《半导体存储器h》PPT课件

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1、☆内容提要☆半导体存储器的分类与主要技术指标只读存储器ROM的结构和工作原理随机存取存储器RAM的结构和工作原理存储器容量的扩展方法数字电子技术基础实用教程随机存取存储器RandAccessMemory(RAM)静态随机存取存储器StaticRAM(SRAM)动态随机存取存储器DynamicRAM(DRAM)只读存储器Read-OnlyMemory(ROM)可编程只读存储器ProgrammableRead-OnlyMemory(PROM)紫外线可擦除只读存储器ErasablePROM(EPROM)电可擦除只读存储器El

2、ectricallyEPROM(E2PROM)快闪存储器FlashMemory双语对照数字信息在运算或处理过程中，需要进行大量的数据存储，由此应有专门的存储器。存储器一般是由许多触发器或其它记忆元件构成的用以存储一系列二进制数码的器件。存储器的种类很多，其中，半导体存储器是大规模集成电路，有品种多、容量大、速度快、耗电省、体积小、操作方便、维护容易等优点，在数字设备中得到广泛应用。8.1半导体存储器概述8.1.1半导体存储器的分类：1．按工艺的不同，分为双极型和单极型2．按读、写能力的不同，分为RAM和ROM。8.1.

3、2存储器的技术指标1.存储容量存储器存放数据的多少，即存储单元的总数。存储单元通常以“字”为单位排列成矩阵形式，一个字有若干位数据，每位数据各自存放在一个存储单元中。字：地址线的译码位：数据线存储容量表示方法：字×位，如存储容量表示方法：字×位，如某个存储器有12根地址线，8根数据线，则12根地址线可以译出212=22×210=4K个字线，8根数据线为8根位线，其存储容量为4K×8=32KB。2.存取时间访问一次存储器（对指定单元写入或读出）所需要的时间，一般为十几纳秒至几百纳秒。最大存取时间越小，存储器芯片的工作速度

4、也就越快。1.特点：只读存储器，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存其存储的内容固定不变。因此，只能读出，不能随时写入。ReadOnlyMemory§8.2只读存储器(ROM)ROM的用途：一般应用于PC系统的程序码、主机板上的BIOS(基本输入/输出系统BasicInput/OutputSystem)等。PROM：一次性可编程只读存储器（ProgrammbleROM）使用前，用户一次性写入数据，不得改写。ROM的种类：MROM：掩模只读存储器（MaskedROM）制造时固化数据，工作中只读，得不改写。E

5、PROM：紫外线可擦除可编程只读存储器（ErasablePROM）数据写入后，可用紫外线照射擦除。擦除后可重写。E2PROM：电可擦除可编程只读存储器（ElectricallyErasablePROM）数据写入后，可施加电信号将数据擦除，并写入新数据，可反复擦写上百次，适用于开发阶段或小批量产品的生产。可在线读写。FLASHE2PROM：闪烁存储器。具有E2PROM的擦写特点，擦除速度快得多，擦写次数达上千次。ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分组成。2.基本结构及作用（1）地址译码器——将输入的地址代码

6、译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中寻址，以便能把其中的数据送到输出缓冲器中读取。（2）存储矩阵——由许多存储单元排列而成。每个单元能存放1位二值代码（0或1）。每一个或每一组存储单元有一个对应的地址代码。存储单元可由二极管、双极型三极管或MOS管构成。（3）输出缓冲器——由三态门组成，用于提高存储器的带负载能力，并实现对输出状态的三态控制，以便与系统的总线联接。3.典型芯片——2716•Al0~A0：11条地址线，2K=2048个字存储单元；•D7~D0：双向数据信号输入输出引脚；•：片选信号•：数据输出

7、允许控制信号引脚•Vcc：+5v电源，用于在线的读操作；•VPP：+25v电源，用于在专用装置上进行写操作；•GND：地。24个引脚：2716型EPROM工作方式4.操作时序8.2.2掩模只读存储器由二极管构成的ROM电路：位线字线W3=A1A0＝11..W0=000101111011010001011101地址A1A0D3D2D1D0内容输入A1A0，译码输出对应字线为1，读出该单元的四位输出数字量D3D2D1D0。当A1A0=01，对应字线W1=1。W1线上D3’、D1’、D0’三根线与W1间接有二极管，三个二极管

8、会导通，使D3’、D1’、D0’全为1，而D2’为0。若，可在数据输出端得到D3D2D1D0=1011000101111011010001011101地址A1A0D3D2D1D0内容若把W0～W3当作变量，则ROM的每一个输出可以看作是W0～W3相“或”如：使用MOS管的ROM矩阵：字线和位线间有MOS管的单元存储“0”，无MOS