半导体器件物理88322

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1、主要参考书目半导体器件物理1.孟庆巨刘海波孟庆辉编著.半导体器件物理(第二版)，科学出版社2.施敏.现代半导体器件物理，科学出版社深圳大学光电工程学院3.刘恩科《半导体物理学》（第七版），电子工业出版社sbpengds@szu.edu.cn4.王庆有《光电技术》（第二版）北京：电子工业出版社5.安毓英，刘继芳，李庆辉光电子技术（第二版）北京：电子工业出版社半导体技术发展的里程碑课程简介1833年发现硫化银的电阻率温度系数为负半导体器件物理课程结合一些主要的、常见的1839年，法国贝克莱尔，发现光生伏特效应半导体器件介绍了半导体器件的基本结构、基1873年，英国史密斯，发现光

2、电导效应本工作原理、基本性能和基本制造工艺。1874年，德国布劳恩，发现整流效应半导体器件物理课程是微电子、光电子、电子1879年，美国霍尔，发现霍尔效应科学与技术等专业的主干专业基础课。1947年晶体管的出现1959年集成电路问世1960年发明了增强型MOSFET1962年砷化镓激光器问世1969年提出超晶格理论1991年GaN蓝光LED的出现什么是半导体？●电阻率从导电性（电阻）：导体：ρ＜10-3Ωcm例如：ρCu~10-6Ωcm固体材料可分成：超导体、导体、半导体：10-2Ωcm＜ρ＜109Ωcm半导体、绝缘体ρGe=0.2Ωcm绝缘体：ρ＞109Ωcm电

3、阻率ρ介于导体和绝缘体之间，并且具有负的电阻温度系数→半导体1●电阻温度系数绝●电子激发能隙缘体导体：Eg~0例如：Eg(Cu)~0eVR绝缘体：Eg3eV例如：Eg(SiO2)=8.0eV半导体半导体：0Eg3eV例如：Eg(Si)=1.12eV金属T例外半导体材料的分类微电子半导体●半导体金刚石(Eg~6eV)光电半导体●氮化镓GaN(Eg~3.4eV)热电半导体●硫化锌ZnS(Eg~3.5eV)按功能和应用分微波半导体气敏半导体∶∶无机半导体：元素、化合物无机半导体晶体材料按组成分：元素半导体有机半导体无机半导体晶体材料化合物半导体晶体：单晶体、多晶体固溶体半导体按结构

4、分:非晶、无定形2元素半导体晶体熔点太高、不易制成单晶SiGeCBSe元素Te半导体稀少SnAs低温某种PISSb固相不稳定、(1)元素半导体晶体易挥发化合物半导体及固溶体半导体InP、GaP、SiCGaAs、InSb、InAs★过渡金属氧化物半导体：有ZnO、SnO2、AsSe3、Ⅳ-Ⅳ族Ⅲ-Ⅴ族V2O5、Cr2O3、Mn2O3、FeO、CoO、NiOAsTe、3CdS、等。AsS、SbS33CdTe、CdSe、ZnSⅤ-Ⅵ族化合物半导体Ⅱ-Ⅵ族★尖晶石型化合物（磁性半导体）：主要有CdCr2S4、CdCr2Se4、HgCr2S4等。金GeS、SnTe、Ⅳ-Ⅵ族★稀土氧、硫、硒、

5、碲化合物：有EuO、属氧化物GeSe、PbS、PbTeEuS、EuSe、EuTe等。CuO2、ZnO、SnO2非晶态半导体有机半导体有机分子晶体(1)非晶Si、非晶Ge以及非晶Te、Se元素半导体有机半导体有机分子络合物高分子聚合物(2)化合物有GeTe、AsTe、SeTe、234SeAs、AsSeTe非晶半导体232酞菁类及一些多环、稠环化合物，聚乙炔和环化脱聚丙烯腈等导电高分子，他们都具有大π键结构。3半导体器件分类半导体材料的地位按器件的构成分类：国民经济国家安全金属与半导体界面形成的一类器件，如通信、高速计算、MESFET。大容量信息处理、由P-N结形成的一类器件，如二

6、极管、晶体管、空间防御、电子对晶闸管等。抗、武器装备的微科学技术型化、智能化由异质结界面形成的一类器件：如异质结LED和LD等。金属—绝缘材料—半导体界面形成的一类器件，如MOSFET等。半导体微电子和光电子材料按器件的性能分类电子器件：可大致分为单极器件、双极器件半导体的发展和微波器件等。半导体光电器件：利用光子和载流子相互作用实现光电转换和控制的一大类半导体功能器件光电子有源器件：LD、LED等萌衰芽成长期成熟期退光电子控制器件：光调制器、光开关和半导体光期期学双稳态器件等。光电子无源器件：光探测器、光波导及CCD固体成像器件等1948年1874年F.Braun金

7、属－半导体接触Shockley，Bardeen,第一个点接触式的晶体管(transistor)Brattain锗晶体管(transistor)成为现代电子1879年Hall效应点接触式的工业的基础K.Beadeker半导体中有两种不同萌类型的电荷芽期1870193019401950Ge晶体管硅硅氧化铜、硒获1956年诺贝尔物理奖晶体整流器、曝光计检波器管41950年G.K.Teel直拉法1957年19631963年年较大的锗单晶1952年H.Welker第一颗砷化镓用