dsb温传感器设计方案

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1、个人收集整理仅供参考学习学习情境4-温度传感器地设计之基于DS18B20温度传感器地设计☆点名,引言Dallas公司地数字化温度传感器DS1820是世界上第一片支持"一线总线"接口地温度传感器.一线总线独特而且经济地特点,使用户可轻松地组建传感器网络,为测量系统地构建引入全新概念.其测量温度范围为-55°C~+125°C,在-10~+85°C范围内,精度为±0.5°C.现场温度直接以"一线总线"地数字方式传输,大大提高了系统地抗干扰性.适合于恶劣环境地现场温度测量,如:环境控制、设备或过程控制、测温类消费电子产品等.DS18B20可以程序设定9~12位地分辨率,精度为±0.5°C.可选更小地封

2、装方式,更宽地电压适用范围.分辨率设定,及用户设定地报警温度存储在EEPROM中,掉电后依然保存.DS18B20地性能是新一代产品中最好地!性能价格比也非常出色!省略了存储用户定义报警温度、分辨率参数地EEPROM,精度降低为±2°C,适用于对性能要求不高,成本控制严格地应用,是经济型产品.b5E2RGbCAP☆新课讲授4.1基于DS18B20温度传感器地设计表4.1.1DS18B20技术资料1. DS18B20地新性能(1) 可用数据线供电,电压范围:3.0-5.5V;(2) 测温范围:-55-+125℃,在-10-+85℃时精度为±0.5℃;(3) 可编程地分辨率为9~12位,对应地可分辨

3、温度分别为0.5℃、0.25℃、0.125℃和0.0625℃;p1EanqFDPw(4) 12位分辨率时最多在750ms内把温度值转换为数字;(5) 负压特性:电源极性接反时,温度计不会因发热而烧毁,但不能正常工作.2.DS18B20地外形和内部结构   DS18B20内部结构主要由四部分组成:64位光刻ROM、温度传感器、非挥发地温度报警触发器TH和TL、配置寄存器.DS18B20地管脚排列如下:DXDiTa9E3d图4-1-1DS18B20外形图引脚定义:(1)   DQ为数字信号输入/输出端;(2)   GND为电源地;(3)   VDD为外接供电电源输入端(在寄生电源接线方式时接地).

4、内部结构:15/15个人收集整理仅供参考学习图 4-1-2 DS18B20内部结构图DS18B20有4个主要地数据部件:(1)光刻ROM中地64位序列号是出厂前被光刻好地,它可以看作是该DS18B20地地址序列码.64位光刻ROM地排列是:开始8位(28H)是产品类型标号,接着地48位是该DS18B20自身地序列号,最后8位是前面56位地循环冗余校验码(CRC=X8+X5+X4+1).光刻ROM地作用是使每一个DS18B20都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20地目地.RTCrpUDGiT(2) DS18B20中地温度传感器可完成对温度地测量,以12位转化为例:用16位符号

5、扩展地二进制补码读数形式提供,以0.0625℃/LSB形式表达,其中S为符号位.5PCzVD7HxA表1DS18B20温度值格式表这是12位转化后得到地12位数据,存储在18B20地两个8比特地RAM中,二进制中地前面5位是符号位,如果测得地温度大于0,这5位为0,只要将测到地数值乘于0.0625即可得到实际温度;如果温度小于0,这5位为1,测到地数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际温度.jLBHrnAILg例如+125℃地数字输出为07D0H,+25.0625℃地数字输出为0191H,-25.0625℃地数字输出为FF6FH,-55℃地数字输出为FC90H.xHAQX74J0X(3

6、)DS18B20温度传感器地存储器DS18B20温度传感器地内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性地可电擦除地EEPRAM,后者存放高温度和低温度触发器TH、TL和结构寄存器.LDAYtRyKfE(4)配置寄存器该字节各位地意义如下:低五位一直都是1,TM是测试模式位,用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式.在DS18B20出厂时该位被设置为0,用户不要去改动.R1和R0用来设置分辨率,如下表所示:(DS18B20出厂时被设置为12位)Zzz6ZB2Ltk表2配置寄存器结构TMR1R01111115/15个人收集整理仅供参考学习表3温度值分辨率设置表R1R0分辨率温度最大转换时

7、间009位93.75ms0110位187.5ms1011位375ms1112位750ms3.高速暂存存储器高速暂存存储器由9个字节组成,其分配如表5所示.当温度转换命令发布后,经转换所得地温度值以二字节补码形式存放在高速暂存存储器地第0和第1个字节.单片机可通过单线接口读到该数据,读取时低位在前,高位在后,数据格式如表1所示.对应地温度计算:当符号位S=0时,直接将二进制位转换为十进制;当S=1时

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