改性硅藻土对Cu(Ⅱ)吸附性的研究

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1、维普资讯http://www.cqvip.com第20卷第6期云南师范大学学报V0I.20No.67改性硅藻土对cu(Ⅱ)吸附性能的研究*c一/基&搐座5鞋,李璧玉,韩光慧,魏春霞,施仙花(1.云南师范大学化学系,云南昆明650092;2.昆明理工大学环化系,云南昆明650093)摘要以膊冲EE藻为幕质t制得改件砘藻上。测定r该}藻上对水溶液中Cu一的吸附性能。讨论,\第二分析仪器区发现全国首位。硅藻士是云南省的矿产资源优势之一1.2改性硅藻士的制备由于各矿区硅藻七非晶质二氧化硅含量不同,且取一定量硅藻_十,加入1O改性助剂(自铁、铝含量及硅藻种属等不同,因而

2、不同矿区硅藻制),于5oo'c下马福炉中焙烧2小时,过13o目士性能差异甚大。其中寻甸硅藻十二氧化硅仅筛,得改性硅藻士,置于干燥器中待用。5O左右,烧失量,铁、铝含量高口],对其应用已有1.3实验方法许多研究J。睦冲矿以二氧化硅含量高、硅藻种取浓度为lOr~/L的Cu永溶液100ml,置属多样,已用于工业生产硅藻十助滤剂。由于硅藻于锥形瓶中,调pH值,加入一定量的改性硅藻十:具有多扎结构、吸附性强、且价格低廉等优点,十,然后置于恒温(25℃)振荡器中振荡(120次/所以对该资源的开发研究利用,一直是一个很活min),经预定时间,离心分离,用原子吸收分光光跃的课

3、题一5.。本文从腾冲硅藻十出发,经化学改度计测溶液中剩余离子的浓度,由下式计算其吸性,制得改性硅藻十,用该硅藻十对Cu水溶液附率及吸附量:进行吸附试验,时论了焙烧温度、pH值、浓度以及E=(Co—C.)/cc.×100时间等因素对吸附性能的影响,找到了改性硅藻Q=(Co——C)v/w七吸附C的最佳条件,为硅藻土用于处理重金式中:E为吸附率()属离子废水提供必要的基础数据。由于改性后的Q为吸附容量(rng/g)硅藻十表面性能不同,因而使硅藻十的应用领域C。为处理前溶液中Cu浓度(mg/g)变得更加宽广。C【为处理后溶液中残余C浓度(rag/g)V为被处理的Cu溶

4、液体积(L)1实验部分w为改性硅藻十的重量(g)1.1试剂及仪器2结果与讨论云南腾冲硅藻十.CuSO·5H20(AR),NaOH、HCl(AR),Cu粉99.9,去离产水。2.1改性硅藻用量对Cu吸附性能的影响wYx一4O2A型原子吸收分光光度计(沈阳分析分别称取一定量的改性硅藻十,加入100mL·收藕日期:2000—09—07作者简介:赵醉棒(195R一),女,山东省尜安人,副教授,—耍从事物理化学教学及高分子材料研究t孟南师范大学化学系gR级本科毕业卡·维普资讯http://www.cqvip.com·56·云南师范大学学报(自然科学瓶)第20卷浓度为lO

5、me/L的cu水样中,25℃振荡1小解有关。时,经离心分离,测溶液中剩余Cu。浓度C;,求出2.3改性硅藻士吸附性能随时间变化吸附率E。实验结果见图1取lO0rnL浓度为lOmg/L的Cu溶液,加入一定量的改性硅藻十,于25℃下振荡一定时间,∞离心分离,铡溶液剩余Cu浓度,考察改性硅藻∞七吸附性能随时间的变化关系。其结果见图3。403ooo.1乱2o.ao.to.6授药量(g)图1投药量对改性硅藻土吸附性能的影响Fie.1Efect0faⅡnloiltheadsorptionpropertyofmodifiddiatomite时(rain)从图l可见,随着投药

6、量的增加,Cu吸附率图3吸附卓与吸附时间的关系随之增加。而当投药量超过0.2g后,吸附率随投Fig.3Relationshipbetwenaisa.ption呻∞药量的增加变化不大.根据上述实验结果,结合成lateandtime本等问题,吸附Cu木溶液的改性硅藻士最佳投药量可选择0.2~0.3g/10OmL。所以在其余的实从图3可看出,改性硅藻士对C的吸附速验中,选择改性硅藻士投药0.2g/lO0mL。度很快,30rain可达平衡。以后随时间延长,溶液2.2pH值对改性硅藻七吸附性能的影响中Cu的残余浓度变化不大,吸附事只略有提取100mL浓度为lOmg/L的

7、Cu溶液,加入高,动力学曲线呈现“平台”。0.zg改性硅藻士,用HCI、NaCg-I调pH值,其余2.4焙烧温度对改性硅藻士吸附性能的影响实验条件同1,测定改性硅蘸士对Cu的吸附事。取一定量原硅藻士,按lO比例加入改性助实验结果见图2。剂,置于马福炉中,分别于不同温度下焙烧2小10O时,制得不同温度下的改性硅藻十,分别取其0.2g,其余实验条件同l,考察焙烧温度对改性硅藻80七吸附Cu性能的影响,实验结果见图4。6O—兰岫4O2OO3456TB9皿朋2pH值对最性硅蘸土吸附性能的影响2~tectpHolltheⅫim03006OO9001200property

8、ofmodifieddiatomite

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