pbte光伏探测器研制

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1、lJ⑧论文作者签名：煎选垒指导教师签名：盔皂毖一论文评阅人l：丕般评阅人2：评阅人3：评阅人4：评阅人5：答辩委员会主席：型亟委员1：委员2：委员3：委员4：委员5：Author’ssignature：巡鱼!丕幽丛旦2宰＼』一‘●‘Supervisor7Ssignature：Externa-kv；ewers：幽丝!竺ExaminingCommitteeChairperson：己齐ExaminingCommitteeMembers：Dateoforaldefence：兰型：曼：l一独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师

2、指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得澎望盘堂或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名：巷毽妩宅签字日期：2。ff年多月1日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解逝婆盘堂有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权逝婆盘堂可以将学位论文的全部或部分内容

3、编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本授权书)学位论文作者签名：李毽蚓五龟签字日期：．2．olf年多月J日学位论文作者毕业后去向：工作单位：通讯地址：导师签名：委垂杉／、¨’／签字日期：2bl【年／月IEt电话：邮编：堑琶太堂亟主堂位逾塞煎墓摘要IV-VI族半导体是一类禁带宽度很窄的化合物半导体材料，由于其独特的物理性质，是应用于红外波段光电探测器的理想材料。本文简要介绍了Iv-VI族半导体的背景，系统回顾了红外探测器及红外成像系统的发展。在深入研究了光伏

4、探测器的工作原理后，结合PbTe外延薄膜的物理特性，设计了In203／PbTe异质结型中红外光伏探测器。利用自主的分子束外延(MBE)生长设备，在CdZnTe(111)基底上外延生长p-PbTe单晶薄膜，并对薄膜的物理特性进行了一系列表征，结果表明外延生长的PbTe单晶薄膜具备较高的晶体质量。采用磁控溅射设备在p-PbTe薄膜上沉积N—In203多晶薄膜形成异质结构，以此为有源区，通过真空沉积ZnS薄膜做钝化绝缘层和In薄膜做欧姆接触电极，制成国内第一个PbTe结型中红外光伏探测器。将芯片封装入杜瓦瓶，在77K温度下测得探测

5、器的响应波段为1．5"-5．5岬，探测率D’为2X1010cm．Hzl／2W一。根据I．V特性曲线得到探测器的优值因子RoA，并进一步计算得到了探测器在77K温度下的峰值探测率D：可达4．35x1010cm．HzV2W～。最后，总结了自己在研究生期间的主要工作，对实验室在PbTe光伏探测器方面的研究工作进行了展望。关键词：PbTe，光伏探测器，中红外AbstractIV二VIgroupmaterialswhicharenarrowgapsemiconductorshavebeenconsideredasidealmateri

6、alsforthedevelopmentofinfraredphotodetectorduetotheiruniquecharacteristics．Inthiswork，thebackgroundofIv-VImaterialWasintroducedbrieflyandthenthedevelopmentofinfrareddetectorandinfraredimagingsystemwasgenerallyreviewedinthefirstchapter．Afterin—depthstudyoftheprincip

7、leofphotovoltaicdetector,adevicemodelofphotovoltaicmid—IRdetectorbasedontheIn20s／PbTeheterojunctionWasdesignedbytakingthephysicalpropertiesofIV-VImaterialintoaccount．PbTethinfilmsonCdZnTe(111)substrateswereepitaxiallygrownbyusingtheindependentMolecularBeamEpitaxyEq

8、uipment．Thephysicalpropertiesofthethinfilmsarecharacterizedbyaseriesoftest，theresultsshowthatthethinfilmshave11ighcrystalquality．Prototypephotovo