半导体光催化研究进展与展望

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1、第16卷第5期化学物理学报VoI.16，No.52003年10月CHINESEJOURNALOFCHEMICALPHYSICSOct.20031003-7713/2003/05-339-11综述*半导体光催化研究进展与展望a，baabb**韩世同，习海玲，史瑞雪，付贤智，王绪绪（a.中国人民解放军防化研究院，北京102205；b.福州大学光催化研究所，福州350002）摘要：评述了目前半导体光催化在国内外的研究概况，并对存在的问题和未来的发展动向进行简要分析.列举了近30年来关于光催化研究的部分成果，内容涉及光催化剂的制备（包括新催化剂的

2、开发，TiO2、ZnO、CdS等光催化剂的各种改性或修饰）、光催化作用机理研究、光催化技术的工程化、光催化技术的各种应用研究和产品开发等等从基础到应用研究的各个方面.总体上来看，半导体光催化基本上是一个没有选择性的化学过程，所以再进行大量的不同反应物的光催化活性的评价研究意义已不是很显著，认为未来的半导体光催化研究应该集中在机理的深刻认识、光响应范围宽和量子效率高的催化剂制备、半导体光催化技术工程化及新型光催化产品开发方面.关键词：综述；半导体光催化；二氧化钛；环境污染治理中图分类号：O614.4文献标识码：A*ProspectandPr

3、ogressintheSemiconductorPhotocatalysisa，baabb**HanShitong，XiHaiIing，ShiRuixue，FuXianzhi，WangXuxu（a.TheAcademyofChemicalDefence，ThePeople'sLiberationArmy，Beijing102205；b.ResearchInstituteofPhotocatalysis，FuzhouUniuersity，Fuzhou350002）AbstractTherecentprogressintheresearche

4、sonsemiconductorphotocataIysiswassurveyed，andsomeexistedprobIemsinthecurrentstudyandthefuturetrendofdeveIopmentwerebriefIyanaIyzed.ThemainachievementsinthestudiesofphotocataIysisduringtherecentthreedecadeswereparticuIarized，incIudingthepreparationofphoto-cataIyst（expIoita

5、tionofnoveIcataIyst，andthemodificationstoTiO2，ZnOandCdSetc.），mechanismofphotocat-aIyticprocess，engineeringdesignofphotocataIyticreaction，researchanddeveIopmentoftheproductsbasedonphotocataIyticprincipIe.PhotocataIytic，inthemass，isanonseIectivechemicaIprocess，soitisnoIonge

6、rimpor-tanttoredoingagreatdeaIofexaminationofphotocataIyticactivityfordifferentreactants.Infact，somerepeatedreportsonthesemiconductorphotocataIyticphenomena，andexpIanationsofthemechanismwithuotorIackofexper-imentsupporthavebeenfreguentIyfoundinthepubIications.Itissuggeste

7、dthatattentionofthefutureinvestigationonthesemiconductorphotocataIysisshouIdfocusonthefouraspectsasfoIIowed，i.e.profoundcomprehensionforphotocataIyticmechanism，synthesisorpreparationofnoveIphotocataIystwithwideresponsetoIightandhighphotoguantumefficiency，engineeringofphot

8、ocataIyticreaction，anddeveIopingofnewtypephotocataIyticproducts.KeywordsReviews，Semiconductorpho