aot架构buck变换器中保护电路的研究与设计

aot架构buck变换器中保护电路的研究与设计

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1、疋綠SOUTHWESTJIAOTONGUNIVERSITYmm硕±学位论文胃I酸论文题目:aot架构加化变换器中保护电路的儀工垂瞧麵;学科专业;电路与系统,,;苗主I誦国内图书分类号:TN433密级:公开2国际图书分类号;61.3西南交通大学研究生学位论文AOT架构Buck变换器中保炉电路的研究与设计年级2014级姓名王邦吉申请学位级别专业电路与系统指导老师庄圣贤二零一走年五月十五日Classifie

2、d虹dex:TN433U.D.C:於1.3SouthwestJiaotonUniversitgyMasterDegreeThesisRESEARCHANDDESIGNOFPROTECTIONCIRCUITSINAOTMODEBUCKCONVERTERSGrade:2014Candidate:WanBaniggjAcademicDegreeAppliedfor:MasterSpeciality:Circ山tsandSstem

3、sySuervisor:Prof.ZhuanShenxianpggMa15th2017y, ̄ ̄ ̄西南交通大学学位论文版权使用援权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并。向国家有关部口或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被査阅和借阅本人授权西南交通大学可,!^将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索可!M采用影印、缩印或扫描等复印手段保存和汇编本学位论文。本学位论文属于1.保密□,在年解密后适用本授权书;2.不保密口

4、<使用本授权书。""(请在W上方框内打V)学位论文作者签名;至种言指导老师签名:>〇.'心曰期:77曰期:西南交通大学硕±学位论文主要工作(贡献)声明本人在学位论文中所做的主要王作或贡献如下:1.对过流保护电路中的MOS营Rds电流检测方式进行了改进,用MOS管的漏源电压Vds提供参考电压给过流比较器,取代了通常使用的基准电压源,得到了一个基本不随温度变化的过流保护阐值,很好地改善了过流保护阀值随温度偏差较大的问题。2一.设计了个带有打哺模式的过流保护电路,在短时间

5、过流时采取恒定输出电一旦过流故障得到排除流的限流方式,,输出电流能迅速恢复正常,使电路具有快速的瞬态响应;在长时间过流时采取降低输出电流的限流方式,每隔一一段时间重复进行次软后动。,大大降低了电路的功耗一工作在亚阐值区的过温保护电路工作在亚阀值区的MOSFET3.设计了个,用代替BJT作为测温元件,达到了降低保护电路功耗的目的,静态工作电流仅5UA。在PTAT和CTAT电流源的设计中,对低压宽摆頓共源共栅电流镜的偏置电路进行了改进,直接通过两个与MOS管串联的电阻提供偏置电压,简

6、一化了电路结构,同时还进步降低了所需的电源电压。本人郑重声明:所呈交的学位论文,是在导师指导下独立进行研究工作所得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其它个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体,均已在文中作了明确说明。一切法律责任将由本人承担本人完全了解违反上述声明所引起的。名:,学位论文作者签日期、引1;口西南交通大学硕±研究生学位论文第I页摘要近年来,手机、平板电脑等电子产品更新换代的速度越来越快,随着其性能的不

7、断提升,它们对电源管理苍片在输出电压、功耗、安全性等诸多方面提出了更高的要。AOT(自求在众多的电源管理芯片中,适应导通时间)架构的Buck变换器W其简洁稳定的控制环路、快速的瞬态响应和相对稳定的工作频率正成为降压型电源管理芯片中的主流类型。电源管理芯片对电子产品中的电能进行转换,保证其安全性是至关重要。在所有电源管理芯片的故障中,发生过流、过温是最主要的两种情况,可能直接导致芯片被烧毁。为此,本文主要对AOT架构的Buck变换器中的过流保护电路和过温保护电路进行了研究。本论文首先

8、对电源管理芯片及其保护电路的研究背景、近年来国内外的最新研究成果和发展趋势进行了简要的介绍,然后对电源管理芯片,尤其是AOT架构Bu浊变换器的工作原理进行了较为详细的论述。随后,本论文对适用于AOT架构Buck变换器的过流保护电路进行了深入研究,针对现有的过流保护电路中MOS管艮DS电流检测中存在的过流保护阐值随溫度变化较大的问题,本论文对传统MOS管艮DS电流检测

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