rfid标签前端模拟电路的设计与实现

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时间:2019-03-16

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1、I巧抑丢觀少專圆硕±学位论文胃雜圓RFID标签前端模拟电路的设计与实现作者姓名高志峰学校导师姓名、职热讓堂教授^1企业导师姓名、职庶马和良赢了3申请学位类别工程硕壬^10701学号1311122945学校代码分类号TN4巧级公开西安电子科技大学硕击学位论文RFID祿签前端模拟电路的设计与实现作者姓名:高志峰领域:软件T_程-学位类别:工程硕丄学校导师姓名、职称:杨银堂教授企业导师姓名、职称:马和良高工学院:微电子学院提

2、交日期:2016年3月Desinandimlementationofanalocircuitgpgft)rRFID化gfrontendA化esissubmittedU)XIDIANUNIVERSITYinartialfulfillmentofthere山remenUpqforthedegreeofMasterinSoftwareEngineeringByGaozhifengSupervisor:Yanint;anProfessorMa

3、helianSeniorEnineergygggMarch2016西安电子科技创大新学学位论文独包j性(或性)声明风在导师秉承学校严谨的学和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人。尽我所知,除了文中特别加L处标注和致谢指导下进行的研究工作论及文取得的研巧成果中所罗列的内容臥外,中不包含其他人己经发表或撰写过的研究成果;也不包含-或同工为获得西安电子科技大学其它教育机构的学位或证书而使用巧的材料。巧我研谢意。作的同事对本巧所做的任何贡献巧已在论文中作了明确的说明并表示了么处

4、一―切法律责任。学位论文若有不实,本人承担如日期:k、;—本人签名:西论安电子科技大学关于文使用授权的说明子:研丸^生在本人完全了解西安电科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即工文校攻读学位期间论文、作的知识产权属于西安电子科技大学。学校有权保留送^论的复印件,允许查阅借阅论文;学校可臥公布论文的全部或部分内容,允许米用影手的山印、缩印或其它复制段保存论文。同时本人保证,结合学位论文研化成果元成文、发明专利等成果,署名单位为适西安电子科技大学。保密的学位论文在年解密后用本授权书。

5、本人签名:击点导师签名;—_冰主户以日期:.去1日期:’k'之.么1摘要摘要近年来,随着互联网的普及以及RFID技术的不断发展,物联网技术开始蓬勃发展,作为RFID电子标签最为通用的表现形式,频率为13.56MHz的非接触式无源集成电路卡以其便于携带,操作简单,快速识别,安全可靠等诸多优势在公安、交通、金融和医疗等领域得到广泛的应用,已与人们的生活密不可分。其中模拟前端电路作为非接触式无源RFID电子标签芯片与阅读器之间通信的桥梁,结合电源管理单元产生的稳定的电源电压、参考基准以及上电复

6、位信号,在电磁波的能量耦合、数据信号的解调提取、时钟信号的恢复产生以及用于信号反馈的负载调制等方面起着至关重要的作用,因此,得到了越来越多的重视和研究。本论文首先对RFID技术的发展历程入手,根据电子标签的演变趋势,结合RFID技术的应用环境和国内外的研究现状,对目前应用最为广泛的非接触式无源RFID卡片的概念以及系统框架进行介绍,并对ISO/IEC14443非接触式集成电路卡的协议规范进行了详细的解读和分析。在满足协议的要求下,本文从模拟前端电路的各个单元电路的功能原理以及设计指标入手,对电路进行可行性设计,设计出满足适合

7、13.56MHz非接触式无源集成电路卡芯片的高低速率传输高性能模拟前端电路,并对整个模拟前端电路系统进行仿真优化分析,给出电路版图设计的指导要求以及流片后芯片的封装测试数据。通过对协议规范以及各个电路模块功能的研究,本论文在传统设计方案的基础之上,对电路设计进行改进,重点包括结合ESD性能的多路并行输出NMOS栅交叉连接整流电路的设计,不同场强下限幅可调电路的设计,低功耗时钟产生电路的设计以及可实现高低传输速率信号解调的解调电路的设计等等。并且给出了电源管理模块下各个模块的设计思路和方法,包括带限流功能的电源稳压器电路,用于

8、产生参考电压和偏置电流产生带隙基准电路,产生稳定电源电压低压差线性稳压器电路,以及为数字逻辑提供复位信号的上电复位电路。接着在建立天线模型的情况下对模拟前端电路中的各个子电路模块以及整体的仿真结果表明,电路各项设计指标均满足要求。论文的最后,基于UMC0.11EEPROM2P8M工艺,论文

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