半导体设备工艺简介

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1、中科院半导体所照明研发中心工艺设备简介2014-3-3半导体照明研发中心简介“中国科学院半导体照明研发中心”，拥有1500平方米的超净工艺环境；装备方面总体已完成投入4000余万元，具备从材料制备、芯片工艺、封装测试完整的研发工艺线。“中心”组建了强有力的研发团队,由18位留学回国人员、30余名正高和副高职称研究员和近30余名工程技术人员组成；并与美、日、德等国建立了国际合作关系，聘请了8位客座研究员。在半导体照明重大装备、材料生长、器件工艺、重大应用等方面与国内外相关研发产业机构建立了良好的关

2、系。设备名录光刻机2.微波式打胶机3.化学清洗工作台4.感应耦合等离子刻蚀机ICP5.等离子体增强化学气相沉积PECVD6.光学镀膜系统7.电子束蒸发台（金属）8.电子束蒸发台（ITO）9.电镀台10.快速合金炉11.石墨烯生长系统12.台阶仪13.激光晶圆划片设备14.裂片机15.激光剥离机16.键合机17.水平减薄机18.单面研磨机19.LED全光功率测试系统20.LED自动分选机设备简介：厂商：美国ABM公司，型号：ABM/6/350/NUV/DCCD/M型1.光刻机工作原理：将设计的掩模

3、图形通过光刻机曝光转移到涂有光刻胶的晶片上用途：光刻胶的图形化。技术指标：1.365nm(波长)输出光强---约18-20mW/cm2;2.400nm(波长)输出光强---约35-40mW/cm2;3.曝光有效范围:4英寸直径;4.曝光精度：硬接触模式<1微米,软接触<1.5微米;接近式（20um）<2微米,接近式（50um）<3微米工艺特点：1.卓越的曝光面内均一性:2.误差小于±1%于2英寸曝光范围内;3.误差小于±2%于4英寸曝光范围内;4.具备高性能消除衍射涂层光学系统;5.双通道光强度

4、控制系统;6.实时动态显示（通过CCD直接在显示器上显示）1.光刻机方孔边长4.62um圆孔直径1.05um示例：1.光刻机2.微波式打胶机设备简介：厂商：德国PVA-TePla-AG型号：310M工作原理：通过微波产生的氧气等离子体对样品表面进行清洁作用或者去除光刻胶掩膜。用途：光刻胶或其他有机物的去除。技术指标：1.等离子体室：石英，直径245mm，深380mm;2.等离子体发生器：微波频率2.45GHz，最大1.000瓦，可变功率工艺特点：1.微波等离子体廉价、易于使用、高度活性、高效，且

5、不会对电子装置产生损害，该系统配备洁净的石英晶体处理室;2.可以进行普通光刻胶灰化、SU8灰化;3.适合于光刻胶显影底膜的去除。2.微波式打胶机3.化学清洗工作台设备简介：厂商：坤杰精密自动化设备有限公司型号：310M用途：通过化学清洗手段对样品进行表面处理，通常可进行清洗、腐蚀、剥离等工艺。技术指标：1.共18个工作槽位，配备氮气及纯水清洗系统;2.可进行常规有机、无机清洁处理；ITO薄膜湿法蚀刻；去蜡清洗；lift-off工艺；湿法腐蚀氧化硅等工艺。工艺特点：1.小批量多片处理、水浴加热清洗

6、、超声清洗；2.DI水冲洗为喷淋，溢注两种模式自由组合;3.半自动机械手臂进行上下往复晃动，反应更均匀3.化学清洗工作台4、感应耦合等离子刻蚀机ICP设备简介：厂商：AST型号CIRIE-200工作原理：在高功率射频电磁场中，刻蚀气体电离，电子在电场的加速下，与中性分子或原子撞击，产生电子、离子、活性游离基及辉光，即等离子体。利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。用途：干法刻蚀GaN和蓝宝石。4、感应耦合等离子刻蚀机ICP1.刻蚀气体：主要为氯气、三氯化硼;2.刻蚀材料：

7、GaN、蓝宝石;3.wafer尺寸：2英寸或以下;4.每炉片数：7片*2inch工艺特点：1.可以较好地精确地控制刻蚀的深度，刻蚀深度几十nm到几个微米;2.通过调整刻蚀参数和刻蚀掩膜，可以调节刻蚀的角度，在30度到80度。GaN刻蚀，角度82度蓝宝石刻蚀的阵列图形示例：技术指标：5.等离子体增强化学气相沉积PECVD设备简介：厂商：Oerlikon型号：790+工作原理：等离子体经受激、分解、离解和离化后，这些具有高反应活性的中性物质被吸附到较低温度的衬底表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄

8、膜。用途：淀积氧化硅、氮化硅和氮氧化硅薄膜5.等离子体增强化学气相沉积PECVD技术指标：1.300℃低温即可淀积高质量薄膜，均匀性和重复性好;2.氧化硅膜厚度任意可控：从几十纳米到几十微米都可淀积，膜厚控制精确;3.单炉生长37片2”片，极大节约成本。工艺特点：1.可以低温下淀积极低应力的氮化硅膜;2.可以实现氮氧化硅（SiON）薄膜的折射率从氧化硅的折射率平滑改变到氮化硅的折射率（1.5~1.9）。示例：6.光学镀膜系统设备简介：厂商：富临型号：FU-20PEB-OPTO工作原理：电子束斑聚