电力电子复习测验附标准答案

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1、姓名学号学院专业座位号(密封线内不答题)……………………………………………………密………………………………………………封………………………………………线……………………………………线………………………………………_____________________…诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《电力电子技术基础》试卷注意事项：1.考前请将密封线内填写清楚；2.所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)；3．考试形式：闭卷；4.本试卷共大题，满分100分，考试时间120分钟。题号一二三四五总分得分评卷人

2、一．选择题（单选，共10分）1．关于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，下面说法错误的是(A)A．IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大B．IGBT是由MOSFET和GTR复合而制成的C．IGBT工作在开关状态时，是在正向阻断区和饱和区之间转换D．开关频率介于GTR和MOSFET之间2．三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，其移相范围是(C)A．90°B．120°C．150°D．180°3．单相桥式全控整流电路中，由于变压器漏感造成的换流压降为(A)A．B．C．D．4．下列电路中，不可以实现有源

3、逆变的是(B)A．单相双半波可控整流电路B．单相桥式半控整流电路C．单相桥式全控整流电路D．三相桥式全控整流电路5．下列可控整流电路中，输出电压谐波含量最少的是(D)A．三相半波B．单相双半波C．三相桥式D．十二相整流6．电压型逆变电路的特点不包含(A)A．直流侧接大电感B．交流侧电流接正弦波C．直流侧电压无脉动D．直流侧电流有脉动7．斩波电路实现调压的方法是(C)A．改变开关频率B．改变开关周期C．改变占空比D．改变负载电流8．三相桥式全控整流电路，阻感负载，采用同步信号为锯齿波的触发电路，同步信号正弦波落后于

4、加于晶闸管的相电压(C)矚慫润厲钐瘗睞枥庑赖。A．90ºB．120ºC．180ºD．240º9．交－交变频电路的最高工作频率为（B）A.电源频率的2倍到3倍B.电源频率的倍到倍C.和电源频率相同D.电源频率的整数倍8/810．SPWM的电路基波是(A)A．正弦波　　B．三角波　　C．锯齿波　　D．方波二．是非判断题（共10分）1．“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。…………(T)2．达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管属电压驱动型开关管。……

5、………………………………………(T)聞創沟燴鐺險爱氇谴净。3．对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电流、单相半波可控整流电流和单相双半波直流电路。…………………………(F)残骛楼諍锩瀨濟溆塹籟。4．导致开关损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障。……………(T)5．对于三相半波整流电路，电阻性负载，当Id一定时，流过晶闸管的电流有效值IT随控制角α的增加而增加。……………………………………………………(F)酽锕极額閉镇桧猪訣锥。6．对于三相半波整流电路电阻性负载，当α＝4

6、5º，时，输出电压平均值约为85V。…………………………………………………………………………(T)彈贸摄尔霁毙攬砖卤庑。7．在SPWM控制的逆变电路中，载波频率越高，谐波频率也就越高，高次谐波也就越容易滤除。……………………………………………………………………(T)謀荞抟箧飆鐸怼类蒋薔。8．在GTR的驱动电路设计中，为了使GTR快速导通，应尽可能使基极驱动电流大些。……………………………………………………………………………(F)厦礴恳蹒骈時盡继價骚。9．尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可作为晶闸管的门极控制信号。

7、……………(T)10．在有源逆变电路中，当某一晶闸管发生故障，失去开通能力，则会导致逆变失败。……………………………………………………………………………(T)茕桢广鳓鯡选块网羈泪。三．填空题（每题3分，共15分）1．正弦脉宽调制（SPWM）技术用于电压型逆变电路中，当改变调制比可改变逆变器输出电压幅值；改变调制波频率可改变逆变器输出电压频率；改变载波频率可改变开关管的工作频率。鹅娅尽損鹌惨歷茏鴛賴。2．三相桥式可控整流电路，若输入电压为，电阻性负载，设控制角，则输出电压Ud＝82.73V。3．设DC-DC变换器的

8、Boost电路中，，D=0.7，则＝33.3。4．单相双半波（又称单相全波）可控整流电路，如图1所示，该变压器直流磁化问题（填有无），在电阻性负载时，晶闸管承受的最大正向电压为，最大反向电压为。籟丛妈羥为贍偾蛏练淨。图15．在电力电子电路中，常设缓冲电路，其作用是。8/8四．计算题（共35分）1．三相全控桥式整流电路，电阻性负载，，，求时，，和的值，并画出电压的波形和通过