1500v n沟vdmos器件

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1、Ａ去外成＊著ＩＮＩＥＮＣＥＬＯＧＹＯＦＣＨＡＵＮＩＴＹＯＣＴＲＯＮＣＳＣＩＡＮＤＴＥＣＨＮＯＩＶＥＲＳＦＥＬＥ±学位论文Ｉ专业学位硕ＭＡＳＴＥＲＴＨＥＳＩＳＦＯＲＰＲＯＦＥＳＳＩＯＮＡＬＤＥＧＲＥＥＩ．－：，．．，，心论文题目１５００ＶＮ沟ＶＤＭＯＳ器件、占丈．－．Ｉ专业学位类别工程硕壬学号２０１３２２０３０２５８：４４；：＾作者姓名杨廷琳指导教师ｇ？…．＿ｇ燃独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中将别加标注和致谢的地方夕

2、Ｋ论文中不包含其他人己经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名＊：＾＾＾日期；年Ｉ月＾日１论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部ｎ或机构送交论文的复印件和磁盘，’允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可［＾采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）

3、作者签名：篇幕琳＾导师签名：？＾叔Ｉ曰期：么？／（７年Ｉ月４曰／分类号密级注1UDC学位论文1500VN沟VDMOS器件杨珏琳指导教师任敏副教授电子科技大学成都申请学位级别硕士专业学位类别工程硕士工程领域名称集成电路工程提交论文日期2016.3.18论文答辩日期2016.5.17学位授予单位和日期电子科技大学2016年6月答辩委员会主席评阅人注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号。DesignofN-channelVDMOSWithBreakdownVoltageof1500VAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScie

4、nceandTechnologyofChinaMajor:MasterofEngineeringAuthor:JuelinYangSupervisor:A.P.MinRenSchool:SchoolofMicroelectronicsandSolid-StateElectronics摘要摘要功率MOSFET器件作为电力电子器件的重要一员，因其具有开关速度快、输入阻抗高、电流负温度系数、驱动功率低等优点，被广泛应用于开关电源、马达驱动、节能灯、汽车电子、整流器等应用中，因而在电力电子系统中占有举足轻重的作用。随着商用VDMOS的日趋成熟，对于高压VDMOS而言，器件耐压越高，产品要求的外延片电阻

5、率增加、外延厚度增加，相较于低压器件相同电阻条件下要求的面积越大，成本越高，因而减小特征导通电阻有利于提高其市场竞争力。现阶段国内的高压VDMOS器件主要依靠国外进口，国内的高压VDMOS产品几乎还没有，设计出基于国内工艺线的高压器件刻不容缓，自主研发并制作基于国内工艺线的高压VDMOS器件具有重大意义。本论文在与国内某生产线合作的基础上，首先进行元胞及终端结构的设计、仿真及优化，然后进行版图的设计及绘制，最终在合作工艺线上流片，其最终目标在于制作一款BVDSS>1500V、ID=4A、RDS(on)<7Ω、trr<510ns的N沟VDMOS器件。本论文首先概述了VDMOS的主要优点及工作原理

6、，并对VDMOS的主要静态、动态参数及终端理论进行了分析。在合作方提供的基本工艺的基础上，设计出适用于1500V的高压工艺流程。基于此工艺，采用工艺仿真软件TSUPREM4和二维器件仿真软件MEDICI开展元胞、终端结构的设计及优化。最终，器件仿真耐压达到1705V、阈值电压4V。比导通电阻84Ω·cm2。最后根据工艺线的实际机台能力，结合电阻要求设计并绘制版图。制版完成后交由流片方按照工艺条件进行流片，流片后对合格样管进行了封装测试。第二次流片样管测试结果：击穿电压1605V、导通电阻5.75Ω、阈值电压4.5V、上升时间tr=11.4ns、下降时间tf=28ns、反馈电容Crss=12pf

7、，反向恢复时间trr=270ns。最终样管测试全参数满足要求，某些参数甚至优于指标。本论文成功的设计并研制出了符合设计要求的1500VN沟VDMOS器件。本产品的成功研制，使得国内拥有了自助研制高压VDMOS的平台，打破了商用高压VDMOS被国外垄断的现状，对国内商用高压VDMOS的发展具有重要的意义。关键词：1500V，VDMOS，元胞，终端结构，流片测试IABSTRACTABSTRACTPow