多孔硅发光器的研制及接触材料研究

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时间:2019-05-12

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1、华东理工大学硕士学位论文多孔硅发光器的研制及接触材料研究摘要纳米多孔硅研究是90年代初的热点,但一直存在着许多问题,如今研究的目的是选择接触材料,探讨它们多孔硅发光器性能的影响。本文介绍了多孔硅研究的背景,现状和发展前景,总结了当前改善多孔硅性能的常用方法和最新进展。表面态对多孔硅发光器件的性能有着极为重要的影响。在实验中,通过选择接触材料TPD、C60.胁类、Alq:和注入in3决改变多孔硅的表面状况,研究它们对多孔硅性能的影响,为硅平面显示器的应用提供基础性的数据。制作出的器件性能测试结果表明,适当的表面态和恰当的制备方法都可以改善

2、多孔硅器件的稳定性、发光强度和发光效率等性能。并对特定表面态的影响结果在理论上的分析与解释。受接触材料来源上的限制,虽然经过处理的器件的性能较多孔硅有很大程度的改善,但这种改善是有限的。多孔硅器件要想走向应用和市场,还需要继续的探索,特别是在优质接触材料研究上的突破。关键词:多孔硅表面态接触材料if页华东理工大学硕士学位论文Deve!opmentofLight-emittingDevicesBasedonPorousSiliconandresearchoncontactingmaterialsAbstractTheresearchofn

3、amo-poroussiliconwasahotsubjectintheearlyninetiesandmanyproblemsexistedallalong.Nowtheresearchaimsatseekingcontactingmaterials'efectonperformanceoflight-emitingdevicesbasedonporoussilicon.Inthispaper,thehistory,statusandthefutureofporoussiliconresearchwereintroduced.Theu

4、sualmethodstoimproveporoussilicon'sperformanceandtheirprogressuptotheminutewerealsosummarized.Surfacestatusplayedacriticalroleinthelight-emitingdecicesbasedonporoussilicon.Intheexperiments,surfacestatuswaschangedbychoosingcontactingmaterialssuchasTPD,C6o,Hydrazine,Alq,or

5、implantingIn3+toexploretheirefectonporoussilicon'sperformance,Theseefortswouldprovidefundamentaldataforsiliconplanardisplays.Theresultsofexaminationofdevicesshowedthatpropersurfacestatusandcorrectmethodstoproducesuchdeviceswouldimprovetheircharacterization:lifetime,inten

6、sity,efficiencyandsoon.TheoutcomeofeveryparticularsurfacestatuswasanalyzedandinterpretedintheoryaswellSincethelimitationofcontactingmaterials,theimprovementofperformanceofthesedeviceswerealsolimted,althoughitwaslargertosomeextent.Inordertomakethedevicesavailable,moreefor

7、twouldbeneeded,especialilyinbreakthroughofcontactingmaterials.Keywords:poroussilicon,surfacestatus,contactingmaterials作者声明我郑重声明:本人惜守学术道德,崇尚严谨学风。所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的结果。除文中明确注明和引用的内容外,本论文不包含任何他人己发表或撰写过的内容。论文为本人亲自撰写,并对所写内容负责。论文作者签名:多,If2003年1月z7日华东理工大学硕士学位论文第1页前

8、言随着元器件的不断微细化和集成电路的高度集成化,电子学已经出现不能适应新的要求的征兆。例如,集成电路布线的进一步微细化,将带来布线中的电子迁移问题。在大电流密度下的铝线中出现电子迁移现象,布线的电子碰撞铝原

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