掺杂钛酸锶钡薄膜的制备与电性能的研究

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时间:2019-02-28

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1、武汉理工大学博士学位论文摘要(Sr,Ba)TiO。薄膜在DRAM、相位移器等领域的应用前景己成为国内外材料研究的主要领域之一。本文以Ba(Ac)。、Sr(Ac)。·煳。0和Ti(oC。H。)。为主要前驱化合物,研究了sol-gel技术制备薄膜的工艺参数、结构与性能的关系。冰醋酸、无水乙醇作为溶剂,其用量分别为10~20ml,丙三醇和乙酰丙酮0.5~2mi分别作为表面活性剂和螯合剂时,制得溶胶的PH值为3~4,粘度为3cp~6cp,浓度为0.3~0.4mol/L。当均胶速率为3500r/min,时间为30s时,均胶三层的薄膜厚度为450nm。

2、当升/降温速率为0.5~l℃/min,保温时间为1小时,薄膜表面颗粒分布均匀,无裂纹。Pt/Ti02/SiO。/Si(100)结构稳定了Pt电极,避免了电极的剥落。乙酰丙酮是较理想的螯合剂,它能使钙钛矿的形成温度降低到624。C,其机理为溶胶中的乙酰丙酮由酮式向烯醇式异构体的转变,容易地与Ti(COC。H。)。螯合形成网络结构,而Ba”、Sr“等离子能均匀的分布在此网络中,热分解时金属离子能够均匀地分布,避免了某些阳离子的富集,利于晶相的形成,晶粒能够均匀地长大,其平均粒径为80nm。当薄膜的退火温度为750℃、厚度为450nm时,表现出较

3、好的电性能。SrTi03和BaTi03具有不同的居里温度点,可以通过调整Sr/Ba的比例改变SBT薄膜的居里温度点,获得最大的介电常数。在相同测试频率(1KHz)下,在低阻硅(3~6Qcm)基片上制备的薄膜,Sr/Ba比为0.5(№)时,Sr。。BaojTi03薄膜相对于其它Sr/Ba比的薄膜而言,其相对介电常数er最大(£r---一78),介质损耗tan6最小(tan6=0.057),最大介电常数温度点Tm为305K;但当同样Sr/Ba=O.5的薄膜在高阻硅(3000Qcm)基片上生成时,er和tan6分别为100.54和0.060,Tm

4、为308K,其性能远优于低阻硅基片上生长的薄膜。在两种基片上沉积的薄膜均具有良好的介频特性。微量元素铋、钇(其掺量范围分别为0.000~0.030m01)和铌(其掺量范围为0.000~0.0412m01)均降低了SBT薄膜的介质损耗tan6,且随着微量元素添加量的增加,最大介电常数温度点Tm逐渐移向低温,介电常数峰的半高宽增武汉理工大学博士学位论文加,峰高降低,呈现较强的弥散相变特征。只有当适量的微量元索存在时,薄膜的介电常数得到明显的提高,例如当测试频率为IKHz,y元素的理想掺量为0.015mol时,薄膜Sr。5B乱mY。。。sTi03

5、的er和tan6分别为74.2和0.067,均优于其它Y掺量的薄膜。Nb大大的降低了薄膜的Tm温度和介质损耗,例如0.0412moi的Nb元素使Sr。。Bm.5TiO。薄膜的Tm从305K降低到277K,tan6从0.09降低到0.067。微量元素取代Ba”或Ti4+后形成了不同的缺陷类型及浓度,影响了退火处理时离子的扩散速率、晶粒的生长以及偶极子的形成及极化,呈现出性质的差别。SBT薄膜中铁电畴结构即非90。也非1800,其畴宽度约为I~3nm。随Bi含量的增加Sr。;Ba0.5--xBi,TiO。薄膜的电滞回线矩形度增大,当Bi元素含量

6、为0.015mol,测试条件为100Hz、20V时,薄膜Sr。。B矾。。BiO.Ot5TiO。的剩余极化强度Pr为0.22uC/cm2,饱和极化强度Ps为0.32pC/cm2,矫顽场为60KV/cm。采用SEM、EDS、TEM、HRTE}d测试手段研究了薄膜的表面、断面结构、Ti”、Ba“、sr”元素的线分布以及颗粒的大小、晶格条纹、品界结构。当Sr/Ba比为0.5时,即SrⅡ。B函.;TiO。薄膜表面平整、无裂纹、颗粒分布均匀,其粒径为80--lOOnm。掺加少量的铋元素后,存在某些晶粒的异常长大现象,使得其尺寸分布较宽,例如sr。Ba0

7、.。Bi仉叭JiO。(B。)薄膜的颗粒尺寸在50~llOnm范围内,平均尺寸约为80nm。y3+和Nb”离子的存在将使薄膜中的晶粒颗粒减少,例如Sr。。Bao。∞Yoo.TTiO。和sr。B矾。Ti㈣。Nb(}.0412TiO。薄膜的粒径分别为70hm和60nm。在高阻硅(3000Qcin)基片上沉积的薄膜,颗粒排列紧密,小空洞较少。不论是否存在微量元素,结构中均存在着共格晶界、非共格晶界,晶粒的生长取向存在着定向和非定向两种类型。薄膜的断面形貌清晰、厚度均匀。根据断面上sr”、Ba”和Ti”离子的分布规律,可求得薄膜的厚度约为450hm。

8、SBT薄膜的矿物相为四方钙钛矿结构,但随着组成中Ba”离子摩尔含量的增加,sr。一xBa,Ti03的钙钛矿特征衍射面(110)及四方晶系的特征衍射面(200)和(002)衍射强度

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