新型soi-ldmos高压功率器件在开关电源buck电路中的应用研究

新型soi-ldmos高压功率器件在开关电源buck电路中的应用研究

ID:35184557

大小:4.93 MB

页数:72页

时间:2019-03-21

新型soi-ldmos高压功率器件在开关电源buck电路中的应用研究_第1页
新型soi-ldmos高压功率器件在开关电源buck电路中的应用研究_第2页
新型soi-ldmos高压功率器件在开关电源buck电路中的应用研究_第3页
新型soi-ldmos高压功率器件在开关电源buck电路中的应用研究_第4页
新型soi-ldmos高压功率器件在开关电源buck电路中的应用研究_第5页
资源描述:

《新型soi-ldmos高压功率器件在开关电源buck电路中的应用研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、i分类号密级UDC硕±学位论文新型SOI-LDMOS高压功率器件在开关电源Buck电路中的应用研究作者姓名:陈长江".>号1*''^V^",;^吊心〇古...:,^工程领域电气工程'—-VI一!'雜212012085207025^-:学号:S;:^.聲:’;’:豐y指导教师:阳小明吴小涛!?成日期月"|■11I冲血巧喘口,」塵II1■—1…阳一—…一1她隊:鎌_遍ClassifiedIndex:U

2、DC:XihuaUniversityMasterDegreeDissertationResearchonNewTypeofSOI-LDMOSHighVoltagePowerDebicestructureusedinBuckCircuitofSwitchingPowerCandidate:ChenChangjiangMajor:ElectricEngineeringStudentID:212012085207025Supervisor:YangXiaoming,WuXiaotaoMay,2016西华大学学位论文独

3、创性声明作者郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的成果。尽我所知,除文中己经注明引用内容和致谢的地方外,本论文不包含其他个人或集体己经发表的研究成果,化不包含其他己申请学位或其他巧途使用过的成果一同工作的同志对本研究所做的贡献。与我均己在论文中做了明确的说明并衷示了谢意。若有不实之处,本人愿意承担相关法律责任。^学位论文作者签名:本沸指导教师签名:曰期:OP'U.3西华大学学位论文版权使用授权书、本学位论文作者完全了解学校有关保留使用学位论

4、文的规定,在枚攻读学位期间论文工作的知识产权属于西华大学,同意学校保留并向国家有关部口或机构送交论文的复巧件和电子版,允许论文被查阅和借阅,西^华大学可!乂将本论文的全部或部分巧容编入有关数据库进行检索,可L乂采用影印、缩印或扫描等复印手段保存和汇编本学位论文。(保密的论文在解密后遵守此规定)、学位论文作者签養:跨护批指导教师签名:巧^1马A日期:曰期小Mu多、帝摘要随着社会经济的快速发展,带动了各种高压功率器件的发展,同时,也对开关电源的需求日益增大。新一代大功率半导体器件—

5、—绝缘体上硅的横向双扩散金属-氧化物场效应晶体管(SOI-LDMOS),是高压智能功率集成电路的核心部件。本研究从高压功率集成电路(HVIC)出发,引入了功率器件和集成电路。分别从器件的结构和开关电源应用两个方向进行研究分析,实现功率器件和集成电路的有机结合。(1)器件结构方面。介绍了SOI-LDMOS器件的结构特点,基于ENDIF(ENhancedDIelectriclayerField)理论提出了三角槽SOI-LDMOS器件新结构,随后对器件的耐压机理进行分析,并用二维仿真软件MEDICI进行静态、动态性能

6、仿真,通过与常规的SOI-LDMOS结构仿真结果进行比较,突出新结构在耐压、温度、开关特性上的性能优势。最后,通过大量仿真分析,得到优化结构参数后的新型SOI-LDMOS器件结构。(2)开关电源应用方面。首先介绍开关电源的实际应用范围、工作原理、开关电源的性能指标;随后重点分析开关电源变换器中的Buck电路,分析Buck电路的工作原理和各元器件的选择依据。最后,提取两种SOI-LDMOS器件的PSPICE仿真结构模型,在Cadence环境下利用PSPICE电路仿真工具进行Buck电路仿真,实现开关电源的DC-D

7、C降压转换。在外围电路相同的条件下,利用SOI-LDMOS和三角槽SOI-LDMOS做开关元件,通过仿真结果,比较二者电压、电流和功率的输出情况,突出三角槽SOI-LDMOS器件新结构的性能优势。关键词:SOI;LDMOS;击穿电压;结构;开关电源;IAbstractWithrapiddevelopmentofsocialeconomy,ledtothedevelopmentofvarietyhigh-voltagepowerdevices,Simultaneously,demandsofswitchingpo

8、wersupplyisincreasing.Anewgenerationofhighpowersemiconductordevices-Silicononinsulator,itsLateralDoublediffusedmetal-oxidefieldeffecttransistor(SOI-LDMOS),isthecoreofthehigh-voltagepowerintegrat

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。