功率ldmos的静电防护设计改进

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4、本入声明所呈交的学位论文是我个人巧导师指导下进行的研巧１作及驳得的研充成果。尽我所知，除了文中特别加Ｗ标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人己经发表或撰写过的研究咸果，也不包含为获得南京？电大学或其它教窗，机构酌学位或证书而使用过的材料？一。与我同ｘ作的同志对本研宛所徽的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示了谢廬。本人学位论文及渉及相关资料若有不实，愿意承担切相关的法律责巧。研巧生签名：：．曰期Ｍ．．．．Ｌ．也山南京邮电大学学位论文使用授极声明本人授权歯京邮电大学可＇＾｜＾保留并向国家有关部！］或机构送交论文釣變印件和电子文档；化许论文

5、被查阅和借阐；可Ｗ将学位论文的全部或部分内容编入＇、．有关数据库迸行检索；可巧采用影印缩印或扫描等复剩手段保存、汇编本学位论文－－－。本文电子文穫的内容和纸质论文的内容相致。论文的公布（包括刊登）授极菌京廊电大學研究生院办理。涉密学位论文在解密后适用本授权书。研充生签名；辱师签名日期；占ＩＸ旅盛乏…Ｗｔ若、摘要随着半导体芯片的制造工艺不断改进以及特征尺寸的减小，集成电路日益向小型化和高密度化发展，很容易遭受到静电放电（ESD）的影响。一次轻微的ESD事件，甚至会造成器件永久失效。横向扩散金属氧化物半导体（LaterallyDiffusedMetalOxi

6、deSemiconductor，LDMOS）作为常用的功率器件，具有较好的驱动能力，为了与现有的工艺相兼容，由LDMOS器件修改后的高压ESD防护器件可用作芯片管脚的ESD防护。本论文详细分析了LDMOS在ESD应力下的电学特性和热学特性，提出了两个新结构，并用仿真软件进行验证。主要的研究成果包括：1、深入分析了ESD产生的过程及各测试模型，对ESD防护器件受到静电脉冲后所涉及到的物理仿真模型进行了分析，主要包括物理传输方程、能带模型、迁移率、雪崩击穿模型、间接复合和俄歇复合。2、针对常规LDMOS器件在ESD应力下由于触发电压过高，表面电流集中而导致器件抗ESD性能不高的问题，

7、提出并验证了一种用于降低表面电流集中的新结构，新结构通过引入具有高低掺杂浓度的漂移区和N型衬底埋层，具有了低触发电压，二次击穿电流高等优点。仿真结果表明：新结构触发电压降低了36%，二次击穿电流提高了51%。3、针对常规SCR-LDMOS器件开启触发电压过高、维持电压过低问题，提出一种利用PN结辅助开启的新结构。新结构通过引入PN结来辅助提高触发开启前的空穴载流子浓度，降低了触发电压，提高了维持电压，并且具有较强ESD鲁棒性。仿真结果表明：新结构触发电压降低了44%，维持电压提高