基于标准CMOS工艺非易失存储器高压产生电路的研究

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1、分类号TN492学号14043006UDC621.3密级公开工学硕士学位论文基于标准CMOS工艺非易失存储器高压产生电路的研究硕士生姓名张梦欣学科专业电子科学与技术研究方向专用集成电路设计与系统应用指导教师李建成教授国防科学技术大学研究生院二〇一六年十月ResearchonPumpingcircuitsofNon-VolatileMemoryinStandardCMOSProcessCandidate:ZhangMengxinAdvisor:LiJianchengAdissertationSubmitte

2、dinpartialfulfillmentoftherequirementsforthedegreeofMasterofEngineeringinElectronicandCommunicationEngnieeringGraduateSchoolofNationalUniversityofDefenseTechnologyChangsha,Hunan,P.R.ChinaOctober,2016国防科学技术大学研究生院硕士学位论文目录摘要..................................

3、...............................................................................iABSTRACT.........................................................................................................ii第一章绪论.......................................................

4、...............................................11.1研究背景及意义.............................................................................................11.1.1非易失存储器........................................................................................11.1

5、.2电荷泵在非易失存储器中的应用........................................................31.2国内外研究现状.............................................................................................61.3本文主要工作内容...................................................................

6、......................71.4论文组织结构.................................................................................................7第二章电荷泵设计基础....................................................................................92.1电荷泵简介......................

7、...............................................................................92.2电荷泵基本原理.............................................................................................92.3电荷泵的性能参数............................................................

8、...........................142.4电荷泵结构分析...........................................................................................182.4.1四相时钟电荷泵.......................................................................

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