6063铝合金微弧氧化工艺性能研究

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1、6063铝合金微弧氧化工艺性能研究摘要本研究通过不同参数条件在6063铝合金基体上制备了微弧氧化陶瓷膜并研究了该合金微弧氧化最大正电压与微弧氧化正电流密度负电流密度微弧氧化时间脉冲频率间的关系根据14组实验数据回归出室温下预测6063铝合金微弧氧化最大正电压的公式MPV=1116.95888+0.1073484PCD-0.1418444NCD2-31.0499928MT-1.8088771PF-0.0000014PCD22-0.0000248NCD-0.4218731MT+0.0000063PCDNCD-0.0062172PCDMT+0.00002

2、7PCDPF+0.0093185NCDMT+0.0000044NCDPF+0.1175158MTPF6063铝合金微弧氧化膜横截面由两部分构成即靠近表面的疏松层和靠近基体的致密层其主要成分是-Al2O3和-Al2O3微弧氧化初期首先生成的是-Al2O3随着微弧氧化时间延长或氧化电压提高氧化温度提高-Al2O3将向-Al2O3转变微弧氧化膜成分以-Al2O3为主如果微弧氧化时间较短氧化电压较低氧化温度较低微弧氧化膜成分以-Al2O3为主-Al2O3含量较少6063铝合金微弧氧化膜恒电流工艺膜平均厚度度主要取决于正电流密度负电流密度微弧氧化时间脉冲频率

3、正电流密度越大负电流密度越小微弧氧化时间越长脉冲频率越大微弧氧化膜越厚6063铝合金微弧氧化恒电压工艺电压越大微弧氧化膜层越厚6063铝合金微弧氧化膜恒电流工艺膜的致密程度与膜表面光滑程度主要取决于微弧氧化正电流密度/负电流密度比值微弧氧化时间脉冲频率微弧氧化正电流密度/负电流密度比值越小微弧氧化时间越短脉冲频率越小微弧氧化膜越致密微弧氧化膜表面越平滑6063铝合金微弧氧化恒电压工艺电压越小膜越致密膜的表面越光滑6063铝合金微弧氧化膜恒电流工艺平均硬度主要取决于微弧氧化膜中-Al2O3的含量微弧氧化膜的厚度和微弧氧化膜的孔隙率微弧氧化膜较薄时微弧

4、氧化膜硬度主要取决于氧化膜的厚度而微弧氧化陶瓷膜达到一定的厚度时影响硬度的主要因素是微弧氧化膜中-Al2O3的含量和微弧氧化膜的孔隙率微弧氧化膜中-Al2O3的含量越高微弧氧化膜孔隙率越低微弧氧化膜硬度越高6063铝合金微弧氧化恒电压工艺电压越大微弧氧化膜硬度越高关键词铝合金微弧氧化最大正电压结构硬度STUDYONPROCESSANDPERFORMANCEOFMICRO-ARCOXIDIZATIONBASEDONALUMINIUMALLOY6063ABSTRACTFormystudy,micro-arcoxidizationfilmwasprodu

5、cedonaluminumalloy6063accordingtodifferentparameterofmicro-arcoxidizationandarelationshipequationwasgiventocalculatemaxpositivevoltageofaluminumalloy6063underroomtemperaturethroughpositivecurrencydensity,negativecurrencydensity,micro-arcoxidizationtimeandpulsefrequencyaccordin

6、gto14setsoftestdata:MPV=1116.95888+0.1073484PCD-0.1418444NCD-31.0499928MT222-1.8088771PF-0.0000014PCD-0.0000248NCD-0.4218731MT+0.0000063PCDNCD-0.0062172PCDMT+0.000027PCDPF+0.0093185NCDMT+0.0000044NCDPF+0.1175158MTPFMAOfilmonAlluminumalloy6063wascomposedbytwolayers,thelooselaye

7、rnearsurfaceandthedenselayernearsubstrate,andthecompositionismainly-Al2O3and-Al2O3.AtthebeginningofMAOprocess,-Al2O3wasproduced,anditwouldturninto-Al2O3whentheMAOtimewasprolonged,thevoltagewasraised,orthetemperaturewasraised,themaincompositionwouldbe-Al2O3ifMAOtimewasshort,vol

8、tagewaslowortemperaturewaslow.Thethicknessofceramicfilmbystab