《OTDR常见曲线分析》PPT课件

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1、深圳市特发信息股份有限公司电力光缆事业部OTDR常见曲线分析长度测量一般采用两点法,,将受测光纤与尾纤一端相接,尾纤一端连到OTDR上,调整出显示尾纤和受测光纤的后向散射峰。其曲线见图方法:将光标A置于第一个菲涅尔反射峰前沿,将光标B置于第二个菲涅尔反射峰前沿,光标A与光标B之间的相对距离差就为被测光纤长度。光纤衰减的测试M/DIVDB/DIV第一个菲涅尔反射峰后沿第二个菲涅尔反射峰前沿尾纤BA方法:将光标A置于第一个菲涅尔反射峰后沿,曲线平滑的起点,将光标B置于第二个菲涅尔反射峰前沿,光标A与光标B间显示衰减系数就是光纤A、B间衰减系数,但非整根光

2、纤的衰减系数。典型的后向散射信号曲线DB/DIVdbceaM/DIVa、输入端的Fresnel反射区(即盲区)b、恒定斜率区c、局部缺陷、接续或耦合引起的不连续性d、光纤缺陷、二次反射余波等引起的反射e、输出端的Fresnel反射盲区:决定OTDR所能测到最短距离和最接近距离,是由于活接头的反射引起OTDR接收机饱和所至,盲区通常发生在OTDR面板前的活接头反射,但也可以在光纤的其它地方发生,一般OTDR盲区为100m。盲区分为衰减盲区和事件盲区衰减盲区:从反射点开始至接收机恢复到后向散射电平约0.5dB范围内的这段距离,这段距离就是OTDR能再次测

3、试衰减和损耗的点.DB/DIVM/DIVD仿真反射峰0.5dB式中:D的长度就为衰减盲区的长度事件盲区:从OTDR接收到反射点到开始到OTDR恢复到最高反射点1.5DB以下这段距离,在这以后才能发现是否还有第二个反射点,但还不能测试衰减.DB/DIVM/DIVD1仿真反射峰1.5dB式中:D1的长度就为事件盲区的长度。影响盲区的因素:a、入射光的脉冲宽度、b、反射光的脉冲宽度、c、入射光的脉冲后端形状、d、所用脉冲越小,盲区越大。消除盲区的方法:加尾纤(过渡纤),最好2KM以上方法:将光标定于曲线的转折处如图位置,然后选择测接头损耗功能键,便可测得接

4、头损耗。接头损耗的测量外部因素引起的可能曲线变化这里的外部因素指施加于光缆并传递至光纤的张力及侧向受力,还有温度的变化。这些都会造成曲线弓形弯曲。外部因素引起的弓形弯曲在外力作用下使曲线斜率改变。如图所示,外力作用前曲线斜率恒定,在外力作用下可出现如下情况之一:曲线斜率不变,衰减不变斜率变化,衰减线性增加整个长度呈弓形弯曲,各处斜率不同:衰减连续增加沿长度斜率增加,有限区域衰减线性增加出现台阶,光纤局部压力上升:衰减局部加波纹曲线图指曲线有与脉冲频率相似的纹状态曲线。其产生原因有可能是受测光纤工作频率与带宽频率刚好相同,此情况下,改变测试脉宽,同时应

5、从受测光纤的两端进行测量实际在测试中最常见的异常曲线、原理和对策现象:光纤未端无菲涅尔反射峰,曲线斜率、衰减正常,无法确认光纤长度原因:光纤未端面上比较脏或光纤端面质量差;对策:清洗光纤未端面或重新做端面;现象:曲线成明显弓形,衰减严重偏大或偏小,无菲涅尔反射峰;原因:量程设置错误(不足被测光纤长度2倍以上);对策:增大量程现象:在曲线斜率恒定的曲线中间有一个“小山峰”(背向散射剧烈增强所致)原因:(1)光纤本身质量原因(小裂纹);(2)二次反射余波在前端面产生反射;对策:在这种情况下改变光纤测试量程、脉宽、重新做端面,再测试如“小山峰”消失则为原因

6、(2),如不消失则为原因(1)现象:在光纤纤连接器、耦合器、熔接点处产生一个明显的增益;原因:模场直径不匹配造成的;对策:测试衰减和接头损耗必须双向测试,取平均值现象:曲线斜率正常,光纤均匀性合格,但两端光纤衰减系数相差很大原因:模场不均匀造成,一般为光纤拉丝引头和结尾部分;对策:测试衰减必须双向测试,取平均值现象:在整根光纤衰减合格,曲线大部分斜率均匀,但在菲涅尔反射峰前沿有一小凹陷原因:未端几米或几十米光纤受侧压;对策:复绕观察有无变化1310nm1550nm现象:1310nm光纤曲线平滑,光纤衰减斜率基本不变,衰减指标略微偏高,但1550nm光

7、纤衰减斜率增加,衰减指标偏高;原因:束管内余长过短,光纤受拉伸;对策:确认束管内的余长,增加束管内的余长现象:1310nm光纤曲线平滑,光纤衰减斜率基本正常,衰减指标正常,但1550nm光纤衰减斜率严重不良,衰减指标严重偏高;原因:束管内余长过长,光纤弯曲半径过小;对策:确认束管内的余长,减少束管内的余长现象:尾纤与过渡纤有部分曲线出现有规则的曲线不良,但被测光纤后半部分曲线正常,整根被测光纤衰减指标基本正常;原因:一般是由设备本身和测试方法综合造成的;对策:关机,重新起动,对各个光纤接触部分进行清洁正常曲线A为盲区,B为测试末端反射峰。测试曲线为倾

8、斜的,随着距离的增长,总损耗会越来越大。用总损耗(dB)除以总距离(km)就是该段纤芯的平均损耗(dB/Km

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