fesib非晶合金恒导磁性能的研究

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1、几北大学硕士学位论文摘要本文对Fe-Si-B非晶合金的恒导磁特性进行了研究。两种铁基非晶合金Fe7gSi9B,3和FegoSigB=均山单辊急冷法制备。研究过程采用了X射线衍射、差热扫描量热法、静态和动态磁性能等实验手段,分析了析出相、冷却方式和预退火等参数对磁性能的影响。实验表明:两种非晶合金随着退火温度的升高和退火时间的延长晶化量逐渐增多,电感量在逐渐减小,在适当的退火温度经一定的时间退火后,合金呈现出恒导磁特性,这种特性是由于表面晶化后产生体积收缩,对基体产生了沿面内的压应力,在磁弹祸合的作用下,使得基体内磁化矢量转向垂直带面方向,

2、而且此时电感抗直流偏置场的能力增强。另外,冷却速度对两种非晶合金退火后磁性能均有影响,对Fe78SigB,3合金的影响大于FegoSi9B,,合金,电感表现为慢冷相对于J决冷方式偏低。Fe7gSigB13和FeBoSigB,,非晶合金晶化过程基本上是一致的,非晶一u-Fe(Si)相+非晶~Fe,B,+a-Fe(Si)相+非晶--a-Fe(Si)+FezB相,Fe3B相为亚稳相,在高温下分解为a-Fe(Si)和FezB晶化相;另外,两种非晶合金品化过程中。-Fe(Si)相的晶格常数随退火温度的增加(或退火时间的延长)在逐渐减小,溶入。-Fe

3、中的Si原子占据了Fe原子的位置导致了这一结果。但二者也有很大的差异性,首先是晶化温度,由定速升温(20K/min)测量的DSC曲线可以确定:Fe78SigB,:非晶合金初始晶化温度为5280C,而Fe8oSigB,,合金的晶化温度为495`C,表明Fe78SigB,;合金具有更大的热稳定性;另外,在两种合金晶化过程中,相对于Fe78SigB13合金,a-Fe(Si)相在Fe8oSigB,:合金中可以在更大的温度区间以单一晶化相存在。在两种非晶合金晶化过程中,剩磁比、高频损耗以及矫顽力都在发生变化,随退火温度升高或退火时间延长,剩磁比和高

4、频损耗呈现出“V”型变化规律,对于矫顽力而言,呈现出单调上升的变化规律。这与析出相的分布和性质有密不可分的关系。微量。-Fe(Si)的晶化相析出导致磁畴的细化,高频损耗的降低,但娇顽力却在增加。最后,合金的晶化过程也受预退火的影响。预退火使得Fe?gSigB,;合金基体原东北大学硕士学位论文__子扩散能力减弱,形核变得困难,抑制了基体的晶化,增强了产生垂直带面磁各向异性的能力,相对于未预退火的情况,剩磁比偏低,但对于矫顽力而一言却并未发生变化。关键词:铁基非晶,晶化,恒导磁毛北大学硕士学位论文ABSTRACTABSTRACTInthisd

5、issertation,theconstantinductanceoftwoFe-Si-13amorphousalloyshadbeeninvestigated.ThetwoFe-basedamorphousalloysFe78Si9B]3andFeaoSi9Biiwerepreparedbyasingle-rollmelt-spinningmethod.Someexperimentalmeanswereemployed,includingX-raydiffraction,differentialscanningcalorimetery,

6、staticmagnetismmeasurementanddynamiconeandsoon.Usingthesemeans,theeffectsofcrystallizationbehaviour,coolingrateandpre-annealingtechnologyonthemagneticpropertiesofthetwoamorphousalloyswithheatingweredetermined.Theresultsfromtheexperimentweresummedupasfollowing:Theinductanc

7、evaluesofthetwoamorphousalloysmonotonouslydecreasedwiththeincreaseofcrystallizationvolume,afterannealedforpropertimeatpropertemperature,thetwoalloyscouldattaintheperformanceofconstantpermeabilitythatascribedtothestressparallelwiththesurfaceoftheribbononthematrixcausedbyth

8、econtractionofthecrystallizedsurfaceoftheamorphousalloys,themagnetizationvectorsaffectedbymagnet

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