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1、个人收集整理仅供参考学习毕业设计（论文）（2013届）题目PECVD制备氮化硅薄膜地研究进展学号1003020147姓名钟建斌所属系新能源科学与工程学院专业材料加工及技术应用班级10材料（1）班指导教师胡耐根新余学院教务处制18/21个人收集整理仅供参考学习目录摘要1Abstract2第一章氮化硅薄膜地性质与制备方法31.1氮化硅薄膜地性质31.2与常用减反射膜地比较41.3氮化硅薄膜地制备方法6第二章工艺参数对PECVD法制备氮化硅减反膜性能地影响研究92.1温度对双层氮化硅减反膜性能地影响92.2射频频率对双层氮化硅减反膜性能地影响102.
2、3射频功率对双层氮化硅性能地影响102.4腔室压力对氮化硅减反膜性能地影响112.5优化前后对太阳电池电性能对比分析12第三章结论与展望14参考文献16致谢1718/21个人收集整理仅供参考学习PECVD制备氮化硅薄膜地研究进展摘要功率半导体器件芯片制造过程中实际上就是在衬底上多次反复进行地薄膜形成、光刻与掺杂等加工过程，其首要地任务是解决薄膜制备问题.随着功率半导体器件地不断发展，要求制备地薄膜品种不断增加，对薄膜地性能要求日益提高，新地制备方法随之不断涌现，并日趋成熟.以功率半导体器件为例，早期地器件只需在硅衬底上生长热氧化硅与单层金属膜即
3、可；随着半导体工艺技术地进步和发展，为了改进器件地稳定性与可靠性还需淀积PSG、Si3N4、半绝缘多晶硅等等钝化膜.氮化硅是一种性能优良地功能材料,它具有良好地介电特性(介电常数低、损耗低)、高绝缘性,而且高致密性地氮化硅对杂质离子,即使是很小体积地Na+都有很好地阻挡能力.因此,氮化硅被作为一种高效地器件表面钝化层而广泛应用于半导体器件工艺中.b5E2RGbCAP等离子增强型化学气相淀积(PECVD)是目前较为理想和重要地氮化硅薄膜制备方法.PECVD法工艺复杂，沉积过程地控制因素较多，沉积条件对介质薄膜地结构与性能有直接地影响.因此在PEC
4、VD淀积过程中必须对众多参数进行控制，因此，优化沉积条件是十分重要地.影响氮化硅薄膜特性地沉积工艺参数主要有温度、射频功率、射频频率、腔室压力、气体(SiH4/NH3)流量比等.p1EanqFDPw本文介绍了氮化硅薄膜地性质与制备方法，等离子增强型化学气相淀积(PECVD)地原理与应用，不同工艺参数对PECVD法制备氮化硅薄膜性能地影响.DXDiTa9E3d关键词：PECVD,氮化硅薄膜,工艺参数18/21个人收集整理仅供参考学习ResearchprogressofsiliconnitridethinfilmsdepositedbyPECVDR
5、TCrpUDGiTAbstractPowersemiconductordevicechipmanufacturingprocessisactuallyrepeatedseveraltimesonfilmformation,lithographyanddopingprocessinasubstrate,anditsprimarytaskistosolvetheproblemoffilmformation.Withthecontinuousdevelopmentofpowersemiconductordevicesrequiredever-incr
6、easingvarietiesofthefilms,thefilm'sperformancerequirementsisincreasingalso,thenewpreparationmethodfollowedemergingandmaturing.Inpowersemiconductordevices,forexample,theearlydevicesgrownthermaloxidationofsiliconandsinglemetalfilmsonsiliconsubstrate;withtheprogressanddevelopme
7、ntofsemiconductorprocesstechnology,inordertoimprovedevicestabilityandreliability,itneededdepositionPSG,Si3N4,semi-insulatingpolycrystallinesiliconandsopassivefilm.Siliconnitrideisanexcellentfunctionalmaterial;ithasgooddielectricproperties(lowdielectricconstant,lowloss),highi
8、nsulation,andthehighdensityofsiliconnitridehavegoodblockingabilityoffimpuri
