钙钛矿_晶硅叠层太阳能电池的制备及其性能研究

钙钛矿_晶硅叠层太阳能电池的制备及其性能研究

ID:34599397

大小:2.67 MB

页数:77页

时间:2019-03-08

钙钛矿_晶硅叠层太阳能电池的制备及其性能研究_第1页
钙钛矿_晶硅叠层太阳能电池的制备及其性能研究_第2页
钙钛矿_晶硅叠层太阳能电池的制备及其性能研究_第3页
钙钛矿_晶硅叠层太阳能电池的制备及其性能研究_第4页
钙钛矿_晶硅叠层太阳能电池的制备及其性能研究_第5页
资源描述:

《钙钛矿_晶硅叠层太阳能电池的制备及其性能研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、分类号:密级:UDC:编号:河北工业大学硕士学位论文钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的制备及其性能研究论文作者:李春静学生类别:全日制学科门类:工学学科专业:微电子学与固体电子学指导教师:杨瑞霞职称:教授资助基金项目:河北省在读研究生创新资助项目(220056)天津市自然科学基金资助项目(15JCZDJC37800)DissertationSubmittedtoHebeiUniversityofTechnologyforTheMasterDegreeofMicroelectronicsandSolidStateElectronicsPREPARATIONANDCHARA

2、CTERIZATIONOFPEROVSKITE/CRYSTALLINESILICONTANDEMSOLARCELLbyLiChunjingSupervisor:Prof.YangRuixiaMay2017ThisworksupportedbytheHebeiProvinceGraduateStudentInnovationSupportProjectofChina.No.220056,andTianjinNaturalScienceFoundationofChina.No.15JCZDJC37800.摘要钙钛矿材料因其带隙可调、成本低的特点而成为硅基叠层太阳能电池

3、的顶电池的最佳材料,且带隙在1.6~1.8eV之间的钙钛矿更适合用于硅基叠层太阳能电池中,同时降低了硅基电池的制备成本。本文主要选用大气环境下性能稳定且带隙为1.77eV的CH3NH3PbI2Br作为钙钛矿顶电池的光吸收层,从顶电池的各层材料的制备、叠层太阳能电池的模拟仿真及优化等方面对2端钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池进行了研究。主要的研究内容如下:1、在大气下使用溶液一步法制备CH3NH3PbI2Br薄膜,并对退火温度对薄膜特性的影响进行了研究。研究发现由于薄膜沉积过程中溶剂挥发较快,使得CH3NH3PbI2Br薄膜呈树杈状结构,薄膜连续性、光吸收性较差,不利于高

4、效太阳能电池的制备。通过在在前驱液中添加CH3NH3Cl,与氯离子形成中间产物,减慢钙钛矿结晶速率,形成了较致密、吸收性好的钙钛矿薄膜。并且添加剂CH3NH3Cl对形成的薄膜成分没有影响。此外,退火温度为100℃时,CH3NH3PbI2Br的覆盖率、结晶特性和光吸收特性提高,但过高的温度(>120℃)会导致CH3NH3PbI2Br分解,降低了性能。同时证明了光学带隙不受退火温度的影响。2、使用磁控溅射法制备ZnO即氧化锌薄膜。探究不同溅射时间对ZnO性能的影响及对无空穴传输层钙钛矿电池性能的影响,得出溅射时间为15min时,即薄膜厚度为61.8nm时,ZnO具有较

5、好的光学特性,电池效率达到0.558%。3、采用SilvacoAltas软件分别对无空穴传输层和以NiOx为空穴传输层的钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池进行模拟,重点从CH3NH3PbI2Br厚度、隧道结及NiOx层厚度入手,分析其对电池性能变化的影响。对于无空穴传输层的钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池而言,当CH18cm-3、隧道结厚度为3NH3PbI2Br厚度为200nm、掺杂浓度为5×102×10nm时,实现了电流匹配,性能可达到最佳,优化的效率为12.134%,开路电压为0.9V,短路电流为25.21072mA/cm2。4、模拟结果表明,通过在顶电池添加NiOx空穴传

6、输层,提高了叠层太阳能电池的性能。当NiOx厚度为30nm,CH3NH3PbI2Br厚度为500nm、隧道结掺杂浓度为1×1019cm-3时,隧道结起到良好的隧穿作用,叠层太阳能电池效率为最优,效率可达到30.850%。关键字:CH3NH3PbI2Br钙钛矿薄膜钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池ZnO模拟NiOx空穴传输层隧道结IABSTRACTThedirectbandgapoftheperovskitecanbeadjustedcontinuouslyandpreparationcostisverylow,whichmakeitbecomethebestlightab

7、sorptionlayermaterialofthetopsolarcellinSi-basedLowpreparationcosttandemsolar.What’smore,thedirectbandgapofperovskiteis1.6~1.8eV,whichisverysuitabletofabricateatandemsolarcell.ThispapermainlyusestheCH3NH3PbI2Brperovskiteasthelightabsorptionlayerinthetopsolarcellwhichhasstableperforman

8、ceint

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。