《门极触发电路》PPT课件

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1、第三章.门极触发电路l).直流信号2).交流信号3).脉冲信号3.1.概述3.1.1.门极触发信号的种类1直流信号交流信号脉冲信号尖脉冲宽脉冲双脉冲强脉冲脉冲列23.1.2.晶闸管对门极触发电路的要求l)触发脉冲应有一定的幅值和功率;2)触发脉冲要有一定的宽度;当用窄脉冲控制时.脉冲宽度至少要大于阳极电流上升到掣住电流IL的时间,否则当触发脉冲消失,晶闸管将又恢复阻断,对于三相桥式全控电路,要求触发脉冲宽度大于60O或者用间隔60O的双窄脉冲代替宽脉冲。其他晶闸管电路,对脉宽有时也有不同的要求。33)触发脉冲前沿要陡晶闸管元件门极参数较分散,触发脉冲陡峭

2、的前沿可使触发延迟角α稳定,减小门极参数分散性对α角的影响。另外,触发脉冲前沿越陡,元件开通时间越短,从而可提供精确的触发延迟角α。4).触发脉冲要与主电路同步并有一定的移相范围。4在整流和有源逆变等由交流电源供电的电路中,为了使每一周波重复在相同的相位上触发,触发信号必须与主电路交流电源电压同步。同时,触发延迟角应能根据控制信号的要求而改变,即α应有一定的移相范围,例如全控电路要在整流和逆变状态运行,则移相范围需0O~180O。53.2.单结晶体管触发电路l)单结晶体管(双基极二极管)结构3.2.1.单结晶体管(UJT)发射极第一基极第二基极6b1与b

3、2之间仅有n型硅片电阻Rbb,,一般在3-12K之间。Rbb亦可看作是由第一基极b1与发射极e位置之间n型硅片的体电阻Rb1和第二基极b2与发射极e位置之间n型硅片体电阻Rb2之和:Rbb=Rb1+Rb272).单结晶体管特性据单结晶体管的结构,其等效电路可由图3.3(a)表示,其中二极管VD表示单结晶体管的PN结。若Ubb=0,则为一般二极管特性。当b1、b2之间加电压VBB,则特性Ue=f(Ie)如图3.3(b)所示。8ABCDIeUeIVIPUPUV9AB段特性:在Ubb作用下的漏电流;另外,η称为单结晶体管的分压比,其值由单结晶体管的制造工艺决定

4、,一般在0.3到0.85之间。BC段特性:Up称为峰点电压,对应的电流IP称为峰点电流。10CD段特性:Ue>ηUbb+UVD=UP后d与b1之间电阻Rbl减小而形成负阻区,使分压比减小,由此更进一步促使负阻区的形成,直至最低点D。UV称为谷点电压,对应的电流IV称为谷点电流,在D点,若再增加电压,则电流将急剧加。113.2.2单结晶体管脉冲形成电路1).工作原理电路及波形见图3.4:12当电路接通电源U以后,电容器C经电阻R充电,充电电流为iR,电容器端电压按指数规律上升。在uc<UP以前,单结晶体管截止,只有很小的漏电流,电阻R1输出电压亦很小;当电

5、容器C继续充电,电容器C端电压UC>UP时,单结晶体管导通,电容器C经e→b1→R1放电,由于导通时,单结晶体管Rb1进人负阻状态,而外接电阻R1又较小,因此电容器c经电阻R1放电时间很短,于是放电电流在R1两端产生一个尖脉冲输出。13当电容器上电压降到谷点电压时,由于R阻值较大,经由R供给单结晶体管的发射极电流小于谷点电流,不能满足单结管的导通条件,电阻Rbl迅速增大,单结晶体管恢复阻断状态。由于充电时间常数τ1=RC大于放电时间常数τ2=(Rb1+R1)C,故电容器端电压为锯齿波。此后电容器C又重复充放电过程,于是得到一连串的尖脉冲输出。142).振

6、荡条件(1).R最大值由电容器充电电压达到单结晶体管的峰值电压后,流过电阻R的电流应大于峰点电流IP,以保证单结晶体管能工作在负区来确定:(U-UP)/IP>R(2).电阻R最小值则由电容器放电完毕后,从电阻R流入单结晶体管的电流要小于谷点电流IV,以保证单结晶体管能够关断来确定:(U-UV)/IVR>(U-UV)/IV或:IV>iR>IPR太大时,负载线为直线1交于Ue=f(Ie)峰点C左侧,不能使单结晶体管从截止转入到负阻区导通;R太小,负载线交于单结晶体管特性谷点D的右侧,如直线3,这时单结

7、晶体管保持导通,不能恢复截止,从而振荡中止。16173.2.3.用电位控制移相的单结晶体管触发电路下图是一个用正电位控制α移相的单结晶体管触发电路,也是一个实际电路。控制信号为UC,当控制信号UC为零时,调整R3使电路无脉冲输出(一般VT1截止即无输出);当UC为某一常值时,流过VT2的集电极电流IC2亦为某个常值。α与UC成反比例关系,即增加UC可减小延迟角α,获得移相控制特性。18控制信号UC↑→UC1↓→IC2↑→α↓1920用单结晶体管构成触发电路;线路简单,脉冲前沿陡峭,但是脉冲很窄,功率较小,所以,一般只在单相或三相半波电路、触发50A以下的

8、晶闸管电路中应用。213.3.晶体管触发电路利用晶体管开关工作状态构成的触发电路

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