高频电子线路习题~~

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1、高频电子线路习题第一章选频网络1、有一并联回路在某频段内工作,频段最低频率为535kHz,最高频率1605kHz。现有两个可变电容器,一个电容器的最小电容量为12pF,最大电容量为100pF;另一个电容器的最小电容量为15pF,最大电容量为450pF。试问:1)应采用哪一个可变电容器,为什么?2)回路电感应等于多少?3)绘出实际的并联回路图。2、给定并联谐振回路的f=5MHZ,C=50pF,通频带2∆f=150kHz。试求电感L、品质因数Q以00.70及对信号源频率为5.5MHz时的失调。又若把2∆f加宽至300kHz,应在回路两端再并联上一个阻值0.7多大的电阻

2、。3、并联谐振如图2-3所示。已知通频带2∆f,电容C。若回路总电导为g(g=g+G+G),0.7ΣΣSPL试证明:g=4π⋅∆fCΣ0.7若给定C=20pF,2∆f=6MHZ,R=10kΩ,R=10kΩ,求R=?0.7PSL4、如图2-4所示。已知L=0.8µH,Q0=100,C1=C2=20pF,Ci=5pF,Ri=10kΩ,C0=20pF,R0=5kΩ。试计算回路谐振频率,谐振阻抗(不计R0和Ri时)、有载QL值和通频带。SchoolofInformationScienceandEnginering(ISE)第二章高频小信号放大器1、图示电路为一单调谐回路中

3、频放大器,晶体管3DG6C的直流工作点是V=+8V,I=2mA;CEE工作频率f=10.7MHz;调谐回路采用中频变压器L=4μH,Q=100,其抽头为N=5圈,01~302~3N=20圈,N=5圈。已知晶体管3DG6C在V=8V,I=2mA时参数如下:1~34~5CEEg=2860µS;C=18pFieieg=200µS;C=7pFoeoeoy=45mS;ϕ=-54fefeoy=0.31mS;ϕ=-88.5rere试计算放大器的:1)单级电压增益A;v02)单级通频带2∆f;0.73)四级的总电压增益()AV044)四级的总通频带()2∆f0.745)如四级的总

4、通频带()2∆f保持和单级的通频带2Δf相同,则单级的通频带应加宽多少?0.740.7四级的总电压增益下降多少?此时,单级放大器的负载回路应并联上一个多大的电阻?SchoolofInformationScienceandEnginering(ISE)第三章正弦波振荡器3-18试指出图P3-18所示各振荡器电路的错误,并改正,画出正确的振荡器交流通路,指出晶体的作用。图中C、C、C、C均为交流旁路电容或隔直流电容。BCES3-20晶体振荡电路如图P3-20所示,已知11ω=,ω=,试分析电路能否产12LCLC1122生正弦波振荡,若能振荡,试指出ω与ω、osc1ω之

5、间的关系。2SchoolofInformationScienceandEnginering(ISE)3-22试判断图P3-22所示各振荡电路中,哪些可能振荡,哪些不可能振荡,并改正错误。图中,C、C、C、C对交流短路。BCES3-23图P3-23(a)为文氏电桥振荡器,而图P3-23(b)为晶体二极管稳幅文氏电桥振荡器。试指出集成运算放大器输入端的极性,并将它们改画成电桥形式的电路,指出如何实现稳幅。SchoolofInformationScienceandEnginering(ISE)第四章频谱搬移电路4-3试画出下列三种以调信号的波形和频谱图。、已知ω>>Ωc

6、v(t)=5cosΩtcosωt(V)c(1)=2.5cos(Ω+ω)t+2.5cos(Ω+ω)tcc(2)v(t)=5cos(Ω+ω)tc(3)v(t)=(5+3cosΩt)cosωtc4-5画出图中各点频谱图234-7一非线性器件的伏安特性为iaaa=+++υυυa,式中0123υ=++υυυ=Vcosωt+Vcosωt+Vcosωt,试写出电流i中组合频率分量的频率通1231m12m23m3式,说明它们是各由i中的哪些次方项产生的,并求出其中的ω、2ω+ω、ω+ω−ω频112123率分量的振幅。4-15试求图N4-15所示的单平衡混频器的输出电压vt()表示

7、式。设二极管的伏安特性均为0从原点出发,斜率为g的直线,且二极管工作在受v控制的开关状态。DLSchoolofInformationScienceandEnginering(ISE)4.16分析图示电路,写出输出电压的表达式。4-20已知混频电路的输入信号电压V()t=Vcosωt,本振信号V()t=Vcosωt,静态偏置电压V=0V,在满足线性时变条ssmcLLmLQ件下,试分别求出具有图P4-20所示两种伏安特性的混频管混频跨导g。mcSchoolofInformationScienceandEnginering(ISE)4-21在一超外差式广播收音机中,中频

8、频率f=f

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