hfo_2tio_2双层结构阻变存储器的阻变性能及机理研究

《hfo_2tio_2双层结构阻变存储器的阻变性能及机理研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、分类号密级ＵＤＣ论文编号一妳１化本ｆ硕±学位论文论文题目：Ｈｆ〇２／Ｔｉ〇２双层结构阻变存储器的阻变牲能及机理研究研究生：邓腾飞导师：王浩教授？专业；微电子与固体电子学硏究方向：纳米功能材料２０１６年５月分类号＝学校代号：１０５１２学号：湖北大学硕±学位论文Ｈｆ〇／ｒｉ〇２双层结构阻变存储器的阻变性能及机理研究作者姓名：邓腾飞指导教师姓名、职称：王浩、教授申请学位类别：理学硕±学位学科专业名称：微电子与固体电子学研究方向：纳米功能材料论

2、文提交日期：２０１６年５月２０日论文答辩日期：２０１６年５月２１日学位授予单位：湖北大学学位授予日期；年月日答辩委员会主席；何俊伟教授ＰｒｅａｒａｔｉｏｎａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｒｏｅｒｔｉｅｓｏｆＨｆ〇／Ｔｉ〇ｐｐｐ２２ｂｉｌａｙｅｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅｒｅｓｉｓｔｉｖｅｒａｎｄｏｍａｃｃｅｓｓｍｅｍｏｒｙＡＴｈｅｓｉｓＳｕｂｍｉｔｔｅｄｆｏｒｔｈｅＤｅｒｅｅｏｆＭａｓｔｅｒｇＣａｎｄｉｄａｔｅ：ＴｅｎｇｆｅｉＤｅｎｇＳｕｅｒｖｉｓｏｒ：Ｐｒｏｆ．ＨａｏＷａｎｐｇＨｕｂｅ

3、ｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＷｕｈａｎＣｈｉｎａ，学位论文備授权书本论文作者完全了解学校关于保存、使用学位论文的管理办法及规定，巧学校有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人完全同意《中国博壬学位论文全文数据库出版章巷》、《中国优秀硕壬学位论文全文数据库出＂＂版章程》（Ｗ下简称章程，见ｗｗｗ．ｃｎｋｉ．ｎｅｔ），愿意将本人的学位论文提交中国学术期刊（光盘版电子杂志社在《中国博壬学位论文全文数据库》、《中国优秀硕壬学位论文全文数据库》）中全文发表和Ｗ电子、网络及其他数字媒体形式公

4、开出版，并同意编入ＣＮＫＩ《中国知识资“＂源总库》，在《中国博硕±学位论文评价数据库》中使用和在互联网上传播，同意按章程－：规定享受相关权益请作者直接与杂志社联系，联系人：栗老师０１０６２７９１８１７、；电话（＊＊１６２７９３１７６、６２７０１７９通讯地址：北京清华大学邮局８４４８信箱采编中Ａ邮编：１０００８４。；）本授权书签署一式三份，交湖北大学学位评定委员会办公室。学位论文作者签名：；导师签名心扣＜年反月公年月中｜（Ｓ中／細扶学研究生学位论文储信息论文题目学号答辩日期年月日ＩＩＩ＿＿＾

5、论文级别博±〇硕±〇ｍ±＾言联系电话作者Ｅｍａｉｌ＿作者通信地址（含邮编：）备注：注：本论文如需保密，保密级别是解密时间是＿年＿＿月。（保密学位论文在解密后适用于本授ＨｆＣＶＴｉ化双层结构阻变存储器的性能及机理硏究摘要目前人们广泛应用的非挥发性存储器Ｗ娃基的浮栅型闪存Ｆｌａｓｈ为主。由于（）Ｆｌａｓｈ存在写入速度低和写操作时的高电压等缺点，且随着ＣＭＯＳ技术尺寸的不，断微缩，Ｆｌａｓｈ的隧穿氧化层厚度不断减少面临无法有效存储电荷的技术瓶颈。一，新代存储器件近年来，如电阻随机

6、存储器（ＲＲＡＭ）Ｗ其存储结构简单、特征尺寸小、读写速度快、低功耗、与现有半导体ＣＭＯＳ工艺相兼容的特点，成为一一代的非易失性存储器件的主要候选之下，引起国内外公司和科研单位强烈的研究兴趣。渡金属氧化物如Ｈｆ〇２、Ｔｉ〇２。很多阻变层材料都能产生阻变行为（等具有高介电常数、热稳定性好和宽禁带等特点，被报道具有优异的阻变存储）性能。本论文主要研究ＨｆＣＶＴｉ化双层结构阻变存储器的阻变性能及机理。首先研究了不同气氛的退火工艺对器件阻变性能的影响。发现与制备态的器。件相比，氮气退火后器件的阻变性能显著提升氮气退火器件具有更小的

7、操作电压，且电压的分布更集中。为了阐明退火后阻变性能的变化，紧接着我们对器件的导电机制进行了拟合分析，器件在低电阻态时都是欧姆。拟合结果表明传导机制，而高阻态时电流传导机制不同。发现，制备态的器件高电阻态是空间电荷限制电流巧ＣＬＣ）机制，而氮气退火后导电机制变为普尔法兰克发射机制。由此，，我们推断氮气退火增加了器件阻变层中氧空位的浓度，有助于导电细丝的形成。从而使器件阻变性能提高，氮气退。总之火是提升阻变性能的有效方式一Ｐ我们进步在柔性透明的基底上制备了ｔ／Ｈ托ＶＴｉ〇２／ＩＴＯ器件，并重点研究双层结构阻变层的优势

8、。器件阵列在可见光范围内的透过率为８０％左右，而且器件在弯曲状态下表现出可重复的阻变特性。与单层Ｈｆ〇２作为阻变层的