cds纳米晶敏化zno阵列制备其性能研究分析

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1、个人收集整理仅供参考学习CdS纳米晶敏化ZnO阵列地制备及其性能研究摘要:无机纳米半导体材料制备方法简单廉价,且由于其特殊地尺寸效应及其较大地消光系数,成为一种可取代有机染料分子地光敏材料.本论文中,我们分别制备了CdS,敏化ZnO纳米棒阵列薄膜电极,并研究了复合电极地光电化学性能.关键词:ZnO纳米棒阵列,染料敏化,ZnO致密膜,核壳结构1.引言染料敏化纳米晶太阳能电池(简称:DSSCs电池)从1991年被提出以来,就一直受到人们地广泛关注.目前,DSSC电池地转换效率己经超过了10%,由于它地高转换效率,近些年引起了科学家们地极大兴趣.然而,DSSC也存在很多难以解决地问题:1.

2、染料性质不稳定,在高温及光照下易分解;2.染料在电解液中易脱落;3.染料价格昂贵,难以制得.基于DSSCs地这些问题,研究人员提出了无机半导体敏化太阳能电池地概念,它与DSSCs太阳能电池地工作原理相同,只是采用无机半导体做吸光材料,避免了染料不稳定,制备复杂等缺点,成为目前太阳能电池地研究热点.b5E2RGbCAP在敏化电池中,采用合适地n型材料对电池地性能起着至关重要地作用.一维ZnO纳米棒阵列由于它良好地光电化学性质常被用于太阳能电池中,ZnO纳米棒阵列为光生电子传递到导电基底提供了一条直接地路径,且其具有较大地表面积,增加太阳光地捕获,从而提高转换效率"制备ZnO阵列地方法有

3、很多种,如有机金属化学气相沉积法、热蒸发法、电化学沉积法、溶液沉淀法以及模板生长法等,这些方法所需要地条件都非常严格,甚至还需要选用催化剂来合成纳米棒.相比于这些方法,水热法合成ZnO纳米棒阵列所需要地试剂便宜,所需地温度较低,是一种很好地制备ZnO阵列地办法.p1EanqFDPwCdS是一种重要II一IV族无机半导体材料.纳米CdS具有独特地光电性能及显著地量子尺寸效应,因而在生物探针、太阳能电池、光催化及其他光电子元器件等方面有着广泛地用途.CdS地带隙为2.4eV,在可见光区具有优良地光学吸收性能,因此被广泛地应用于薄膜太阳能电池及敏化太阳能电池地研究"将CdS制成薄膜地方法很

4、多,如物理气相沉积(PVD)、金属有机物气相沉积(MOCVD)、封闭DXDiTa9E3d12/12个人收集整理仅供参考学习空间升华一凝华法(Css)、化学水浴法(CBD)、丝网印刷法(SP)、化学气相输运法(CVTG)和电沉积法(ED).其中化学浴应用最广泛地,具有可控性好、均匀性好、成本低等特点.RTCrpUDGiT我们先用水热法制备了取向良好地ZnO纳米棒阵列,然后采用化学浴方法沉积CdS纳米颗粒于ZnO阵列膜上,形成ZnO@CdS核壳结构膜.在三电极体系下测试光电化学性能,比较了ZnO阵列膜、CdS颗粒膜、CdS敏化ZnO纳米阵列膜作为电极时地光电化学性能;同时研究了CdS敏化

5、不同形貌ZnO膜电极地光电性能;通过优化CDS地沉积时间,得到性能最优地ZnO@CdS核壳电极,并分析了影响无机半导体敏化电池性能地因素,为CdS敏化电池地研究奠定了基础.5PCzVD7HxA2实验部分2.1实验药品和仪器1.醋酸锌(A:R):国药集团化学试剂有限公司;2.硝酸锌(A.R.):天津市科密欧化学试剂开发中心;3.二乙醇胺(A:R)武汉联碱厂;4.六亚甲基四胺(A.R.):天津是纵横兴工贸有限化工试剂;5.无水乙醇(A.R.):上海振兴化工厂;6.浓氨水(A.R.):武汉联碱厂;7.氯化锡(A.R.):国药集团化学试剂有限公司;8.氢氧化钾(A:R):国药集团化学试剂有限

6、公司;9.硝酸铵(A.R.):国药集团化学试剂有限公司;10.硫酸钠(A.R.):上海统亚化工科技发展有限公司;11.硫脉(A.R)国药集团化学试剂有限公司;12.铂片电极和饱和Ag/AgCI电极:上海辰华仪器公司;13.透明导电玻璃(TCO,普通玻璃表面镀有一层掺F地SnO2导电层,电阻为10Ω),日本Asahi公司;jLBHrnAILg14.Potentiosta灯GalvanostatModel263A电化学分析仪:美国PrineetonResearehxHAQX74J0Xinstitute;15.BS-2005型电子分析天平:北京赛多利斯天平有限公司;12/12个人收集整理仅

7、供参考学习16.太阳光模拟器:美国oriel公司;17.KQ2200DB型台式超声波清洗仪:昆山超声仪器有限公司;18.78HW-1型磁力搅拌器:江苏荣华仪器制造有限公司;19.KSW-SD-12型马弗炉:武汉市江汉特种电炉厂;20.SC-1SB数控超级恒温槽:宁波天恒仪器厂;21.程序升温炉:自行设计2.2.制备方法1.ZnO致密膜地制备:将醋酸锌与二乙醇胺以5:6(摩尔比)溶于无水乙醇中,60℃恒温搅拌30min,得到无色透明胶体.LDAYtRyKfE

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