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1、Seediscussions,stats,andauthorprofilesforthispublicationat:https://www.researchgate.net/publication/7965926[Effectofoxygenpartialpressureontheband-gapoftheTiO2filmspreparedbyDCreactivesputtering]ArticleinGuangpuxueyuguangpufenxi=Guangpu·June2004Source:PubMedCITATIONSREADS
2、0404authors,including:XiujianZhaoWuhanUniversityofTechnology560PUBLICATIONS8,860CITATIONSSEEPROFILESomeoftheauthorsofthispublicationarealsoworkingontheserelatedprojects:MultiscalemodelingonsturctureandpropertiesofcomplexsystemViewprojectAllcontentfollowingthispagewasuploa
3、dedbyXiujianZhaoon26January2017.Theuserhasrequestedenhancementofthedownloadedfile.第24卷,第5期 光谱学与光谱分析Vol124,No15,pp60326052004年5月SpectroscopyandSpectralAnalysisMay,2004氧气分压对反应溅射制备TiO2薄膜带隙的影响1,21,211赵青南,李春领,刘保顺,赵修建11武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北武汉 43007021武汉理工大学材料研究与测试
4、中心,湖北武汉 430070摘 要 在不同的氧气分压下,用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2薄膜试样,测试了试样的荧光发射光谱。结果表明,氧气分压为0135和0165Pa时,荧光光谱在370,472和514nm处出现发射峰;氧气分压为0110和0115Pa时,发射光谱峰出现在370和490nm处。试样带隙为3135eV。0135和0165Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有两个分别低于导带底0172和0194eV的缺陷能级,0110和0115Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有一个位于导带底0123和1129eV之间的缺陷能带;增加氧气分
5、压,缺陷能带转变成两个缺陷能级,在0165Pa氧气分压下,缺陷能级几乎消失。主题词 TiO2薄膜;带隙结构;氧气分压;反应溅射;荧光发射光谱中图分类号:O647 文献标识码:A 文章编号:100020593(2004)0520603203 二氧化钛薄膜在紫外线的照射下具有光催化降解有机气压为112Pa,氧气分压为0110,0115,0135和0165Pa。在[1][2]污染物的能力。Madhuetal用荧光发射光谱研究了sol2每次溅射前,首先用Ar气溅射清洗靶材,直至溅射弧呈蓝gel方法制备的纳米TiO2颗粒和TiO2薄膜。他们
6、发现,由于色状。氧空位的存在会在带隙的导带底出现氧缺陷能级。氧缺陷会112 试样的荧光发射光谱测试[3]使薄膜结构畸变,降低它的光催化能力。在制备二氧化钛用RF25301荧光光谱仪测试薄膜试样的荧光发射光谱,光催化薄膜的工艺中,直流反应磁控溅射法是最常用的方法激发源波长为260nm。之一,它能很好地控制薄膜的化学计量比,并能得到均匀的[3,4]大面积薄膜试样。影响溅射法制备薄膜试样的因素主要2 结果与讨论有:基片温度、工作气压、溅射气压比和溅射功率等。由于反应溅射制备工艺的特点,在反应磁控溅射法制备二氧化钛 图1是不同氧气分压下制备的二
7、氧化钛薄膜的荧光发射[3]薄膜时,难免会在薄膜中形成氧空位。很多研究报道了溅光谱。[5]射气压比(O2/Ar)对二氧化钛薄膜中钛离子价态的影响,而有关溅射气压比如何影响二氧化钛薄膜带隙结构的报道很少。本文用荧光发射光谱研究了不同氧气分压下反应磁控溅射法制备的玻璃基二氧化钛薄膜,讨论了氧气分压对薄膜带隙的影响。1 实 验111 试样制备用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上制备TiO2薄膜试样。纯钛(9919%)平面靶,靶直径为56mm,溅射功率为240W,靶与基片的距离为10cm。溅射室本底真空为210×10-4Fig11Emissionspe
8、ctraofthefilmsdepositedPa,以氩气与氧气的混合气体为溅射气体,溅射时的总工作atdifferentoxygenpartialpressures收稿日期:20032032
