1.在W/L保持不变的情况下，跨导随过驱动电压和漏电流变化的关系是（）。A．跨导随过驱动电压增大而增大，跨导随漏电流增大而增大。B.跨导随过驱动电压增大而增大，跨导随漏电流增大而减小。C.跨导随过驱动电压增