南京信息工程大学模拟电路题库试题

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1、模拟电路复习题三题目：1、在图示电路中，已知A1、A2均为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为±12V。试画出该电路的电压传输特性。A1RuIA2uOVD1VD22、在图示电路中，已知A1、A2均为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为±12V。试画出该电路的电压传输特性。UREFR(3V)A1RuIA2uOVD1VD23、在图示电路中，已知A1、A2均为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为±12V。试画出该电路的电压传输特性。UREFR(+3V)A1RuIA2uOVD1VD24、微分运算电路如图（a）所示，

2、图（b）为输入电压u波形，A为理想运算放大器。试画I出输出电压u的波形图，并标明有关数值。ORuIV10kΩ1CuI0ts100μFuAOuOV102030400tsRP10kΩ10203040(a)(b)5、微分运算电路如图（a）所示，图（b）为输入电压u波形，A为理想运算放大器。试画I出输出电压u的波形图，并标明有关数值。ORuIV100kΩ1CuI0ts10μFAuuOV10203040O0ts10203040RP100kΩ(a)(b)6、微分运算电路如图（a）所示，图（b）为输入电压u波形图，A为理想运算放大器

3、。试I画出输出电压u的波形，并标明有关数值。ORuIV100kΩ1CuI0ts10μFAu10203040O1uOVRP100kΩ0ts(a)10203040(b)7、微分运算电路如图（a）所示，图（b）为输入电压u波形，A为理想运算放大器。试画I出输出电压u的波形图，并标明有关数值。ORuIV1100kΩCu0tsI102030405010μFAuO1uOVRP100kΩ0ts1020304050(a)(b)8、试判断图示两电路能否产生正弦波振荡，若能振荡，请写出振荡频率f的近似表达式若0不能振荡，请简述理由，设A均

4、为理想集成运放。RCCRAAuuOOCRRCR(a)(b)9、试判断图示两个电路能否产生正弦波振荡，若不能，简述理由；若能，属于哪种类型电，并写出振荡频率f的近似表达式。设A均为理想集成运放。0R2AuOR2AuOC1LRRfC1Rf1R1LC2C2(a)(b)10、试判断图示两个电路能否产生正弦波振荡，若不能，简述理由；若能，属于哪种类型电，并写出振荡频率f的近似表达式。设A均为理想集成运放。0RRffRR11AuOAuOR2R2C1C1LLCC22(a)(b)11、选择正确答案填空。1．若石英晶体中的等效电感，动态

5、电容及静态电容分别用L、C及C0表示，则在其损耗电阻R≈0时，则石英晶体的串联谐振频率fs=____，并联谐振频率f≈____。p111A、，B、，C、CC2πLCC02πL2π1+C+C0C02．根据石英晶体的电抗频率特性，欲使晶体呈电阻性，应使f____；欲使晶体呈电感性，应使f____；欲使晶体呈电容性，应使f____。A、等于f，B、等于f，C、大于f，而小于f，D．小于f，或大于fpsspsp3．石英晶体的fp与fs的数值越接近，则要求C0值____。A、越小，B、越大12、选择正确答案填空。1．若石英晶体中

6、的等效电感，动态电容及静态电容分别用L、C及C0表示，则在其损耗电阻R≈0时，石英晶体的串联谐振频率fs=____，并联谐振频率f≈____。p111A、，B、，C、CC2πLCC02πL2π1+C+C0C02．根据石英晶体的电抗频率特性，当f=f时，石英晶体呈____性；在ff时，石英晶体呈____性。spA、电感，B、电容，C、电阻3．C0越大，fp与fs的数值就越____。A、接近，B、远离13、1。NPN和PNP型晶体管的区别取决于____A、半导

7、体材料硅和锗的不同，B、掺杂元素的不同，C、掺杂浓度的不同，D、P区和N区的位置不同。2．N沟道和P沟道场效应管的区别在于____A、衬底材料前者为硅，后者为锗，B、衬底材料前者为N型，后者为P型，C、导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴。14、随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____，而多数载流子的浓度____。A、明显增大，B、明显减小，C、变化较小15、在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而__

8、__。A、增大，B、减小，C、不变16、两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A的输出电压比B的大。这说明A的________________比B的________________。A、输入电阻，B、输出电阻C、大，D、小17、有两个放大倍数相同