[哈尔滨工业大学]研究生入学真题汇总－半导体物理真题

《[哈尔滨工业大学]研究生入学真题汇总－半导体物理真题》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、哈尔滨工业大学一九九九 年研究生考试试题考试科目：半导体物理学　　　　报考专业：微电子与固体电子学（半导体材料）一、    说明下列概念或名词的物理意义（２０分）１、    有效质量２、    载流子散时３、    状态密度４、    陷阱中心５、    光电导６、    空穴７、    直接复合与间接复合８、    少子寿命９、    热载流子１０、受主杂质与施主杂质二、    简述１、    用能带论定性地说明导体，半导体和绝缘体的导电性（１０分）２、    什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基本方法（１０

2、分）３、    耿氏振荡的机理（２０）三、    已知在ＭＯＳ电容的ＳiO2层中存在着Ｎa正离子和介面固定电荷，请设计一种实验方法测定两种电荷的面密度（库仑／厘米）　（２０分）四、    有一面积很大的半导体薄片，厚度为w，以稳定光源均匀照射两面，设光只在表面层内产生电子空穴对，在小注入条件下，ΔP(0)=P1;ΔP(W)=P2。问：1．片内非平衡载流子分布仅与时间有关，还是仅与空间位置有关？或与两者都有关？（4分）2．试确定片内非平衡载流子的分布？（16分）一、解释下列名词或概念：（20分）1、准费米能级

3、6、布里渊区2、小注入条件7、本征半导体3、简并半导体8、欧姆接触4、表面势9、平带电压5、表面反型层10、表面复合速度二、分别化出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点（20分）三、简述半导体中可能的光吸收过程（20分）四、画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程（20分）五、在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20分）一、解释下列名词或概念：（20分）1、准费米能级6、施主与受主杂质2、小注入条件7、本征半导体3、简并半导体8、光电导4、表面

4、势9、深能级杂质5、表面反型层10、表面复合速度二、画出n型半导体MIS结构理想C-V特性曲线，如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层-半导体存在界面态将分别对曲线有和影响？（20分）三、简述半导体中可能的光吸收过程（20分）四、画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程（20分）五、在一维情况下，以n型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20分）哈尔滨工业大学第1页共2页二○○二年硕士研究生考试试题考试科目:半导体物理报考专业:微电子学与固体电子学考试科目代码：[]考生注意：答

5、案务必写在答题纸上，并标明题号。答在试题上无效。一、解释下列名词或概念：1．重空穴、轻空穴6.k空间等能面2.表面态7.热载流子3.载流子散射8.格波4.本征半导体　　　　　　　　9.陷阱中心5.少子寿命10.光电导灵敏度二、简述杂质在半导体中的作用。三、简述理想p-n结光生伏特效应，画出开路条件下的能带图（12分）；根据理想光电池电流电压方程，确定开路电压VOC和短路电流ISC表达式（8分)，设p-n结反向电流为IS，光生电流为IL。四、以p型硅MOS结构为例，画出可能测得的高频和低频C-V特性曲线，说明如何确

6、定平带电压（10分）；若SiO2层中存在Na+离子，曲线将如何变化？如何通过实验确定其面密度（10分）？表面复合光照ｐ型半导体第2页共2页五、如图所示，有一均匀掺杂的ｐ型半导体（非高阻材料），在稳定光照下，体内均匀地产生非平衡载流子，且满足小注入条件，产生率为gｎ，半导体内部均匀掺有浓度为Nt的金，电子俘获系数为rn。仅在一面上存在表面复合，表面复合速度为Sｎ，载流子的扩散系数为Dｎ，试确定非平衡载流子的分布。哈尔滨工业大学第1页共2页二○○三年硕士研究生考试试题考试科目:半导体物理报考专业:微电子学与固体电子学

7、考试科目代码：[]考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号。答在试题上无效。一、解释下列名词或概念（30分）：1．有效质量6.空穴2.复合中心7.表面复合速度3.载流子散射8.光生电动势4.简并半导体　　　　　　　　9.表面态5.少子寿命10.表面强反型状态二、画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化曲线(10分),并解释其变化规律(20分)。三、用能带论解释金属、半导体和绝缘体的导电性（30分）。四、分别画出零偏、正偏和反偏情况下，p-n结能带图（15分），并简述p-n结势垒区形成的物理过程（15分）ｐ型半

8、导体第2页共2页五、如图所示，半导体光敏电阻上表面受到均匀的频率为ν的恒定光照，光功率为Popt(w),在电阻两端施加恒定偏压，光敏电阻内载流子的平均漂移速度为vd,设表面反射率为R，吸收系数为α，光敏电阻厚度d>>1/α,量子产额为β，非平衡载流子寿命为τ，试求：(1)光敏电阻中光生载流子的平均产生率g；（8分）(2)光生电流IP（忽略暗电流）（8分），设IPh为光生载