变压吸附脱硫脱碳进展(黄家鹄罗跃)

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1、变压吸附脱硫脱碳最新进展黄家鹄,罗跃(四川鸿鹄科技集团有限公司,成都610036)摘要:简述了变压吸附法脱碳地发展历程.介绍了改良一段法变压吸附脱碳地专利技术.使用该技术在CO2全回收地条件下,获得净化氢氮气中CO2小于0.1%,解吸二氧化碳气浓度大于99%,氢气、氮气回收率均达99.7%以上.各项技术指标均优于现有变压吸附脱碳,而且取消了变换气湿法脱硫工序,脱硫净化效果也更优.矚慫润厲钐瘗睞枥庑赖。关键词:脱碳;脱硫脱碳;变压吸附;变换气1概述变压吸附技术是以吸附剂(多孔固体物质)内部表面对气体分子地物理吸附为基础,利用吸附剂在相同压力下易吸附高沸点组

2、分,且对被吸附组分地吸附容量随其分压地增加而增加为原理而实施地气体分离与净化技术.当原料气在高压下通过吸附剂床层时,如二氧化碳、水和硫化物等高沸点组分被选择性吸附,而低沸点组分如氢、氮气等不易吸附而通过吸附剂床层,实现氢、氮气和二氧化碳、水、硫化物地分离.然后,在减压下解吸(脱附)被吸附地二氧化碳、水和硫化物,使吸附剂获得再生,便于下一循环再次进行吸附分离.聞創沟燴鐺險爱氇谴净。在变压吸附过程中吸附床内吸附剂解吸依靠降低吸附组份分压实现,常用方法是:a.降低吸附床压力(均压或放压);b.用产品组分冲洗;c.用真空泵抽吸.在合成氨生产过程中,必须脱除变换气

3、中地二氧化碳.其目地一是满足后工段净化需将变换气中二氧化碳脱除至0.2~1.5%以下;二是对尿素装置还需满足二氧化碳浓度大于98.5%.残骛楼諍锩瀨濟溆塹籟。我国大多数合成氨装置脱除二氧化碳地传统方法是湿法,即溶剂吸收法,如聚乙二醇二甲醚(NHD)法,碳酸丙烯脂(PC)法,N一甲基二乙醇胺(改良MDEA)法和改良热钾碱法等.湿法脱碳地主要缺点是操作费用高,尤其是蒸汽费用高.九十年代开始用干法,即变压吸附(PSA)法脱碳,随着变压吸附脱碳技术地进步,特别是两段法专利技术地实施,使酽锕极額閉镇桧猪訣锥。1/6作者简介:黄家鹄(1939年),男,重庆水彭水人,

4、1965年毕业于成都工学院,高级工程师,一直从事干法精脱硫和变压吸附脱碳技术地研究、开发工作.电话:13518233619,电子邮件:huangjiagu@vip.163.com二氧化碳浓度达到98%以上,变压吸附脱碳用于尿素生产获得成功.6/6操作简便、运行稳定、维修量少,不但克服了湿法脱碳耗用蒸汽,操作费用高地缺点,也克服了原变压吸附脱碳工艺氢、氮和一氧碳回收率低地缺点.因此,该法在全国得到迅速推广应用,甚至用新建变压吸附脱碳装置淘汰原已投运多年地湿法脱碳装置,仍获得极好地技术经济效果.彈贸摄尔霁毙攬砖卤庑。2一段法变压吸附脱碳发展过程合成氨变换气脱

5、碳有三种方式.第一,脱除并回收提纯二氧化碳为主要目地.在此对净化度要求较低,通常净化气中CO2可含4~6%,此气再进碳化系统脱碳,该工艺最大地技术难题是要求CO2纯度大于99.9%,以便使回收地二氧化碳作为工业二氧化碳或食品级二氧化碳.2000年我公司在原四川省仁寿县氮肥厂建成地VPSA食品级二氧化碳即属此种目地.第二,精制合成气为主要目地.例如,生产液氨地脱碳净化,只需将合成气精制即可,此时最大技术难题是在保证净化度地条件下,提高氢、氮、一氧化碳回收率.1993年利用自有专利技术,在全国率先用真空变压吸附(VPSA)法在原四川省广汉化工总厂合成氨系统建

6、成脱碳装置,在0.6~0.7MPa(表)条件下,脱除天然气为原料地低变气中二氧化碳至CO2≤0.2%后送甲烷化系统.回收地二氧化碳气中CO2≥90%,用于联碱生产.这是我国首次将变压吸附脱碳用于合成氨主流程获得成功,氢收率提高至98.5%,氮收率提高至92%.在此工艺中使用了将顺放气用压缩机打入变压吸附装置进口地自有专利技术提高氢、氮气回收率,吨氨耗电达90KWh.第三,用于变换气脱硫、脱碳.2005年,我公司利用自主知识产权用提高变压吸附均压次数地方法,用于原贵州遵义氮肥厂在0.7MPa(表)压力条件下,以煤为原料地低变气脱硫脱碳中,取消了原变换气湿法

7、脱硫,进PSA总硫含量高达100×10-6,净化气中总硫小于0.03×10-6(检出限量为0.03×10-6).将均压次数提高至7次,均压结束后,均降塔已成微正压,已无放空气需压缩机打循环,不仅吨氨电耗降至60KWh,且氢收率已大于98.8%,氮收率大于92%.操作费用大大低于原湿法脱硫脱碳,用变压吸附干法脱硫脱碳淘汰了湿法脱硫脱碳和脱碳气地精脱硫,取得了明显技术经济效果.謀荞抟箧飆鐸怼类蒋薔。3两段法变压吸附脱碳特点2001年后,国内先后开发出两段法脱碳新技术,成功用于大型工业脱碳装置.所谓两段法脱碳,即将上述以脱除回收提纯CO2为目地VPSA和以净化

8、精制合成气为目地地VPSA串联起来,第一段VPSA逆放或抽空所获得地二氧化碳(C

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