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时间:2019-05-15
《电子束蒸发制备纳米氧化锌掺铝薄膜及其光电性质研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、摘要氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的II-VI族宽带隙半导体材料,室温’卜.带隙宽度高达3.3eV。由于氧化锌具有较高的激子束缚能(60meV),保证了其在室温下较强的激子发光,因而被认为是制作紫外半导体激光器的合适材料。自1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来,ZnO研究已成为继GaN之后紫外发射材料研究的又一研究热点。而近年来ZnO薄膜作为ITO薄膜的替代材料,成为透明导电薄膜的新宠,正引起人们F1益广泛的关注。本文介绍了采用电子束蒸发方法在Si衬底和石英衬底上制备出了具有C轴择优取向的氧化锌掺铝(ZnO:A1)薄膜材料,并通过后退火
2、的方法进一步改善了薄膜的质量。采用x射线衍射谱、光致发光谱、低温光致发光谱等测量手段对样品的结构和光学特性进行了表征。通过VanderPauw测试方法,对ZnO:A1薄膜的电学性质进行了分析。实验结果表明利用电子束蒸发方法制备的ZnO:A1薄膜材料,在经过氮气气氛下退火处理后,能够表现出较好的发光和结构特性。并且发现低温退火有利于Al31离子扩散进入ZnO中的zn”离子格位,而高温退火反而会降低掺杂比。电学测量还表明,500oC为最优化退火潺度。这为进一步研究ZnO:A1薄膜的特性奠定了一定的基础。关键词:ZnO:A1薄膜,退火,光致发光,Vand
3、erPauw测试AbstractZincoxideisaII—V1wideband—gap(3.3eV)compoundsemiconductorwithwurtzitecrystalstructure.Duetothelargeexcitonbindingenergyof60mev,whichensuresthehighefficientexcitonicemissionatrooro_temperature,itisregardedasoneofthemostpromisingmaterialsforfabricatingefficientul
4、traviolet(UV)andbluelightemittingdevices.Sincethefirstobservationofthestimulatedultravioletemissionatroomtemperature,ZnOhasbecomeanotherhotspotintheregionofUVlightemittingresearching.A1一dopedZnO(ZAO)thinfilmsareeme唱ingasanalternativepotentialcandidateforITO(Sn-dopedIn203、films
5、recentlynotonlybecauseoftheircomparableopticalandelectricalproperties(highopticaltransparencyinvisiblerange,infraredreflectanceandlowd.e.resistivity)toITOfilms,butalsobecauseoftheirhigherthermalandchemicalandchemicalstabilityundertheexposuretohydrogenplasma曲部lITO.Inthisdissert
6、ation,A1一dopedZnOthinfilmsonSi(100)andquartzsubstmteswerepreparedbyusingelectronbeamevaporationtechnique.X—raydiffraction(XRD),photoluminescencespectra,transmittancespectra,VanderPauwexperimentwereemployedtostudytheopticalandelectricalpropertiesofZnO:A1thinfilms,Theexperimenta
7、lresultsshowthattheZnO:A1filmsNeparedbyelectronbeamevaporationCanbegreatlyimprovedbyannealingofinoxygenambient.TheXRDpatternsindicatedthattheypossessapolycrystallinehexagonalwurtzitestructurewithapreferred(002)orientation.Theelectricalproperties,includingconducfivi.[y,Hallmobi
8、lityandcarryconcentrationwerechangedwiththeannealingtemperatu
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