用于无掩膜刻蚀的微放电器阵列的设计加工及表征

用于无掩膜刻蚀的微放电器阵列的设计加工及表征

ID:34051175

大小:9.67 MB

页数:74页

时间:2019-03-03

用于无掩膜刻蚀的微放电器阵列的设计加工及表征_第1页
用于无掩膜刻蚀的微放电器阵列的设计加工及表征_第2页
用于无掩膜刻蚀的微放电器阵列的设计加工及表征_第3页
用于无掩膜刻蚀的微放电器阵列的设计加工及表征_第4页
用于无掩膜刻蚀的微放电器阵列的设计加工及表征_第5页
资源描述:

《用于无掩膜刻蚀的微放电器阵列的设计加工及表征》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、摘要ABSTRA(了ABSTRACTIntraditionalmicrofabricationmethod,maskiSutilizedtomicropattemprocess.Thisprocesscostslotsoftimeandmoney.Inordertorealizemasklessetchingprocess,wehadproposedamicroplasmaetchingmethodbasedonscanningprobe,thatisintegratingthemicrodischargedeviceo

2、nthecantileverprobetorealizehighaccuracy.Butthecantileverstructureiscomplexandsusceptibletodamageintheexperiment.Therefore,ourresearchgroupproposesanon-cantileverstructureformasklessetchingSOcalledtiparraystructure.Comparedwiththecantileverprobestructure,micropla

3、smatiparraysisstrongerandCanachievehJ【ghefficiencyofetchingprocess.Itcanbeusedinhighprecision,largeareaoftheetchingprocess.Thispapermainlystudiesthecorepartofthemasklessetchingmethod⋯microplasmatiparray,includingitsstructuredesignandperformance.Instructuraldesign

4、part,weoptimizedthespacingbetweenmicrocavityunitsaccordingtotheheatcouplingeffect.UsingComsolMultiphysicstosimulatethethermaleffects.Weoptimizedthethermaleffectonthedevicetoaminimum.Onthefabricationofthedevice,thispaperintroducesthefabricationprocessofthetiparray

5、microdischargedeviceandoptimizespartoftheprocessparameters.Siliconoxidefilmprocessisoptimizedtomaketheproceduremoresimpleandclear.ForthesakeofusiIlgfortiparraymasklessetching,thispapermakessometestfordetailedcharacterizationofthedischargeperformance.Severalfactor

6、sthatmightinfluencethedischargeperformanceweretestedandcompared.Thesefactorsincludedifferentballastresistance,thenumberof邱arrays,thesizeofthemicrocavity,gaspressureandgastype.Optimizethevariousparametersintheelectricalmeasurememtoachievestabledischargeperformance

7、andalsomakethemasklessetchingprocessmoreefficient.Thisworkmaylayagoodfoundationforthemasklessetchingprocessbasedonmicroplasmatiparray.KeyWords:microplasma,microdischargearray,tiparray,masklessetching,V-1characteristicABsTRAcriv目录第一章绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..11.1微小等

8、离子体放电器概述⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯11.1.1低温等离子体⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯11.1.2微等离子体放电器⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯11.2微等离子体放电器的相关应用⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯51.2.1微等离子体射流在医学方面的应用⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯61

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。