大学模拟电子技术试卷模拟部分附答案

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1、哈尔滨理工大学《模拟电子技术》单元练习题第一章半导体器件教学内容：PN结的单向导电性；二极管的伏安特性及主要参数；晶体管的基本结构、电流分配与放大原理，晶体管特性及主要参数；场效应管的工作原理及其特性曲线和主要参数。教学要求：了解PN结的单向导电性；了解二极管的伏安特性及主要参数；理解晶体管场、效应管的放大原理，理解晶体管场、效应管特性曲线。重点：PN结的单向导电性；晶体管特性曲线。一、选择题1、理想二极管的反向电阻为（）。(a)零(b)无穷大(c)约几百千欧2、当温度升高时，半导体的导电能力将（）。(

2、a)增强(b)减弱(c)不变(d)不能确定3、已知某晶体管的穿透电流ICEO=0.32mA，集基反向饱和电流ICBO=4μA，如要获得2.69mA的集电极电流，则基极电流IB应为（）。(a)0.3mA(b)2.4mA(c)0.03mA(d)0.24mA4、某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（）。(a)P沟道耗尽型(b)P沟道增强型(c)N沟道增强型(d)N沟道耗尽型5、已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（）。9V所对应的电极为

3、（）。6.3V所对应的电极为（）。(a)发射极(b)集电极(c)基极第51页共51页哈尔滨理工大学《模拟电子技术》单元练习题6、如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（）。(a)反向(b)近似等于零(c)不变(d)增大7、工作在放大状态的双极型晶体管是（）。(a)电流控制元件(b)电压控制元件(c)不可控元件8、工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。(a)发射结正偏，集电结反偏(b)发射结反偏，集电结正偏(c)发射结、集电结均反偏(d)发射结、集电结均正偏9、所谓

4、晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。(a)放大区(b)饱和区(c)截止区10、电路如图所示,＝0.6V，则该管子的临界饱和电流ICS约为()。(a)7mA(b)10mA(c)3mA(d)4mA11、已知某晶体管的ICEO为200，当基极电流为20时，集电极电流为1mA，则该管的ICBO约等于（）。(a)8mA(b)10mA(c)5(d)2012、将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。(a)变宽(b)变窄(c)不变13、半导体二极管的主要特点是具有（）。(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)

5、电压放大作用第51页共51页哈尔滨理工大学《模拟电子技术》单元练习题14、已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为（）。(a)0V(b)＋2V(c)－2V(d)－1V15、工作在饱和状态的PNP型晶体管，其三个极的电位应为（）。(a)VE>VB，VC>VB，VE>VC(b)VE>VB，VCVC(c)VB>VE，VBVC16、稳压管的动态电阻rZ是指（）。(a)稳定电压与相应电流IZ之比(b)稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值(c)稳压管正向压

6、降与相应正向电流的比值17、二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而（）。(a)增大(b)减小(c)不变18、在焊接场效应管时，电烙铁需要有外接地线或先断电后再快速焊接，其原因是（）。(a)防止过热烧坏(b)防止栅极感应电压过高而造成击穿(c)防止漏、源极间造成短路第51页共51页哈尔滨理工大学《模拟电子技术》单元练习题二、非客观题1、电路如图所示，二极管D的正向压降为0.6V，反向工作峰值电压URWM=100V，反向峰值电流IRM=10A，电源US=100V，负载电阻RL=10k，求电压uO。2、电

7、路如图1所示，二极管D1，D2为理想元件，ui=6sinωtV，如图2所示，画出输出电压uO的波形。3VUS1-+R图1图2-663p2ppwtUS23VD1D2uiuO0uiV/+-+-+-第51页共51页哈尔滨理工大学《模拟电子技术》单元练习题3、电路如图所示,所有二极管均为理想元件，试分析D、D、D的工作状态。4、如图所示，UD≈0.7V，试分别求当开关断开时和闭合时，U0＝？I0＝？第51页共51页哈尔滨理工大学《模拟电子技术》单元练习题5、稳压电路如图：当UI=10V，R=200Ω，UZ=6V

8、，求（1）当RL=10KΩ时，U0=？（2）当RL=100Ω时，U0=？(3)说明稳压电路工作原理。－－6、放大电路如图所示，分析其中的晶体管工作在放大区、饱和区还是截止区？说明理由。b=4010kW15.kW+6V第51页共51页哈尔滨理工大学《模拟电子技术》单元练习题第二章放大电路的基本原理教学内容：共发射交流放大电路的组成、工作原理和主要性能指标；静态工作点的稳定；射极输出器工作原理；场效应管放大电路；多级放大电路及级间耦合问题。教学